1 C8051F060單片機的存儲器結構

圖1 是C8051F060單片機的存儲器結構圖。顯然,該單片機采用了標準8051的程序和數據存儲器獨立編址的結構,程序存儲器為64KB的Flash結構,外加128字節Flash;數據RAM除包含標準51單片機256字節,還有4KB片上XRAM和可外擴64KB數據存儲器的接口。 圖1 C8051F060單片機的存儲器結構圖

2 數據存儲器及其編程

數據存儲器分為內部存儲器和外部存儲器。內部RAM包含256字節,其高端128字節為雙映射結構,即間接尋址訪問128字節通用RAM,直接尋址訪問128字節的特殊功能寄存器SFR地址空間,這個空間又分為256個SFR頁,由特殊功能寄存器SFRPAGE來切換。這樣,單片機就有足夠的SFR來設定和配制各種接口資源,并為以后擴展預留了足夠的空間,見例程1;低端的128字節RAM可通過直接或間接尋址來訪問,這和8051單片機的RAM完全一樣。其中前32個字節是4個通用工作寄存器區,接下來的16字節機可以按字節尋址,也可以按位尋址。

C8051F060單片機還有一個4KB的片內XRAM,其尋址范圍以4KB為邊界覆蓋整個64KB的外部數據存儲器地址空間。另外,該單片機還有一個外部存儲器接口EMIF,用于訪問片外數據存儲器。外部數據存儲器尋址范圍可以只映射為片內存儲器、片外存儲器或二者的組合,即4KB以內指向片內,4KB以上指向外部存儲器接口EMIF,該EMIF可以配置為復用和非復用地址線/數據線兩種方式。編程步驟是：①EMIF端口的選擇和配置;②確定地址形成非復用/復用和地址/數據復用方式;③存儲器方式為片內方式,不帶地址選擇的分片方式,有地址選擇的分片方式,片外工作方式;④確定接口定時參數。

例程1：高端128字節的尋址

;直接尋址于SFR

MOV 0F0H,#5AH

;間接尋址于高端RAM

MOV R0,#0F0H

MOV @R0,#0A5H

在復位缺省狀態下,MOVX指令訪問4KB片內XRAM,可用16位間址,也可用8位間址指令來尋址,這時高端地址放在EMI0CN寄存器中,如例程2。

例程2：4K XRAM 8/16位讀寫

4K XRAM 16位讀寫

MOV A,#36H

MOV DPTR,#0000H

MOVX @DPTR,A

MOV DPTR,#0000H

MOVX A,@DPTR

MOV R6,A

4K XRAM 8 位讀寫

MOV EMI0CN,#00H

MOV R0,#01H

MOV A,#37H

MOVX @R0,A

MOV EMI0CN,#00H

MOV R0,#01H

MOVX A,@R0

MOV R7,A

例程3為非復用方式XRAM寫,是分片無塊選方式。注意分片方式有兩種,分為有塊選擇和無塊選擇兩種,對16位間址是一樣的,對8位間址有區別。例程4是非復用分片方式讀,為有塊選方式,要特別注意特殊功能寄存器EMI0CF的賦值。

例程3：片外XRAM寫

MOV SFRPAGE,#0FH

MOV P4MDOUT,#0FFH

MOV P5MDOUT,#0FFH

MOV P6MDOUT,#0FFH

MOV P7MDOUT,#0FFH

CLR P4.5

NOP

MOV SFRPAGE,#00H

MOV PSCTL,#00H

MOV EMI0TC,#45H

MOV EMI0CF,#34H

CLR EA

NOP

MOV DPTR,#4000H

MOV A,#39H

MOVX @DPTR,A

NOP

SETB EA

MOV SFRPAGE,#0FH

SETB P4.5

例程4: 片外XRAM讀

MOV SFRPAGE,#0FH

CLR P4.5

MOV SFRPAGE,#00H

MOV EMI0TC,#45H

MOV EMI0CF,#38H

CLR EA

NOP

MOV DPTR,#4000H

MOVX A,@DPTR

NOP

SETB EA

MOV SFRPAGE,#0FH

SETB P4.5

注意,在對片外XRAM進行讀寫時,指令尋址時序并不產生片選信號,所以要先置CS片選端為低,本例中為P4.5端,具體電路圖略。而WR和RD信號由接口參數確定時序,但P4.5在0F頁,一定要注意頁切換。

3 程序存儲器及其編程

C8051F060單片機的程序存儲器為64KB的Flash存儲器,它能以512字節為扇區實現在系統編程,無需提供片外專用編程電壓,其中從0xFC00~0xFFFF的1024字節為保留區。另外,從0x10000~0x1007F的128字節Flash存儲器,可以作為非易失存儲器,由軟件來訪問,它最適合用于存放系統參數等,參見例程5。64KB的Flash存儲器區除了可以存放程序代碼外,也可以用來存放非易失數據。既可以在開發系統中,通過JTAG接口編程,也可以用MOV指令來實現軟件編程,參見例程6。注意,在對Flash存儲器操作時,讀操作用MOVC指令,寫操作用MOVX指令,若用MOVX讀操作時,只能讀到XRAM區。另外,要特別搞清楚程序存儲讀/寫控制寄存器PSCTL和Flash存儲器控制寄存器FLSCL的各個位的確切含義。

例程5：128 Flash讀寫

;128 Flash 讀

MOV SFRPAGE,#00H

MOV PSCTL,#04H

MOV FLSCL,#40H

MOV DPTR,#0020H

CLR A

MOVC A,@A+DPTR

MOV PSCTL,#00H

MOV R7,A

;128 Flash 寫

MOV FLSCL,#01H

MOV PSCTL,#07H

CLR A

MOV DPTR,#0020H

MOVX @DPTR,A

MOV PSCTL,#05H

MOV A,#35H

MOV DPTR,#0020H

MOVX @DPTR,A

MOV PSCTL,#00H

MOV FLSCL,#00H

例程6：64K程序Flash讀寫

;64K Flash 讀

MOV SFRPAGE,#00H

MOV PSCTL,#00H

MOV FLSCL,#40H

MOV DPTR,#2020H

CLR A

MOVC A,@A+DPTR

MOV R6,A

;64K Flash寫

MOV FLSCL,#01H

MOV PSCTL,#03H

CLR A

MOV DPTR,#2020H

MOVX @DPTR,A

MOV PSCTL,#01H

MOV A,#33H

MOV DPTR,#2020H

MOVX @DPTR,A

MOV PSCTL,#00H

MOV FLSCL,#00H

由于Flash存儲器只能寫0不能寫1,只能通過對其寫數據前擦除來實現寫1,所以每次寫Flash存儲器前,都要進行擦除操作。由于64KB的Flash是以512字節為一頁組織的,擦除寫操作對整個頁進行了寫0FFH操作,為提高速度,不必逐字節操作,只要對其中的任一字節進行操作即可。