摘 要： 新型超大容量" title="超大容量">超大容量Flash存儲器K9F2G08U0M的基本組織結構，給出了存儲器與C8051F020單片機外部存儲器接口" title="存儲器接口">存儲器接口(EMIF)的硬件連接方式以及存儲器的主要操作流程和部分C語言代碼。
關鍵詞： K9F2G08U0M 外部存儲器接口? 管道通徑儀
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閃存(Flash Memory)是一種可以進行電擦寫并且掉電后信息不丟失(非易失，Non-Volatile)的存儲器，具有功耗低、擦寫速度快等特點，被廣泛應用于外部存儲領域。
管道運輸作為當前油氣資源的主要輸送手段，其運行安全性受到越來越多的重視。由于不同的要求使得鋪設的管道直徑不盡相同，并且管道在長期運行過程中也會存在各種變形，這對管道缺陷檢測器的運行有相當大的影響，容易造成卡死等后果。通徑儀就是鑒于此研制的記錄管徑變動情況的儀器。一般情況下，通徑儀連續運行幾百公里，相應記錄的數據將達到上百兆字節。32MB、64MB的閃存已經不能滿足需求。因此選用了Samsung公司開發的K9F2G08U0M，其單片容量高達264MB，可滿足工程需求。
本文將介紹該存儲器的主要性能及其在管道通徑儀中的應用。
1 K9F2G08U0M存儲器簡介
從接口角度看，雖然K9F2G08U0M的容量和尋址范圍遠遠超過常見單片機的容量和尋址范圍，但由于芯片上的寫控制器能自動控制所有編程和擦除功能，提供必要的重復脈沖、內部確認和數據空間，而且只通過I/O" title="I/O">I/O接口接收單片機的命令和數據而不需要地址線，因此實際操作起來非常方便。另外芯片是通過“與非”單元結構增大容量，所以沒有因此而削弱自身性能；芯片具有獨立的1頁大小的數據存儲器和緩存存儲器，因此可以在0.2ms內完成2112B的頁編程操作，在2ms內完成128KB的塊擦除操作，同時數據區內的數據能以30ns/B的速度讀出。
整個存儲區被分為2 048個相互獨立的塊，可從邏輯上和物理上對塊的組織結構分類。
圖1為塊的邏輯結構，每個塊分為64頁，每頁為2 112B(2 048B+額外存儲區的64B)。芯片通過頁地址和頁內字節地址訪問每一個字節。通常頁地址稱為行地址" title="行地址">行地址，而頁內字節地址稱為列地址，即264MB=2048塊×64頁/塊×2112字節/頁=217行×2112列。因此，行地址需要3個字節，列地址2個字節，輸入順序如表1所示。
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從物理結構上看，該芯片為“與非”結構存儲器，每個塊由兩個“與非”結構串組成，每個“與非”結構串包含16 896個“與非”結構，每個“與非”結構由32個基本單元(每個基本單元為1位)組成，這32個基本單元分別位于不同的頁內，由此得到每個塊的物理結構，如圖2所示。
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2 硬件連接設計
管道通徑儀的結構框圖如圖3所示。管道檢測時MCU采集參數并存儲在Flash中，檢測完畢后通過USB接口傳輸至上位機進行數據分析。
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如前所述，對K9F2G08U0M的操作可以通過只向I/O接口發送數據(包括命令碼、行列地址碼等)來實現，因此最直接的方式是使用單片機的一個端口作為與芯片的數據接口，并以單片機的GPIO引腳連接CE、ALE、CLE以及
，編程時按照手冊中的時序圖控制這些引腳。但是由于每次操作這些引腳都需要大量的控制線電平轉換，使程序十分繁冗。
由于C8051F020提供了外部存儲器接口(EMIF)，而接口時序由EMIF硬件產生，使其對片外擴展的器件操作像對內存單元的尋址一樣簡便快捷。下面采用這種硬件連接方式，對K9F2G08U0M的主要操作進行介紹。電路如圖4所示，C8051F020只畫出了EMIF接口部分，選用非復用方式，以IO7~0作為數據線，CE、ALE、CLE作為地址線。由于通徑儀中需要隨時寫入數據，因此
寫保護端接高電平。
采用外部存儲器接口對器件編程時，最重要的是保證總線時序與器件時序一致。C8051F020的EMIF接口時序能夠以系統時鐘周期為單位編程，因此允許連接具有不同建立時間和保持時間要求以及不同/WR、/RD選通脈沖寬度的器件。
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單片機EMIF在非復用方式，一次片外XRAM 操作的最小執行時間為5 個SysClk 周期（用于
或
脈沖的1 個SysClk+4個額外SysClk）。若單片機系統采用20MHz晶振，一次MOVX操作的最小執行時間為250ns，而K9F2G08U0M交流參數中最小建立保持時間的上界為100ns，則即使采用EMI0TC最小的時序參數也不需要在程序中額外加入延時指令。
3 軟件設計
本系統采用C語言編程，提高了開發速度并降低了維護難度。下面分別介紹存儲器的主要操作。
3.1 按頁讀
K9F2G08U0M中有一個2112B即1頁大小的數據寄存器，這就決定了存儲器的讀操作是以1頁為基本單元進行的。如圖5所示，寫入30H后，行地址所指定的頁中的數據將在25?滋s內傳輸到數據寄存器中，然后在
脈沖的作用下，不但可以從指定的列地址開始連續讀到該頁末尾，也可以按照流程圖中的虛線部分輸入隨機讀指令碼，任意讀取該頁中的內容，并且不受次數限制。
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下面是按頁讀操作函數的C語言代碼。
sbit RdyorBsy=P0^0；
unsigned char xdata?* data pK9F；
void PageRead(unsigned int ColAdd，unsigned long
RowAdd，unsigned int len)
{
unsigned int i=0；
unsigned char ColTemp，RowTemp；
ColTemp=(unsigned char)(ColAdd>>8)；
RowTemp=(unsigned char)(RowAdd>>16)；
ColTemp &=0x0F；
RowTemp &=0x01；
pK9F=0x8002；
?* pK9F=0x00；
pK9F=0x8001；
?* pK9F=(unsigned char)(ColAdd)；
?* pK9F=ColTemp；
?* pK9F=(unsigned char)(RowAdd)；
?* pK9F=(unsigned char)(RowAdd>>8)；
?* pK9F=RowTemp；
?pK9F=0x8002；
?* pK9F=0x30；
while(RdyorBsy)；
while(!RdyorBsy)；
pK9F=0x8000；
for(i=0；i
}
3.2 頁編程
向器件寫入數據時先將數據寫入數據寄存器中，器件寫入操作是基于頁進行的，同時允許在一個頁編程周期內對一頁內的連續部分編程。若不進行擦除，則對同一頁的連續部分編程不能超過4次。
器件支持在1頁范圍內的隨機數據輸入，由隨機輸入命令碼85H啟動，如圖6中虛線框內部分所示，在1頁范圍內可以啟動任意多次隨機輸入操作。數據輸入完畢后，寫入頁編程確認命令10H，將數據寄存器中的內容寫入存儲區。寫入完成后，需要讀狀態寄存器" title="狀態寄存器">狀態寄存器(通過寫入70H實現)判斷操作是否成功。若未能成功寫入，應將當前塊聲明為壞塊，并進行塊數據替換操作，以保證整個系統的可靠性。
此外應注意，同一塊內頁編程時必須從地址最低的頁開始向高地址的頁依次編程，頁地址隨機的頁編程是被禁止的。
下面是頁編程子函數的C語言代碼。
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unsigned char PageWrite(unsigned int ColAdd，unsigned long
RowAdd)
{
unsigned int data i=0；
unsigned char data Status=0；
unsigned char data ColTemp，RowTemp；
ColTemp=(unsigned char)(ColAdd>>8)；
RowTemp=(unsigned char)(RowAdd>>16)；
ColTemp &=0x0F；
RowTemp &=0x01；
pK9F=0x8002；
?* pK9F=0x80；
pK9F=0x8001；
?* pK9F=(unsigned char)(ColAdd)；
?* pK9F=ColTemp；
?* pK9F=(unsigned char)(RowAdd)；
?* pK9F=(unsigned char)(RowAdd>>8)；
?* pK9F=RowTemp；
pK9F=0x8000；
for(i=0；i<2112；i++)
??* pK9F=InputData[i]；
pK9F=0x8002；
? * pK9F=0x10；
while(RdyorBsy)；
while(!RdyorBsy)；
pK9F=0x8002；
?* pK9F=0x70；
pK9F=0x8000；
Status=* pK9F；
Status &=0x01；
return (Status)；
}
3.3 塊擦除
擦除操作以塊為單位進行，由于器件分為2 048塊，因此輸入的地址碼中只有A18~A2的11位有效，其余位將被忽略。通過輸入確認命令碼來啟動擦除以防止誤操作。塊擦除流程如圖7所示。同頁編程操作類似，擦除完畢后也應該讀狀態寄存器并處理返回結果。
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3.4 頁復制
頁復制操作用來快速有效地實現頁間數據移動，這是由于省去了比較費時的與片外設備之間的讀寫操作。這一特性的優勢在塊替換操作用于頁間數據復制時體現尤為明顯。其實該操作是按頁讀與頁編程操作的復合，頁復制讀命令35H將頁中數據移至數據寄存器中，而頁復制寫命令85H將數據復制到目標頁中。頁復制流程圖如圖8所示。
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該操作也可以將原始頁中的數據修改后寫入目標頁，如流程圖8中虛線框內部分。
需要注意的是，頁復制操作只能在奇數頁之間或偶數頁之間進行，奇偶頁之間的數據移動將被禁止。
3.5 緩存區編程
芯片中除1頁大小的數據寄存器外，還有一個1頁大小的緩沖寄存器。該緩沖寄存器可以在數據寄存器參與頁編程的同時接收外部數據，等待數據寄存器空閑時將數據轉移其中，然后繼續接收數據。因此，采用緩存區編程操作在連續寫入多頁數據時將會大大提高效率。
緩存區編程流程如圖9所示。當第一組數據寫入緩沖寄存器時，寫入緩存命令15H，將數據傳遞給數據寄存器并啟動頁編程，然后使緩沖寄存器空閑，準備接收下一組數據。在這個過程中芯片將處于忙狀態，若內部編程操作未完成，忙狀態持續的時間將被延長。
需要注意的是，該操作只能在同一塊內進行，因此在多塊數據寫入時需要注意每塊的最后一頁。若系統僅僅通過芯片的Ready/Busy引腳監測編程進度，則最后一頁的寫入操作應該由頁編程命令10H啟動。另外也可以通過讀狀態寄存器中的I/O 5位來判斷。
K9F2G08U0M是一種新型的超大容量Flash存儲器，以其非易失、功耗低、操作簡單而在單片嵌入式系統中得到廣泛應用。本文在管道通徑儀的開發過程中，根據對外部存儲器接口的深入理解，將存儲器芯片的兩個控制線ALE和CLE用作地址線，使得對存儲器的操作更簡捷高效。文中的程序已經過實際驗證，限于篇幅，只給出按頁讀和頁編程部分的代碼。
參考文獻
[1] K9F2G08U0M數據手冊.SAMSUNG Electronics CO.，LTD，2005.
[2] 潘琢金譯.C8051F020數據手冊.Silicon Laboratories，2005.