在智慧型手機和媒體平板裝置的帶動下，行動DRAM（Mobile DRAM）需求也隨之水漲船高，包括低功耗DRAM和虛擬DRAM（Pseudo SRAM）的聲勢正不斷看漲。
2010 年全球DRAM市場規模為391億美元，行動裝置相關應用就占14％，達到55億美元。行動DRAM的出貨量和記憶容量也不斷提高。蘋果iPhone 4的行動DRAM容量達到512MB，而宏達電的Desire HD更有768MB。而iPad的行動DRAM容量有256MB，三星的Galaxy Tab更有512MB。
根據市調機構Gartner預估，今年媒體平板裝置平均行動DRAM容量為 507MB，而智慧手機平均容量為279MB，明年可提高到392MB。iSuppli則是預估，今年Mobile DRAM的成長率將達到71％，出貨量可達29億GB，2015年此一數字更將突破205億GB，比起2010年的17億GB大幅成長12倍之多。
行動DRAM并沒有標準規格，屬于利基型記憶體產品。虛擬SRAM整合DRAM核心和SRAM介面，晶片內含refresh電路設計、與傳統SRAM相容，可直接替代SRAM，容量更高、尺寸更輕薄、價格更便宜。Mobile DRAM是透過自動溫度補償自更新TCSR（Temperature Compensated Self Refresh）、記憶體陣列進行自更新PASR（Partial Array Self Refresh）和深度休眠DPD（Deep Power Down）等技術，來達到省電降低功耗的效果?，F在Mobile DRAM已朝向DDR 2制程演進，
目前包括三星、海力士、爾必達、美光、南科及華亞科、華邦、茂德等均投入行動DRAM領域，爾必達已將重心從標準型DRAM轉向Mobile DRAM，后者營收已占整體DRAM營收50％以上；爾必達合作夥伴瑞晶今年第3季可望取得技轉，首度量產Mobile DRAM，并導入30奈米制程。華邦則是鎖定中低階容量的虛擬SRAM產品區間，南科則已經推出Mobile LPDDR和LPDDR2樣品。
三星電子依舊站穩行動DRAM霸主地位，在3月初宣布采用50奈米技術開發出Wide I/O介面的行動DRAM樣品，傳輸速率可達12.8Gb/s，功耗更可大幅降低87％，同時預計到2013年，三星可開發出20奈米制程、4GB封裝容量的Wide I/O行動DRAM樣品。值得注意的是，三星已經進一步量產30奈米制程、功耗可降低25％、厚度只有0.8公厘的低功耗LPDDR2產品，儲存容量可達 1～2GB等級，將直接威脅其他競爭對手在智慧手機和媒體平板裝置的生存空間。