近日IDF2011大會圓滿閉幕，但是就在會后時隔1個工作日，Intel和美光爆出猛料20nm制程研發成功。對于整個閃存" title="閃存">閃存乃至半導體產業的刺激巨大。而在日本311之后，整個閃存產業經歷了巨大的驚濤風波之后，現在恢復的如何？下面就且聽小編我一一道來。

　　2011 年 4 月 14 日，加利福尼亞州圣克拉拉市和愛達荷州博伊西市英特爾公司和美光科技公司今天針對NAND" title="NAND">NAND閃存的制造環節推出了一項更為精密的全新20納米（nm）制程技術。該技術將用于生產8GB容量的多層單元（MLC）NAND閃存設備，這種設備可為在智能手機、平板電腦和固態硬盤（SSD）等計算解決方案中保存音樂、視頻、書籍和其它數據提供兼具大容量和小尺寸特點的存儲產品選擇。

　　

　　數據存儲量的增長與平板電腦和智能手機功能的增強，對NAND閃存技術帶來了新的需求，對縮小其體積和提高其容量的需求尤為強烈。英特爾公司與美光公司推出的全新20納米制程8GB NAND設備尺寸僅為118平方毫米，與兩家公司基于現有的25納米NAND制程的8GB NAND設備相比，可節約30%-40%的主板空間（取決于封裝類型）。這種閃存布局上的節省可讓平板電腦和智能手機生產商將額外的空間用于最終產品的改進，例如增加電池容量、擴大屏幕尺寸或增加芯片數量來支持新的功能，從而實現更高的系統級效率。

　　全新的20納米制程8GB設備由英特爾與美光的NAND閃存合資企業IM Flash Technologies（IMFT）公司生產，它是NAND制程和技術設計上的一次重大突破，進一步鞏固了兩家公司在光刻技術方面的領先地位。由于該技術與現有技術相比能夠幫助晶圓工廠增加約50%的產品容量，因此將NAND光刻技術升級為這一全新技術是提高晶圓工廠產量的一種最為經濟高效的方法，而且全新20納米NAND制程技術還保持了與前一代25納米NAND制程技術相當的性能和耐用性。

　　美光科技公司NAND解決方案事業部副總裁Glen Hawk表示：“與客戶緊密協作是美光的核心價值之一，通過這些努力，我們不斷發現具有競爭力的NAND閃存最終產品設計機遇。20納米NAND制程技術是我們創新和成長的延續，它讓美光可以為客戶提供更具性價比的增值固態存儲解決方案。”

　　英特爾公司副總裁兼非易失性存儲器解決方案事業部總經理Tom Rampone表示：“英特爾的目標是支持用戶能夠快速、經濟地訪問全球范圍內的信息。處于行業領先地位的NAND制程技術讓英特爾有能力為客戶提供一代又一代具備最高品質、且最為經濟高效的解決方案。隨著在業界持續引領制程技術的發展，以及快速完成我們整個晶圓工廠網絡在光刻技術上向更先進、更精密的技術的升級，英特爾與美光的合資企業已堪稱制造業的一個典范。”

　　20納米制程8GB設備目前尚處于樣品階段，它有望于2011年下半年進入量產階段。英特爾和美光還希望屆時推出一款16GB設備的樣品，它可在一個比美國郵票還小的單個固態存儲解決方案中提供高達128GB的存儲容量。

　　20nm制程推動半導體產業變革

　　Intel與鎂光公司宣布正式推出其20nm制程NAND閃存芯片產品，再一次站在了NAND閃存制造技術的最前沿。這款產品將由兩家公司的合資公司IMFT進行生產。新的20nm制程將用于生產8GB容量的MLC NAND閃存設備。

　　此前，東芝與SanDisk組成的聯盟占據著NAND閃存制造技術的領先地位。兩家公司同樣成立了一家合資企業，目前這家企業已經推出了24nm制程的NAND產品，正在增加這款產品的產能。而Hynix半導體與三星電子兩家韓國企業則也已經先后推出了2xnm級別制程的NAND閃存芯片產品。

　　

　　IMFT推出的這款20nm制程8GB NAND閃存芯片的芯片面積僅為118平方毫米，寬度方向尺寸相比前代的25nm 8GB NAND產品縮小了30-40%（實際縮小的尺寸依賴于芯片所采用的封裝形式）。另外，新20nm制程NAND閃存芯片產品在性能與耐久性方面則與前代25nm產品基本持平。

　　據透露，這款20nm 8GB容量NAND閃存芯片目前還在試樣階段，預計今年下半年可投入量產，屆時IMFT還將推出同樣采用20nm制程技術的16GB容量的閃存芯片樣品，并最終將這種芯片的容量提升到128GB。

　　追溯25nm制程：IMFT之Intel和美光的野望

　　IM Flash Technologies是一家非常隱匿而強悍的公司，它是由Intel和美國合資興辦的半導體制造公司，主要生產NAND型閃存芯片產品。整個NAND產業有個非常有趣的現象，大約每18個月，閃存芯片的存儲密度就會翻番。從2006年開始，他們使用的是50nm制程，而隨著時間的推移，2008年，他們開始使用40nm制程。Intel與美光的合作，催動了整個NAND閃存產業的蓬勃發展，使得制程工藝不斷精細，閃存芯片的容量不斷上升，而其價格也越來越便宜。尤其是在SSD市場中，我們更加迫切的希望閃存芯片的價格能夠有大幅回落。至少在過去幾年的USB閃盤驅動器市場中，IM Flash功不可沒。

　　時間追溯到2010年的2月1日，又是一個具有標志性的歷史節點。IM Flash正式宣布推出了新一代基于25nm制程的NAND閃存技術。Intel和美光宣稱他們擁有目前世界上最為精細的閃存芯片制造技術，這也是整個IM Flash公司集體的智慧。

　　

　　“使用最為卓越的技術，引領整個半導體行業的技術飛躍，這將是Intel和美光共同的成就。我們希望能夠進一步擴大生產能力。通過高密度的存儲媒體解決方案，我們和客戶都將迎來最大利益。”Brian Shirley美光科技存儲集團副總裁。

　　“通過我們在IMFT的持續投資，我們能夠提供世界領先的技術和生產能力。這使得我們的NAND閃存產品有著最佳的成本效益和高可靠性。”Tom Rampone Intel NAND解決方案集團副總裁。

　　聚散離合：Intel與美光不多不說的事兒

　　英特爾和美光在2005年底攜手搶進NAND Flash領域且成立合資公司IM Flash Technologies(IMFT)至今，傳出5年合約已屆期滿，將于近日宣布最新的合作方向。由于2010年底美光獨自啟動新加坡廠IM Flash Technologies Singapore(IMFS)的裝機和投資，英特爾并未表態加入，引發外界對雙方合作關系，以及英特爾是否持續投資NAND Flash領域的質疑，預計雙方將對外宣布最新的合作動態。

　　英特爾在2005年底宣布攜手美光共同進軍NAND Flash領域，雙方各出資50%成立IM Flash公司，作為兩家公司生產NAND Flash芯片的工廠，但產品規劃和銷售仍是各自獨立。同年正好趕搭上蘋果將MP3播放器iPod儲存接口由微型硬盤轉成NAND Flash芯片的風潮，雙方合資公司一成立，英特爾和美光都各自獲得蘋果訂單一紙。

　　

　　目前IM Flash公司的生產基地以維吉尼亞州Manassas廠和猶他州Lehi廠為主，前者單月產能約3萬片，后者單月產能約7萬片，合計IM Flash單月產能約10萬片。

　　在新加坡廠IMFS方面，雖然現在仍掛上“IM”招牌，但實際上僅有美光進行裝機和投資，美光是在2010年底宣布啟動此座廠房，但英特爾并未加入，美光計劃在2011年底前完成單月產能5萬~10萬片規模。

　　市場對于英特爾持續投資NAND Flash領域的意愿抱持懷疑，因為這幾年NAND Flash應用的蜜月期已過，MP3播放器市場趨于飽和，雖然有平板計算機和智能型手機帶動的SSD固態硬盤和內嵌式內存eMMC接班，但此趨勢也是在2011年才浮上臺面。

　　在此之前，NAND Flash產業經歷多次的跌價風暴，以英特爾貴為科技巨擘之尊，闖入毛利率起伏不定的內存領域，的確讓外界相當好奇未來動向。

　　不過，英特爾在SSD領域的布局上其實也相當積極，市場認為英特爾若要打開SSD領域的市占率，持續投資NAND Flash產能是不能少的，否則終究無法和其他競爭對手一戰高下，且日本311強震之后，下半年NAND Flash供需恐越來越吃緊，也不排除英特爾回心轉意增加投資新加坡廠的意愿。

　　英特爾和美光投入NAND Flash領域之后，連續在34奈米和25奈米制程都是搶頭香獲得技術領先，形成三星電子、海力士、東芝等競爭對手很大壓力，尤其是美光在IM Flash產能增加，已擠下海力士成為全球第三強，對全球NAND Flash市場形成洗牌戰，未來英特爾是否會持續攜手投資新加坡廠，將影響全球NAND Flash產業領域的版圖。

　　Intel與美光還在密謀10nm制程大計劃

　　根據IMFT透露，目前的20nm制程根本不算什么，他們對未來已經做好了準備，他們已經著手研發10nm制造工藝技術，這個距離大約只有20個原子的寬度。同時它們也在考慮電荷陷阱型存儲(CTM)技術和一直以來被炒作的很熱的3D垂直堆疊技術。屆時我們有望迎來真正屬于SSD的春天。

　　

難以想象的10個nm


電荷陷阱型存儲

3D垂直堆疊技術

　　臺韓復工宣言：提高產能減少損失

　　全球兩大硅晶圓廠信越半導體和SUMCO近日紛紛對外提出“復工宣言”，前者表示白河廠近期復工，后者則宣布米澤廠產線已部分復工，但半導體廠商仍擔憂，日本5級以上余震不斷，且電力無法充足供應，對于硅晶圓的長晶程序都是大忌；值得注意的是，日本強震之后臺、韓硅晶圓廠商都紛紛興起民族意識，優先供應國內客戶，降低外銷比重，全力捍衛自家半導體廠商的貨源！

　　日本311強震至今已達1個月，半導體產業最憂心的硅晶圓供貨問題，在信越和SUMCO遲遲無法對外說明之下，加深業界5月斷料的恐懼，但近兩日這兩家硅晶圓大廠紛紛對外說明復工進度后，半導體廠商的憂慮其實并沒有消退。

　　信越位于地震災區的白河廠占全球硅晶圓產能20%，在311強震后一直處于停工狀態，日前信越終于打破沉默，表示將于近期復工，但并未說明確切時間表，外界雖推測1~2周內復工，但即使生產線重啟，也不會是100%運作；而SUMCO也在12日表示，米澤廠已開始部分復工，此廠房占整體產能30%以上。

　　

　　但半導體廠商卻不這么樂觀，因為近期日本5級以上的余震不斷，只要超過5級以上的地震，工廠的機器設備就必須重新啟動一次，而硅晶圓長晶過程中，持續的電力是最基本的條件，無法預測的余震對長晶是一大禁忌。

　　再者，廠商也表示，日本現在的輪流限電策略方面，由于考慮半導體廠商對于電力持續性的要求相當高，對部分廠商都采取給予持續電力，例如提供50%電力但是持續狀態，這也代表無法100%供電，即使硅晶圓廠房復工，也無法回到地震前的產能水平。

　　值得注意的是，目前臺、日、韓3方的半導體廠商使出渾身解數來搶料，且傳出臺、韓硅晶圓廠興起民族意識，境內生產的硅晶圓均以國內供應為主，幾乎不再外銷，如南韓LG等硅晶圓以三星電子和海力士為優先供應，而臺灣的硅晶圓廠如臺勝科，臺系客戶涵蓋臺積電、聯電、南亞科、華亞科、華邦、旺宏、世界先進等，一律以臺廠為優先供貨對象。

　　

　　對信越依賴最深的爾必達方面，廠商透露，由于之前爾必達財務吃緊時，信越因為借錢給爾必達，因此雙方有簽訂合約，爾必達和瑞晶的硅晶圓貨源有一定比重都必須采用信越的產品，此合約在此時看來，利弊兼具，優勢是可優先獲得信越庫存。

　　但另一方面，爾必達面臨的難題是采用特殊規格的磊晶圓(EPI Wafer)，與其他DRAM廠采用的一般硅晶圓不同，也和晶圓代工廠商的磊晶圓規格不同，雖然其他硅晶圓廠也可供應，但因為爾必達的信越色彩濃厚，不利后續向其他硅晶圓廠調貨。

　　災后月：全球硅晶圓供應仍然非常吃緊

　　日本地震引發了對各種電子器件原材料供應短缺的擔憂。雖然仍面臨很大風險,但隨著復產在即,總體來說我們認為行業最差情景假設應不會出現。不過,硅片(尤其是300毫米硅片)的復產還沒有明確的時間表。信越半導體(信越化學的全資子公司)白河廠、SUMCO米澤廠以及MEMC宇都宮廠均已停產。我們認為這三個工廠的產能大約相當于全球產能的25%。

　　白河廠和宇都宮廠若5月恢復發貨則影響不大。米澤廠所受影響似乎相對較小,我們預計該廠最遲應能于5月恢復發貨。如果SUMCO能很快啟用其閑置的伊萬里廠產能,且白河廠和宇都宮廠亦于5月恢復發貨并至8月可全面恢復生產,那么我們認為廠商和客戶的總體庫存應可保持在一個月之上,并有望于2012年初恢復正常。若兩廠產能恢復均滯后則會出現供應緊張。

　　

　　如果白河廠和宇都宮廠均于7月恢復發貨且在之后的3個月才能全面復產,那么我們認為廠商和客戶的總體庫存將降至一個月以內,供應吃緊將持續至年末。如果發貨推遲至9月,那么廠商和客戶的庫存將降至半個月左右,這意味著有些客戶將無法獲得其所需的硅片量。主要假設:5月恢復發貨;限電和余震仍令人擔憂。

　　多數因地震停產的電子器件原材料工廠可能于5月份恢復生產,因此硅片生產也可能在5月恢復。不過,由于地震震級較高,我們認為限電措施和余震仍可能干擾生產。

　　目前的狀況對信越化學不利,但由于硅片對其盈利的貢獻率僅為25%左右,我們認為該影響有限。SUMCO應可獲益于米澤廠較早復產以及順利啟用伊萬里廠閑置產能。但是,我們認為SUMCO目前股價被高估了。