世界領先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣布，現在已經可廣泛提供在新IBM公司生產線上制造的首批預驗證鐵電存儲器(F-RAM)樣片。FM24C04C和FM24C16C是位密度分別為4kbit和16kbit的串行5V F-RAM產品，這些器件可為電子系統提供高性能非易失性數據采集和儲存解決方案。Ramtron的F-RAM產品具有非易失性RAM存儲性能、無延遲(NoDelay™)寫入、高讀/寫耐用性及低功耗特性。
　　
　　Ramtron公司首席執行官 Eric Balzer稱：“發布FM24C04C和FM24C16C樣片是Ramtron新代工服務項目的重要里程碑。這些預驗證芯片符合所有數據表規范和公司嚴格質量標準的要求，現在這批樣片可以提供給客戶做產品評測。在測試完成后，我們將會提供其它樣片，包括3V I2C和3V及5V SPI產品。”
　　
　　FM24C04C和FM24C16C采用串行I2C接口，工作電流為100µA(100kHz下典型值)，總線運行頻率最高可達1MHz。這些器件適用于工業控制、計量、醫療、軍事、游戲和計算應用及其它領域，可作為4和16Kb串行EEPROM存儲器的直接替代產品。FM24C04C和FM24C16C均采用工業標準8腳SOIC封裝，工作溫度范圍是工業級的-40°C至+85°C。
　　
　　Ramtron公司FM24CxxC產品的單字節寫入速度比EEPROM快200倍。此外，相比記錄新數據之前需要5至10毫秒寫入延遲的EEPROM器件，這些器件具有無延遲特性，能夠以標準總線速度寫入。FM24C04C和FM24C16C具有1萬億個寫入周期，而EEPROM只有100萬個寫入周期。相比同類非易失性存儲器產品，它們具有極低的工作電流。
　　
關于IBM/Ramtron代工合作關系
　　
　　2009年年初Ramtron和IBM達成代工服務協議，IBM在其位于美國佛蒙特（Vermont）州Burlington的先進晶圓生產設施中部署Ramtron的F-RAM半導體工藝技術。Ramtron的專有F-RAM技術堆棧已經整合到IBM的 0.18微米CMOS工藝中，用于生產Ramtron的標志性高性能非易失性F-RAM產品。IBM擁有世界級代工服務，為Ramtron現有產品及新產品開發計劃提供了具有成本效益的靈活制造平臺。
　　
關于Ramtron公司和F-RAM技術
　　
　　Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)公司總部設在美國科羅拉多州科羅拉多斯普林斯，是一家無晶圓廠半導體公司，設計、開發和銷售用于世界范圍之廣泛產品應用及市場的專業半導體存儲器和集成半導體解決方案。
　　
　　Ramtron是在半導體產品中采用鐵電材料的先驅企業，開發了新類型非易失性存儲器，稱作鐵電隨機存取存儲器即F-RAM。Ramtron的鐵電存儲器結合了動態隨機存取存儲器 (DRAM) 的高速度和非易失性數據儲存特性，即無電存儲數據的能力。自從這項技術商業化以來，Ramtron已經在嚴苛的應用領域銷售了數億個F-RAM器件，包括汽車安全和娛樂系統、便攜式醫療設備、工業過程控制系統、智能電表和消費打印機墨盒。F-RAM技術是市場上功效最高的非易失性存儲器技術，有望為超高效電池供電產品和能量收集應用的開發鋪平道路。要了解更多的信息，請訪問公司網站www.ramtron.com。
　　
安全規避聲明
　　
　　以下為依照美國私人證券法1995年修訂案規定而發出的“安全規避”聲明：本文中所有還不是歷史事實的聲明均為“前瞻性聲明”，這些“前瞻性聲明”可能涉及風險、不確定性和假設，而實際的結果或成果也可能與這些前瞻性聲明的預計結果出現重大的差異。如要探討這些風險，請參考Ramtron提交給美國證券交易委員會(SEC)的文件。本新聞稿中的前瞻性聲明是在新聞稿的日期所做出的，Ramtron明確表示沒有任何更新或修改此處前瞻性聲明的義務或職責。