半導體存儲器是計算機系統的重要組成部分，隨著計算機技術的迅速發展，CPU的速度越來越高，以往采用的普通動態存儲器(DRAM)速度低，帶寬窄，已無法適應高速CPU。為了適應各種實際應用的需要，出現了采用新技術的DRAM。其中同步DRAM(SDRAM)的出現，大大地提高了存儲器的速度，改善了其性能。在高性能計算機系統中，常用SDRAM作為主存儲器和顯示存儲器。如果將圖形特點加入到SDRAM中，即得到同步圖形存儲器，簡稱SGRAM。
　　IS42G32256是高速16Mbit CMOS同步圖形存儲器，性能優良，速度快，適合于圖形工作站、顯示卡、電視機頂盒、游戲卡、二維/三維圖形處理等高性能、高帶寬的應用場合。
　　它具有以下特點：①256K×32位×2存儲體結構；②所有輸入采樣和輸出都在同一個系統時鐘的上升沿同步動作；③雙重內部存儲體控制；④單3.3V±3V電源；⑤可編程方式寄存器指定突發范圍為1、2、4、8字節或整頁，/CAS等待周期為2和3周期，突發類型為順序和交替；⑥突發讀寫操作；⑦刷新能力為自動和自舉刷新；⑧每32ms刷新2048周期；⑨輸入輸出電平與TTL電平兼容；⑩100引腳PQFP封裝(14mm×20mm)。
　　它具有以下圖形特點：①SMRS周期：裝載屏蔽寄存器，裝載顏色寄存器；②寫每位；③塊寫(8列)
1 工作原理
　　IS42G32256 SGRAM的基本組成是兩個結構為1024×256×32位的存儲體，功能框圖見圖1。它比普通的DRAM增加了一個可編程的方式寄存器，方式寄存器存儲的數據用來控制SGRAM的各種操作方式。通過編程設置/CAS等待周期、突發類型、尋址方式、突發范圍、測試方式和各種特殊操作，使SGRAM具有各種不同的應用。方式寄存器的內容缺省時是不定的，因此，上電時必須設置，當/CS、/CAS、/RAS、/WE和DSF為低電平時方式寄存器被寫入，同時，A0～A10也被寫入。它分成不同區域：A0～A2用于突發范圍，A3用于突發類型，A4～A6用于/CAS等待周期，A7、A8、A10僅供感廠家用或用于測試方式，SGRAM正常操作時，必須設置為低電平，A9用于可編程寫突發范圍。

　　DQM用于屏蔽輸入輸出操作。DQM操作和時鐘同步，讀等待周期為2周期，寫等待周期為0周期，DQM也用于存儲系統的設備選擇和總線控制，DQM0控制DQ0～DQ7，DQM1控制DQ8～DQ15，DQM2控制DQ16～DQ23，DQM3控制DQ24～DQ31。
　　DSF定義特殊功能，控制SGRAM的圖形應用。DSF為低電平時，SGRAM的功能與普通存儲器相同，只有當DSF為高電平時，才具有圖形功能。SGRAM的功能，諸如/RAS激活、寫和用WCBR(方式寄存器設置命令)改變SGRAM的功能等，都由DSF控制。
　　SGRAM有兩種特殊方式寄存器：顏色寄存器和屏蔽寄存器，用于寫每位和塊寫。當A5和DSF為高電平，/CS、/RAS、/CAS和/WE為低電平時裝載顏色寄存器，通過DQ引腳裝入與DQ相關的數據。
　　當時鐘允許CKE＝1時，允許時鐘信號加入SGRAM；當CKE＝0時，輸出狀態和突發地址被凍結，芯片進入低功耗狀態。
　　存儲體選擇(A10)：SGRAM是由兩個262144×32bit存儲體組成的，當A10為低電平時，選擇A存儲體，否則選擇B存儲體。
　　地址輸入(A0～A9)：譯碼262144個存儲單元需要18位地址，采用多路復用器輸入地址A0～A9，10位行地址通過/RAS和A10鎖存，8位列地址通過/CAS、/WE和A10鎖存。
　　寫每位是選擇數據屏蔽位寫入的功能，儲存在內部寄存器中，當它有效時，用于數據的每一位寫。塊寫允許訪問周期連續的8列數據同時寫入。塊寫時序圖見圖2。
　　引腳功能參見表1，引腳圖略。
2 上電順序
　?、匐娫幢仨毎袰KE和DQM拉為高電平，在輸入數據之前或者上電時其它引腳為空操作，時鐘信號也必須同時加入；②VDD到達確定電壓后，空操作至少要延遲200μs；③兩個存儲體必須預充電；④在兩個最小刷新周期之前使內部電路穩定；⑤在一個方式寄存器設置周期之前，若方式寄存器的內容缺省，應編程設置/CAS等待周期、突發范圍和突發類型。在方式寄存器設置周期的時鐘周期末，設備操作已準備好。按上述順序上電后，所有的輸出均為高阻態。其它任何操作順序都不能保證輸出為高阻態。(次序④和⑤可以交換)。

3 典型應用
　　IS42G32256是16Mbit SGRAM，頻率高達100MHz，比同屬的高速EDO DRAM速度高，它與系統時鐘(即CPU頻率)同步工作，使CPU實現無等待操作，從而提高計算機系統的工作速度。它的圖形特點使其在高性能計算機系統、圖形工作站、電視機頂盒、游戲卡及二維/三維圖形處理等方面得到了廣泛應用。最典型的應用是在顯卡中作顯存。普通顯卡或娛樂級顯卡對顯存的性能要求不是很高，但要求性價比高，一般用4MB的EDO RAM或SDRAM就行了，而專業級顯卡要求對CPU依賴小，顯存盡可能大、快，為了讓工作盡可能在顯卡內完成，要求顯存多多益善，以免緩慢的磁盤拖后腿，為了提高顯卡的帶寬，采用最高檔和最快的顯存，SGRAM是高檔顯存之一。ELSA和耕宇等公司生產的顯卡都用到了8MB或16MB的SGRAM作顯存。IS42G32256 SGRAM在顯示卡中的應用框圖見圖3，由3DFXVOODOO加速芯片、SGRAM、ROM和連接器等組成，VOODOO芯片是顯卡的核心部分，處理原來得靠CPU處理的三維圖像數據，使圖像處理能力極大提高。ROM(或EPROM)用來存放視頻BIOS程序，8片IS42G32256 SGRAM構成16MB的顯存，提高了顯卡的帶寬，可用作專業級的顯卡。

　　隨著計算機技術和半導體技術的飛速發展，不斷涌現采用新技術的存儲器，以適應各種不同的應用需要。SGRAM以其高帶寬、高速度、低功耗，特別是在圖形處理方面的特點，使其在圖像處理等場合得到了廣泛應用。
參考文獻
1 ISSI IS42G32256 256K×32×2(16Mbit)Synchronous Graphics RAM.Advance Information,1998
2 竇振中編.單片機外圍器件實用手冊－存儲器分冊.北京：北京航空航天大學出版社，1998