2015年9月24日，賽迪顧問發布《中國IC 28納米工藝制程發展》白皮書。白皮書指出，隨著28納米工藝技術的成熟，28納米工藝產品市場需求量呈現爆發式增長態勢：從2012年的91.3萬片到2014年的294.5萬片，年復合增長率高達79.6%，并且這種高增長態勢將持續到2017年。白皮書明確表示，28納米工藝將會在未來很長一段時間內作為高端主流的工藝節點。考慮到中國物聯網應用領域巨大的市場需求，28納米工藝技術預計在中國將持續更長時間，為6-7年。

　　目前中國正著手從半導體制造領域實現突破、進而提升整個半導體產業水平。業界普遍認為，發展中國集成電路產業，技術創新、模式創新和體制機制創新是一個有機統一。賽迪在其白皮書中稱，傳統IDM模式的高生產運營成本制約了技術創新，同時技術進步難度大，產能和市場難以匹配；而行業分工模式導致工藝對接難度加大，Foundry的標準化工藝研發不利于滿足客戶特色需求，各Foundry廠工藝不統一增加了Fabless適配難度，兩種模式均不能滿足中國集成電路行業的未來發展需求。其經過調研認為，IC設計（Fabless）和晶圓代工（Foundry）的“聯合創新”模式更值得推崇。聯合創新模式是一種分工基礎上的緊密合作，是一種產業結構上的虛擬再整合，有利于加快Foundry工藝進步速度，有助突破產業發展瓶頸，提高Fabless工藝適配能力，提升產品性能優化空間。
　　白皮書用較大篇幅介紹了“中高聯合創新模式”，認為全球最大的、領先的Fabless廠商Qualcomm（美國高通公司，以下簡稱“高通”），和中國內地最大的Foundry廠商中芯國際的合作具有典型意義和示范作用。賽迪在白皮書中表示，高通擁有眾多關于半導體工藝和設計的領先技術。作為雙方28納米制程工藝合作的一部分，高通為中芯國際提出實際的產品需求。這對幫助中芯國際利用、改進和完善其生產能力，打造出高良品率、高精確度的世界級商用產品至關重要。同時，協同技術創新也有利于中芯國際建立世界級的28納米工藝設計包（PDK），可以幫助高通以外的其它設計企業對中芯國際28納米工藝樹立信心。
　　白皮書稱，“‘中高聯合創新’正推動中國28納米走向成熟，也開啟了IC產業發展新模式。作為全球領先的無晶圓半導體廠商，高通是少數幾家能夠以規模化和技術資源支持半導體代工廠開發及成熟化領先制程工藝的廠商。
　　資料顯示，2014年高通與中芯國際宣布了將雙方的長期合作拓展至28納米晶圓制造。中芯國際藉此成為中國內地第一家在最先進工藝節點上生產高性能、低功耗手機處理器的晶圓代工企業。僅僅一年多時間，中芯國際28納米芯片組實現商用；而在2015年9月，中芯國際、國家集成電路產業投資基金股份有限公司和高通宣布達成向中芯長電半導體有限公司投資的意向并簽署投資意向書，投資總額為2.8億美元。如本輪擬進行的投資一旦完成，將幫助中芯長電加快中國第一條12英寸凸塊生產線的建設進度，從而擴大生產規模，提升先進制造能力，并完善中國整體芯片加工產業鏈。
　　從高通角度，業內人士普遍認為，其也將從“中高聯合創新模式”中獲得巨大裨益。與中芯國際深度合作，使高通增加了一個28納米生產合作伙伴，該模式也可幫助高通更接近中國市場客戶，更好地滿足中國市場及客戶的需求；而當下，中國物聯網市場也正孕育巨大市場機會，高通曾在多個場合強調其技術正試圖“拓展互聯網邊界”，業界認為與中芯國際等國內企業的合作，對于高通抓住和實現未來萬物互聯的機遇至關重要。