IDT公司改進RF開關性能
2015-12-02
美國加利福尼亞州圣何塞，2015年12月2日 – IDT公司（IDT?）（NASDAQ：IDTI）今天宣布推出業界首款采用正在申請專利的KZ恒阻抗技術的單極雙擲（SPDT）RF開關產品， IDT F2923是一款低插入損耗單極雙擲吸收式（absorptive）RF開關，設計用于包括基站（2G，3G，4G，5G）、無線回程、CATV和便攜式手持設備等多種RF應用。
F2923采用的KZ技術可以在射頻端口間切換時控制所有端口的阻抗，保持了回波損耗。對于沒有采用KZ技術的常規開關，由于在開關時不能很好地控制開關阻抗，因而在切換RF路徑時會產生較大的電壓駐波比（VSWR）瞬態，該VSWR瞬態會降低系統性能以及可靠性。在各種不同的動態或“熱交換”方案下，KZ技術的優勢包括：
· 最小化TDD系統中切換的Tx/Rx頻率合成器阻抗牽引和恢復時間
· 在功率放大器、驅動器和低噪聲放大器等兩個RF器件之間切換時，可避免產生有害和錯誤的瞬態
· 在開關如3dB 耦合器（coupler）或者 4通道功分器等分布式網絡的一個路徑時，能夠使未切換路徑瞬態幅度和相位誤差最小化
IDT公司射頻事業部總經理Chris Stephens 介紹說：“對于最新的SPDT開關產品，我們要強調能夠大幅改善開關在線切換性能的新KZ技術。F2923的推出再次證明IDT公司在系統設計專家所期望的核心RF技術創新方面的領導地位?！?/p>
除了KZ技術，該器件還可提供下述性能：
在2GHz下，插入損耗僅為0.48dB
IIP3大于66dBm @ 2GHz
在2GHz下，業界領先的74 dB隔離度
IDT公司創新的KZ技術覆蓋從300kHz至8000MHz的寬頻率范圍，在從一個RF端口切換到另一個時能夠確保器件具有近乎恒定的阻抗（VSWR <1.4：1，其他標準開關相比之下為9:1），同時不影響隔離度、線性度或插入損耗。F2923采用3.3V單電源正電壓供電，支持標準的1.8V和3.3V控制邏輯電平。