富士通電子元器件市場部高級經理蔡振宇

       在整個功率器件發展的過程中，大家可以看到1970年有第一個可控硅出來，隨著時間和技術的推移，功率密度要求變得逐漸提升，后面是二級晶體管，慢慢到上世紀90年代末出現了IGBT。2000年的時候業界就提出硅基產品快達到物理極限。未來如何讓開關頻率進一步提高？現在市場上有兩個新材料，一個是氮化鎵，還有一個是碳化硅，都可以滿足這一要求。

       氮化鎵和碳化硅最大特點是開關頻率可以很高，材質比較適合高壓的應用。碳化硅和氮化鎵兩個材質各有各的特點，氮化鎵的電子流動性會比較高，開關性特別好。碳化硅的高壓性能會比較好一些。

主流氮化鎵產品對比

       我們的氮化鎵產品，從性能上說具備許多優勢。從應用角度來看，主要有以下幾種主流應用。第一個應用是太陽能逆變，這個應用相對比較普遍。產品體積可以比較小，能量密度很高。其次是服務器電源的特有應用，可以達到最高 99%的效率，體積也更小。

      目前氮化鎵整體產業發展已經步入到了新的階段。第一代氮化鎵已經達到硅基甚至比硅基有更好的物理性能。下一代的產品會做更低成本、更好的性能?，F在已經有越來越多的典型應用采用氮化鎵功率產品。今年是氮化鎵非常重要的一年。

       當然，由于是新技術，整體成本還是相對比較高的。這個產品剛推出的時候大概是硅基產品3倍的價格，到2014年大概是2倍的范圍。2015年隨著用量和生產制程的改進，價格是1.5倍-1.6倍。2016年我們預計隨著量產，價格會慢慢降低，可以做到1.2倍-1.3倍的價格。這有利于氮化鎵產品的大規模推廣。

       前面談到一個材質叫碳化硅，它的襯底都是碳化硅做的，碳化硅很硬，要鉆石刀才能切割。從未來成本的角度看，氮化鎵會比碳化硅更便宜。