Vishay 推出的新款VRPower®集成式DrMOS功率級解決方案 大幅提升了功率密度和效率
2016-02-17
賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 2 月17 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為滿足下一代筆記本電腦、超便攜筆記本和桌面PC對大電流、高效率和高功率密度的性能需求，推出5款新的VRPower?集成式DrMOS功率級解決方案---SiC530、SiC531、SiC532、SiC631和SiC632，可用于多相POL穩壓器。Vishay Siliconix 的這五款器件在熱增強的4.5mm x 3.5mm PowerPAK? MLP4535-22L和5mm x 5mm PowerPAK MLP55-31L封裝內，組合了功率MOSFET、先進的MOSFET柵極驅動IC和自舉肖特基二極管，占位面積比使用分立器件的方案小45%。器件的高功率密度使其非常適合使用Intel?的Skylake平臺的計算平臺。器件還適用于工業PC和用在網絡和工業應用中的大電流多相模塊。
現在的移動計算和桌面計算平臺需要比前一代產品更大的電流，同時要求面積和尺寸要比以往更小。今天推出的4.5mm x 3.5mm PowerPAK MLP55-31L封裝的集成器件可輸出最高30A的連續電流，5mm x 5mm PowerPAK MLP55-31L封裝的器件可輸出40A連續電流。除了能輸出大電流和節省占位面積，這些功率級還減小了封裝寄生參數，使開關頻率最高能達到2MHz，從而減小輸出濾波器的尺寸，進一步縮小了整個方案的尺寸和高度。為提高性能，器件的高邊和低邊MOSFET使用Vishay目前最好的Gen IV TrenchFET?技術，來減少開關和傳導損耗。功率級的驅動IC兼容眾多PWM控制器，支持5V的三態PWM邏輯電平。
SiC530、SiC531、SiC532、SiC631和SiC632適用于同步降壓轉換器、DC/DC電壓穩壓模塊、CPU和GPU的多相VRD，以及存儲器。為在這些應用里提高輕負載效率，器件的驅動IC帶有二極管調制模式電路和零電流檢測電路。自適應死區時間控制有助于在所有負載點下進一步提高效率。為支持IMVP8的PS4模式輕負載要求，當系統在待機模式下運轉時，功率級會把電流降到5μA，而且可以在5μs內從這種狀態中喚醒。器件符合RoHS，無鹵素，具有欠壓鎖定 (UVLO)等保護功能。
器件規格表：
功率級現可提供樣品，并已實現量產，供貨周期為十周。