2016年5月10日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。它們將有助于電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統成本。

　　英飛凌工業功率控制事業部總裁Helmut Gassel博士指出：“20多年來，英飛凌一直走在開發SiC解決方案的最前列，致力于滿足用戶對節能、縮減尺寸、系統集成和提高可靠性的需求。英飛凌制造出數百萬件含有SiC器件的產品，而我們的肖特基二極管和J-FET技術使設計人員能夠實現利用傳統芯片不可能達到的功率密度和性能。該解決方案現在朝前邁出了一大步，將功率MOSFET涵蓋在內，這使得從SiC技術獲得的益處將被提升到前所未有的新水平?！?/p>

　　SiC MOSFET帶來的影響非常顯著。電源轉換方案的開關頻率可達到目前所用開關頻率的三倍或以上。這能帶來諸多益處，如減少磁性元件和系統外殼所用的銅和鋁兩種材料的用量，便于打造更小、更輕的系統，從而減少運輸工作量，并且更便于安裝。新解決方案有助于節能的特點由電源轉換設計人員來實現。這些應用的性能、效率和系統靈活性也將提升至全面層面。

　　全新1200 V SiC MOSFET經過優化，兼具可靠性與性能優勢。它們在動態損耗方面樹立了新標桿，相比1200 V硅（Si）IGBT低了一個數量級。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲能系統等應用的系統改進，此后可將其范圍擴大到工業變頻器。

　　該MOSFET完全兼容通常用于驅動IGBT的+15 V/-5 V電壓。它們將4 V基準閾值額定電壓（Vth）與目標應用要求的短路魯棒性和完全可控的dv/dt特性結合起來。與Si IGBT相比的關鍵優勢包括：獨立于溫度的開關損耗和無閾值電壓的靜態特性。

　　全新MOSFET融匯了多年SiC半導體開發經驗，基于先進的溝槽半導體工藝，代表著英飛凌CoolSiC 產品家族的最新發展。該產品系列包括肖特基二極管和1200 V J-FET器件以及在一個模塊中集成Si IGBT和SiC二極管的一系列混合解決方案。

　　首款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的導通電阻（RDS(ON)）額定值為45 mΩ。它們將采用3引腳和4引腳TO-247封裝，針對光伏逆變器、UPS、電池充電和儲能應用。由于集成了反向恢復損耗接近零的耐用型體二極管，所以這兩種型號的器件都可供用于同步整流方案。4引腳封裝有一個額外的源極連接端子（Kelvin），作為門極驅動電壓的參考電位。通過消除由于源極電感引起的壓降的影響，這可以進一步降低開關損耗，特別是在更高開關頻率時。

　　另外，英飛凌還宣布推出基于SiC MOSFET技術的1200 V‘Easy1B’半橋和升壓模塊。這些模塊采用PressFIT連接，有良好的熱界面、低雜散電感和堅固的設計，每種封裝的模塊均有11 mΩ和23 mΩ的RDS(ON)額定值選項。