富士電機與香港科技大學組成的研究小組在“ISPSD 2016”上發布了可縮小二極管的邊緣終端（Eedge Termination）區域的新技術。與以往設置保護環的邊緣終端相比，該技術可使邊緣終端的長度縮短至1/5以下。
隨著二極管不斷實現微細化，作為元件發揮作用的主動區域越來越小，邊緣終端在二極管芯片中所占的比例則越來越大。尤其是輸出電流較小的二極管，邊緣終端 所占的比例更大。在用于白色家電等的耐壓600V的5A二極管中，邊緣終端的長度約為350μm，在整個芯片面積中所占的比例達到了約55％。因此，該研 究小組開始研究如何縮小邊緣終端。
此次采用了在二極管表面挖掘溝槽，然后用“BCB（苯并環丁烯）”等填充溝槽的結構。在主動區域為 0.55mm2（相當于2A）的情況下，采用該結構設置邊緣終端，僅以35μm的長度就獲得了755V的耐壓特性。據介紹，這一數值還不到以往采用保護環 方式的邊緣終端的1/5。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。