業內首個基于130 nm BCDLite平臺的嵌入式閃存技術，適用于電源、MCU和工業應用領域

　　全球領先的整合單片機、混合信號、模擬器件和閃存專利解決方案的供應商——Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）日前通過其子公司Silicon Storage Technology（SST）宣布推出已通過認證、基于GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite?技術平臺的、SST低掩膜次數的嵌入式SuperFlash?非易失性存儲器（NVM）技術。僅僅只需四步掩膜即可將SST嵌入式SuperFlash存儲解決方案和GLOBALFOUNDRIES的BCDLite技術結合在一起，為電源、單片機（MCU）和工業IC設計人員提供兼具成本效益、高耐用性的嵌入式閃存解決方案。在諸如電池充電（5V-30V）等高容量電源應用領域，GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite平臺與SST SuperFlash嵌入式存儲功能的搭配將實現先進的電池監測功能，準確測量出電池的使用時間和健康狀況。

　　作為業內首個結合SST嵌入式SuperFlash存儲技術和先進模擬技術的代工廠，GLOBALFOUNDRIES的130 nm BCDLite平臺擁有業界領先的Rdson，這使得設計人員能夠以小尺寸裸片實現可編程的單芯片電源解決方案。

　　SST全球市場營銷及業務發展總監Vipin Tiwari表示：“低掩膜次的嵌入式SuperFlash技術與先進130 nm BCDLite工藝節點的結合，開辟了產品全新的應用潛力，尤其是對于電源管理市場而言，令人倍感振奮?，F在，有BCDLite工藝需求的客戶可以在降低成本的同時為其復雜算法添加嵌入式SuperFlash存儲技術?！?/p>

　　GLOBALFOUNDRIES嵌入式存儲副總裁Dave Eggleston表示：“我們與SST合作開發出的這一客戶就緒的130 nm模塊化BCD+NVM平臺，為客戶提供了前所未有的集成化水平，適用于各類要求苛刻的電池供電應用，包括無人機、智能電機控制及常關移動計算等?！?/p>

　　基于GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite平臺的SST SuperFlash技術方案現已開始投放市場，同時由一個資源豐富的自定義庫提供完備的技術支持，該自定義庫包含了針對模擬/電源SoC而優化的現成IP模塊資源。

　　欲了解更多有關SST專有SuperFlash? NOR閃存專利技術的信息，請訪問www.sst.com/technology/SuperFlash-Overview。

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