今日，由紫光集團聯合國家集成電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資240億美元建設的國家存儲器基地項目正式動工，預計 2018年建成投產，2020年完成整個項目，初期計劃以先進的3D NAND為策略產品。
據悉，此次動工建設的存儲器基地位于武漢東湖高新區的武漢未來科技城，規劃建設3座3D NAND 生產工廠，1座總部研發大樓和其他若干配套設施，總占地面積1968畝，預計到2020年可形成月產能30萬片的規模，年產值將超過100億美元，到2030年可提升到每月100萬片的產能。作為項目承載地的武漢東湖高新區，正在努力打造世界級的集成電路產業創新中心。
從市場角度分析，中國擁有龐大的消費群體，個人、企業、國家數據存儲需求都在不斷攀升，還有華為、聯想、浪潮等服務器制造商，以及百度、騰訊、阿里巴巴等互聯網巨頭，同時中國物聯網市場規模也正在以年增率30%的速度成長。
然而，中國在數據存儲所需要的重要芯片上缺乏關鍵技術，幾乎90%以上都要依賴國外進口。紫光集團聯合武漢新芯建設規模龐大的國家存儲器基地，生產先進的3D NAND，將可填補中國在存儲器芯片領域的空白。
另外，紫光還與西部數據成立紫光西部數據有限公司，借助西部數據收購SanDisk在NAND Flash上的資源，以及西部數據在企業級市場上的優勢，為中國本土客戶提供更好的大數據存儲解決方案及服務。
在國家大力發展的集成電路產業的契機下，紫光集團正在集合國家政策、資金實力以及上下游企業資源，在芯片制造、IC設計、封裝測試、硬件設施等方面建立一條完整的產業鏈生態系統，將助力中國實現半導體產業和經濟的跨越發展。
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