器件具有37.8A的連續漏極電流，導通電阻低至8.4mΩ，采用小尺寸PowerPAK SC-70封裝
賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布新的30V N溝道TrenchFET 第四代功率MOSFET---SiA468DJ，為移動設備、消費電子和電源提供了更高的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiA468DJ采用超小尺寸PowerPAK SC-70封裝，是具有業內最低的導通電阻和最高的連續漏極電流的2mm x 2mm塑料封裝的30V器件。
今天發布的MOSFET是目前尺寸最小的30V產品之一，比PowerPAK 1212封裝的器件小60%，在筆記本電腦、平板電腦、VR頭盔和DC-DC磚式電源，無線充電器中的H橋，以及無人機的電機驅動控制中，可用于DC/DC轉換和電池管理的負載切換。
SiA468DJ在10V和4.5V下具有8.4mΩ和11.4mΩ的極低導通電阻，在這些應用中能減小傳導損耗，提高效率。其導通電阻比前一代產品低51%，比最接近的競爭產品低6%。另外，MOSFET的優值系數 (FOM) 針對各種功率轉換拓撲進行了優化。
SiA468DJ的連續漏極電流高達37.8A，比前一代器件高68%，比最接近的競爭產品高50%。高漏極電流為會碰到高瞬變電流的應用產品提供了足夠的安全余量。MOSFET進行了100%的RG測試，符合RoHS，無鹵素。
SiA468DJ現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十三周。
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