日前，IBM聯合三星宣布了一項名為nanosheets的晶體管制造技術。該技術拋棄了標準的FinFET架構，采用全新的四層堆疊納米材料。這項技術為研發5nm芯片奠定了基礎。IBM表示，借助該項技術，芯片制造商可以在指甲蓋大小的芯片面積里，塞下將近300億個晶體管。要知道，高通不久前發布的采用10nm工藝的旗艦芯片驍龍835，也才不過集成了30億個晶體管。
5nm芯片將采用與7nm芯片相同的紫外線光刻技術。不過與現有技術相比，新一代工藝的光波能量將高出許多，同時還支持在制造過程中持續調節芯片的功耗和性能。
IBM表示，相比目前最先進的10nm芯片，5nm 原型芯片在額定功率下的性能可提升40%，或在同等性能下降低高達75%的能耗，而且成本更加低廉。
不過鑒于10nm工藝也才剛剛投入商用不久，7nm芯片則要等到2019年，5nm工藝仍然需要漫長的等待。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。