憑借在DRAM和NAND Flash的領先，三星在過去的一年里籍著存儲漲價和缺貨掙得盤滿缽滿，營收和利潤也累創新高。再加上OLED屏幕的近乎獨占市場，全權負責高通驍龍835的代工，三星的前景被無限看好。也將在今年將坐了20多年半導體龍頭位置的Intel拉下馬。但是這似乎滿足不了三星的野心。

日前在南韓首爾舉辦的三星晶圓代工論壇上，三星相關負責人表示：“今年的目標是到年底，將晶圓代工的市占率從第四名提升到第二名，超越聯電和格芯。未來則打算超越臺積電”。擁有遠大理想的三星能如愿以償嗎？

三星的底氣

晶圓代工產業是一個對技術和穩定性要求非常高的產業，同時是一個投入很高的產業。如果沒有利潤率不低，且數量龐大的產品支撐，運營一個晶圓廠是一個很艱難的任務。但三星發展的模式，讓他們解決了這些問題。

從涉足半導體產業一直到21世紀前幾年，三星和Intel都是IDM，自己家的晶圓廠只是生產自家的DRAM和Flash產品。但到了2004年中，看到市場的前景和發展需求的三星在器興12寸晶圓廠導入了VLSI生產線，踏出了擴展非記憶體版圖的第一步。再后來三星獲得了高通CDMA芯片訂單，這些90nm的產品對三星的代工業務是一個新的突破，也是三星積累高端技術的一個好開端。雙方也一直保持著緊密的合作關系，高通新一代的旗艦芯片驍龍835還是由三星獨家生產的。

緊接著，與蘋果的合作，將三星晶圓業務進一步突飛猛進。

一開始，蘋果iPhone是使用的三星芯片，但在2010年切入自研手機芯片以后，蘋果又將芯片的代工業務交由三星生產。兩者一起和解決了很多問題，這樣又讓三星的晶圓代工技術上了一臺階。

根據公開資料顯示，現在的三星晶圓代工共有三個廠區，在南韓器興（Giheung）的S1廠、在美國德州奧斯汀的S2廠、在南韓華城（Hwaseong）的S3廠。當中S3預定今年底啟用，將生產7、8、10納米制程晶圓。

明年導入全版極紫外光（EUV）微影技術后，晶圓良率與價格將會優于臺積電，營收表現也會超越競爭對手。他們計劃在2018 下半年先行量產7 納米制程，6 納米與5 納米制程隨后也將于2019 年上陣，如此將可提供三星客戶更多選擇。

再者，根據研調機構IC Insights的最新統計，2016年全球12吋晶圓廠產能，三星以22%市占率位居第一名，臺積電與海力士并列第三，市占率13%。這是三星能力的另一個體現。

還有一點就是，三星本身有很多終端的產品，這些都可以作為芯片的吸納渠道，也可以成為三星吸引客戶的籌碼。

再加上，三星認為中國大陸市場在電子錢包、無人機、電動車、自動駕駛汽車等供應鏈有很好的創新，這也將給他們帶來新的機會。所以他們成為除了格芯以外，另一個既支持先進制程，還提供物聯網及汽車電子的28納米FD-SOI制程的企業。

同時，據相關消息顯示，三星也將開放8英寸廠產能，配合本身的優勢提供65納米嵌入式快閃（eFlash）制程，以及70納米高壓制程，爭取大陸市場模擬IC、CMOS圖像感測器、LCD驅動IC等代工訂單。這些都是將會大爆發的市場。

所以即使三星現在的市占率只有7.9%，離臺積電的50.6%還有一段差距，但他成長快速。據IHS Market 數據統計顯示，2016 年三星晶圓代工營收為45.18 億美元，較2015 年大增78.6%。

三星還為了避免客戶的可能擔憂，將晶圓代工廠業務獨立運營，這讓他們有了更強的追趕潛力。

臺積電的實力

三星雖然發展不錯，但臺積電的實力也不容小覷。這個由張忠謀創建的晶圓代工廠多年來能夠雄霸純晶圓廠龍頭的位置，是有其原因的。

首先，臺積電的專利實力領先。

2015年IEEE Spectrum雜志發布的全球專利實力評鑒顯示，臺積電穩居制造類組第一名。這代表著他們在技術創新、專利布局和藍圖規劃方面領先同行。這一切都來源于其高額的研發投入。據臺灣電子時報網站的報道，2015年，全世界最大的半導體代工廠商臺積電的研發投入排名第一，投入資金為655億元新臺幣，相當于20億美元。臺積電研發開支占到了當年收入的7.8%。

從早幾年發生的額一件事，可以看出臺積電的領先。當時三星在20nm工藝上良率欠佳，但轉眼卻能在14nm上進步神速，并獲得客戶的認可，這主要是因為他們挖了臺積電的大將梁孟松。業界認為后者涉嫌將臺積電的技術機密泄露給三星，才使其發展大躍進。當時張忠謀也承認16nm被競爭對手反超。

但是對手的不擇手段，反而更能體現出臺積電的實力。憑借在防漏電和良率方面的經驗，臺積電在16nm上面征服了大客戶蘋果，將蘋果“流失”到三星的A系芯片代工業務重新全部攬到旗下?？蛻舻恼J可是臺積電技術的另一個重要印證。

眾所周知，Intel能夠稱霸半導體產業，與他們工廠的工藝實力密不可分的。他們在技術上面的領先也是公認的，在過去兩年，由于業務的調整，Intel也加入了代工“混戰”。但即使如此，臺積電還是能夠硬扛Intel的潛在沖擊。

據分析人士透露：“臺積電在7納米下的工夫非常深，這是由WJ（羅唯仁）帶的團隊做出來的”。他表示，晶圓代工制程相當復雜，臺積電的策略是，不像英特爾一次把微縮制程推到極限，而是在能維持高良率的條件下逐步推進，“從10nm到7nm，開發時程已經壓縮到1年多就推出一個世代”，他強調。

很多分析師認為，7nm會是繼28nm之后的又一個持續很久的甜蜜節點。這也是為何格芯直接跳過10nm，直接加大7nm研發的愿意。

而按照產業人士的說法，臺積電的10nm客戶不是很多，但是在7nm上已經了20多個客戶在投入了。他們將會在7nm上拉近和Intel的差距，重演28nm成功的經驗。

至于三星方面，產業人士表示，三星在7nm的良率遠不如臺積電。據去年的數據透露，三星的7nm良率只有六七成，但臺積電已經高達9成。按照分析人士的說法，三星的7nm似乎已經出局了。因為這個原因，據業界傳言，三星還把驍龍845的訂單拱手相讓臺積電。再加上蘋果A11的加持，臺積電進展順利。

但臺積電需要考慮的是，在獨家生產蘋果芯片后，蘋果的龐大產能和苛刻要求，是否會使得他們在海思、聯發科、AMD和英偉達的產能安排上有所欠缺，最后引致客戶丟失，投入競爭對手的名下，這也不是不可能的。

來自中國大陸的威脅

雖然中國大陸晶圓代工廠在技術實力無論是和三星比，還是臺積電比，在技術上面，都沒有優勢，甚至說是遠遠落后，但是龐大的市場，和政府支持的“自主可控”思維下，這相信會是三星需要重點考慮的問題。

這些年來，大陸最大的晶圓代工廠中芯國際發展迅速，業務飆升。再加上他們在全球不惜一切代價挖角，這讓他們在技術上面，能夠逐漸增強，提升在全球的競爭力。

中芯國際CEO趙海軍在上個月舉辦的中國半導體封測年會上表示，中芯國際28納米HKMG正在量產，他指出每一個節點需要再做細分小節點，往下7納米、5納米都要進行展開節點。他指出，目前中芯國際與客戶合作的超過35個平臺，光在28納米就要做7個細分的節點，多方的合作是提升他們實力的最好方法，也能夠增強他們在晶圓代工市場的影響力。

他認為，從客戶端，不希望出現代工壟斷局面。分散風險、降低成本，尋找更多的代工供應商，保持靈活性，使他們在終端競爭的另一個方面。同時在國內代工廠生產，中國設計公司取得成本優勢與供應保障。考慮到中國Fabless的龐大數量，這對三星的雄心壯志也勢必將會是一個打擊。

另外，在上文提到三星將要進入的多個代工領域，CIS有來自淮安德科碼的潛在威脅，電源產品是成都格芯關注的一個重點。就連FD-SOI，格芯也有跟三星競爭。最主要的是格芯的成都工廠，是一個受到國內備受關注的項目，這種合作成都，不是西安三星可比擬的。再考慮到近來國內對三星存儲的出擊。那就不排除國內的產品和企業將會傾向于借助格芯，打擊三星的晶圓代工業務，進一步提升中國半導體的影響力。

總結

根據SEMI的數據顯示，以三星為首的南韓今年將會首次成為最大的半導體設備市場，規模將會預計會高達129.7億美元，明年也將會持續攀升，相信這也是三星發出這個豪言的另一個出發點。但是，考慮到這些增長很大一部分是來自存儲的利好，再回想存儲在過去幾年發展的波動性，筆者會對三星的晶圓代工愿景有所看輕的。

早前有消息稱三星在7nm和8nm上面的封測技術有所欠缺。據稱，因為10 納米以下的芯片封裝不能采取傳統的加熱回焊（reflow），必須改用熱壓法（thermo compression），三星沒有熱壓法封裝的經驗，也缺乏設備，外包廠則有相關技術。有鑒于10 納米以下芯片生產在即，迫于時間壓力，可能會選擇外包。相關人士表示，要是三星決定外包，會提高生產成本，不利三星。

再加上現在晶圓級封裝趨勢日盛，而臺積電早前在A10芯片上亮相的Fan-out技術讓他們備受關注，這方面或許也會成為三星的掣肘。

因此對三星來說，晶圓代工龍頭的位置，還有很長的路要走。