近年來，隨著移動通信、物聯網、智能制造等領域的快速發展，存儲器產品的應用市場也隨之逐步開拓，市場需求越來越大。
在市場競爭格局方面，國內市場一直面臨著被三星、SK海力士、美光、東芝等國際存儲器巨頭所壟斷的局面，雖然國內政府與企業不斷加大對存儲器產品設計和制造領域的重視程度，但是由于國內技術的限制，國內存儲器的發展一直比較緩慢。
目前，存儲器市場最大的兩種產品種類是DRAM 和 NAND Flash。 DRAM 全球市場規模約 410 億美元，三星、SK海力士、美光、東芝等國際存儲器巨頭壟斷95%以上的市場。NAND Flash 受益于智能手機和 SSD 的興起而達到300 億美元左右，幾乎全部被三星、SK海力士、東芝、閃迪、美光等企業壟斷，市占率約為 99%。由于存儲器生產具備嚴格的工藝要求和規模效應，以及該行業典型的周期性，持續的資金投入是存儲器企業渡過虧損期的重要保證。
然而，國內存儲芯片市場規模近 2000 億元，占整個半導體市場規模的27%，晶圓產能和資本支出占比近 1/3，但是我國存儲器幾乎完全依賴進口供給，存儲器已經成為我國半導體產業受國外制約最嚴重的產品之一， 存儲器國產化也成為了我國半導體發展戰略中的重要一步。
對于國內市場發展的現狀，國內的集成電路企業也采取了一系列措施，如并購，合作與合資以及自主研發等，但對于并購，國外也相應的采取防堵措施，這條路似乎走不通，由于中國在存儲器方面起步較晚，目前一些中小型企業都采取合作與合資的做法，但是中國如何在這個過程中從學生轉變為老師是一個問題。從目前的態勢走自主研發道路的風險要更大些，因此要集中國內的最頂級人材，也可學習臺積電的“夜鶯部隊“方式，爭取更多的時間去努力攻克它，但是相信只有通過自主研發的成果才是屬于自己的。
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