美國加利福尼亞圣克拉拉，2017年9月20日 -- 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出面向下一代無線和物聯網芯片的射頻/模擬PDK（22FDX?-rfa）解決方案，以及面向5G、汽車雷達、WiGig、衛星通信以及無線回傳等新興高容量應用的毫米波PDK（22FDX?-mmWave）解決方案。

該兩種解決方案都基于格芯的22納米FD-SOI平臺，該平臺將高性能射頻、毫米波和高密度數字技術結合，為集成單芯片系統解決方案提供支持。該技術在低電流密度和高電流密度的應用中都可以實現最高特征頻率和最高振蕩頻率，適用于對性能和功耗都有超高要求的應用，例如LTE-A、窄帶物聯網與5G蜂窩收發器、GPS WiFi與WiGig集成芯片、以及各種采用集成eMRAM技術的物聯網和汽車雷達應用等。

“隨著客戶不斷推動智能互聯設備的領域，格芯也不斷推出差異化的FDX系列產品，助力客戶的創新，”格芯CMOS業務部門高級副總裁Gregg Bartlett 表示，“日新月異的主流移動和物聯網市場要求射頻和模擬技術不斷創新發展。格芯的22FDX-rfa整合了卓越的射頻和模擬功能，有助于開發兼具功耗、性能和成本優勢的差異化移動和物聯網產品。針對新興的毫米波市場，格芯的22FDX-mmWave技術可實現無與倫比的毫米波性能，為客戶交付差異化的相控陣波束成型以及其它擁有最低功耗、最高性能與集成度的毫米波系統解決方案。”

格芯優化了22FDX射頻與毫米波產品，從而能夠為諸如單片系統窄帶物聯網以及5G毫米波束成型相控陣系統等領先的連接應用提供高性能天線開關與功率放大器集成解決方案。

作為FinFET技術之外的選擇，22FDX-rfa不僅能夠整合這些前端模塊組件，而且與FinFET相比，還可以降低熱噪聲并達到相同的自增益放大效果，同時其自增益至少為體硅的兩倍。同時，射頻性能也更為出色，且FD-SOI技術本身所具有特征還進一步減少了30%的浸沒式光刻層。

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