加利福尼亞州圣克拉拉（2017年9月20日）——格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計劃推出全新12納米領先性能(12LP)的FinFET半導體制造工藝。該技術預計將提高當前代14納米 FinFET產品的密度和性能，同時滿足從人工智能、虛擬現實到高端智能手機、網絡基礎設施等最具計算密集型處理需求的應用。

這項全新的12LP技術與當前市場上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高了15%，性能提升超過10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠的12納米 FinFET產品競爭。這項技術利用了格芯在紐約薩拉托加縣Fab 8的專業技術，該工廠自2016年初以來，一直在大規模量產格芯的14納米 FinFET平臺。

“世界正在處于向智能互聯時代轉型之中，這是一個前所未有的趨勢。”格芯首席執行官桑杰·賈（Sanjay Jha）表示，“全新的12LP技術以更高的性能和密度幫助我們的客戶在系統層面上繼續創新，包括實時連接以及從高端圖像處理、汽車電子到工業應用等邊緣處理。”

“我們很高興能進一步拓展與格芯長期以來的合作關系，成為他們全新12LP技術的主要客戶，” AMD首席技術官及技術與工程高級副總裁Mark Papermaster表示，“2017年，得力于我們與格芯的深度合作，AMD使用14納米 FinFET技術將一系列領先的高性能產品推向市場。我們很高興能與格芯在全新12LP工藝技術上進行合作，這也是我們加速產品和技術發展的一部分?！?/p>

除了晶體管級的增強，12LP平臺還將包括專為業內增長最快的兩個領域——汽車電子和射頻/模擬應用而設計的面向市場的全新功能。

· 汽車安全和自動駕駛方面的新興汽車應用對于處理功耗和極致可靠性都有極高要求。12LP平臺兼具這兩種功能，并計劃于2017年第四季度在Fab 8進行汽車二級資格認證。

· 新射頻特性拓展了12LP平臺在6GHz以下無線網絡中的高級收發器等射頻/模擬應用。/ 12LP為以數字邏輯為主，射頻/模擬內容較少的射頻芯片架構提供最佳邏輯和內存微縮。

格芯的全新12納米 FinFET技術是現有12納米FD-SOI產品12FDXTM的補充。雖然有些應用要求FinFET晶體管的卓越性能，但許多連接設備需要高度的集成，以及更靈活的性能和功耗，而這是FinFET無法實現的。12FDX為下一代智能互聯系統提供了一種替代路徑，實現了10納米 FinFET的性能，且比當前代FinFET產品功耗更低，成本更低，射頻集成更優。