3月21日，SEMICON China 邀請上海華虹宏力半導體制造有限公司執行副總裁孔蔚然博士做了關于《以創新促發展—華虹宏力特色工藝之路》演講，孔博士對摩爾定律、華虹宏力特色工藝和技術路線做了詳細論述。

以下為全文紀要（聽錄，僅供投資者參考，具體以公司新聞稿為準）：

演講主要分為三個部分：1. 摩爾定律與特色工藝；2. 華虹宏力的特色工藝（Flash+高壓）；3. 華虹宏力8+12的技術路線

一、   摩爾定律與特色工藝

CPU芯片上的MOS晶體管數量不斷增加，符合摩爾定律發展，隨著晶體管尺寸不斷scaling，CPU核心的操作電壓也隨之不斷減小，但到了點13工藝后，電壓減小停滯，直至FinFet等新技術出現，才得以繼續減小。電壓不在縮小之后，應用端芯片便逐漸拉開距離，公司8寸技術偏向于電壓較高的analog等器件，而邏輯集成度非常高，且邏輯運算隨著先進制程節點一直前進，先進制程的出現會淘汰舊制程，但有些實際的應用也不需要太先進的制程技術，否則換算下來的芯片將小到無法封裝。

MOSFET是整個IC的核心，但缺乏突破性創新。下面就是一個MOSEFET的剖面圖，MOSFET是整個IC的核心，DRAM、3D NAND、Trench MOS、IGBT、FDSOI和FINFET均以MOS為核心器件，MOS問世60年以來，結構原理無本質變化，目前主要依靠光刻機精度減小、采用high K gate oxide和FinFet等技術進行工藝演進，半導體工藝仍缺乏突破性創新。

接下來孔博士介紹了公司的特色工藝，包含數字及存儲器類的Logic/Analog，Smart Card和MCU；模擬射頻類的BCD、RFCMOS和RF-SOI；分立功率類的Power MOS、IGBT和Deep Trench Super-Junction；傳感器類的MEMS等，所有的特色工藝基本都帶高壓MOS（>6V），正是由于這個高壓存在，導致Flash scaling較慢。

孔博士接著介紹Flash在嵌入式中的應用概況，傳統主流包括Floating Gate 2T（可以是NMOS或PMOS）；SONOS 2T；SONOS 1.5T主要是一家知名日本公司在做，是將兩個晶體管疊在一起，即實現了1.5T；Floating Gate SST Split Gate分為ESF1/2/3代；最后是公司自己發明的NORD Flash。新材料存儲方面，如RRAM、PCRAM和MRAM等公司目前還沒涉及，但公司一直保持關注。

下面是2018年IEDM會議上STM（意法半導體）公司發表的paper截圖，他們發明了垂直的1.5T eSTM技術，實現了尺寸進一步縮小。

二、華虹宏力的特色工藝（Flash+高壓）

下面是公司特有的技術專利，即將三個晶體管變為一個Floating Gate來實現。電路模型如圖中右上方所示，包含一個channel，3個gate，現有的model不支持新的器件結構，不得不采用右下方錯誤的結構進行數值近似模擬。

公司結構上創新的閃存單元面積優勢明顯。Flash cell size上領先于NonSelfAligned和SelfAligned單元，在55nm節點下，公司新閃存單元尺寸僅為0.04um2左右。

在平衡閃存單元面積和性能下，公司Focused on Flash_2 cell，同時在IEEE上發表了這些工作，并申請了相關專利。

下圖是1.5V單電源下，閃存cell越小，IP核面積不斷縮小，512KB中縮小更為明顯，Flash IP面積不斷優化。

公司另一個創新工作是不斷降低制造成本。公司由07年的38層光罩逐漸減少到18年的24層（1.5V+5V+Flash），達到業界領先水平，同時公司認識到光罩層次還未到極限，未來公司會推出極限水平的光罩層次，不斷降低制造成本。

總之，公司E-Flash技術發展策略包括以下5點：（1）Device scaling：利用自對準工藝，減少依賴先進光刻；（2）Data Retention：保持90A oxide（可耐受300℃高溫烘烤）；（3）Endurance：不依賴于ECC；（4）持續簡化制程，簡化光刻層數；（5）持續尋找新器件結構。

高壓器件方面公司銷量最好的產品之一便是Super Junction MOSFET。但是高壓drain是靠epitaxial，將N-Type與P-Type全耗盡后形成的介質層耐高壓。為了精準控制，業界通常使用multi-epitaxial，性能好但是成本很高，而公司是直接進行etch，產品的profile十分美觀，排列的將越來越緊。當導通電阻下降一倍，die size也將下降1倍，成本降低。公司產品導通電阻僅0.7平方歐姆，創造了新的記錄。

公司最近的新突破是7V Analog,0.35微米5V/7V模擬平臺累計出貨50萬片，并且公司也不斷提升其穩定性。

BCD技術競爭激烈，目前公司發展到90nm,緊跟業界的先進水平，公司也會將此推向12寸晶圓制造。

公司最新一代RF-SOI也處于業界高水平，并將緊隨市場導向將RF-Switch和LNA進行集成，技術不斷推進下，未來甚至可能將PA進行集成。

公司通過多年的實踐，大力發展差異化技術不斷創新，營收不斷增長，2018年總營收接近10億美金。

公司的發展離不開研發的支撐，到2018年公司授權專利累計超過3000件。

下圖是“8+12”的技術路線圖，公司有完整的特色工藝平臺，以此為基礎將繼續延伸到12寸來解決產能問題并提供更廣闊的技術發展空間，未來將推出更多具有競爭力的差異化技術?？撞┦吭谧詈髲娬{，目前8寸晶圓仍然具有較大市場需求以及發展空間。