CEA-Leti和CEA-IRIG聯合開發了第一個在CMOS芯片上帶有量子點的量子集成電路，該芯片采用28nm FD-SOI工藝制造，集成了模擬和數字功能（多路復用器，緩沖器，信號放大器，振蕩器，電平轉換器等）。
這項研究還證明了CEA-Leti在FD-SOI技術中的低溫儀器方面的專有技術，還可以用于其他非硅量子設備，例如超導量子位。該論文的主要作者Lo?ckLe Guevel解釋說，量子集成電路是一種概念驗證電路，它將微電子基準測試和量子點結合在一起，并在有限的功率預算內在低于開爾文的溫度下工作。
量子硅器件使用了設計先進電路所需的所有元素，并且通過FD-SOI實現電路設計人員可以使用經典電子技術在IP模塊中嵌入式qubit陣列，以構建定制的大規模量子硅處理器。
這項研究還證明了CEA-Leti在FD-SOI技術中的低溫儀器方面的專有技術，還可以用于其他非硅量子設備，例如超導量子位。該論文的主要作者Lo?ckLe Guevel解釋說，量子集成電路是一種概念驗證電路，它將微電子基準測試和量子點結合在一起，并在有限的功率預算內在低于開爾文的溫度下工作。
量子硅器件使用了設計先進電路所需的所有元素，并且通過FD-SOI實現電路設計人員可以使用經典電子技術在IP模塊中嵌入式qubit陣列，以構建定制的大規模量子硅處理器。
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