IGZO顯示屏技術：IGZO(indium gallium zinc oxide)為銦鎵鋅氧化物的縮寫，非晶IGZO材料是用于新一代薄膜晶體管技術中的溝道層材料,是金屬氧化物(Oxide)面板技術的一種。IGZO材料由日本東京工業大學細野秀雄最先提出在TFT行業中應用。
說到“IGZO TFT”大家可能是一頭霧水，容易和IPS、AMOLED等面板種類產生混淆。實際上，IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)為氧化銦鎵鋅的縮寫，它是一種薄膜電晶體技術，是指在TFT-LCD主動層之上，打上一層金屬氧化物。因而和液晶分子的排列方式沒有什么關系(與IPS、PVA等不是一個概念范疇)，而是一項基于TFT驅動的改進技術，夏普使用它來提高自己在中小尺寸液晶面板上的競爭力。換而言之，即使是IPS液晶面板也可以同時采用IGZO TFT技術，兩者之間并不矛盾。
TFT(Thin Film Transistor)是指薄膜場效應晶體管，TFT液晶屏幕就是指液晶面板上的每一液晶象素點都是由集成在其后的薄膜晶體管來驅動，也就是曾經在手機領域上經常聽到的“TFT屏幕”。常見的TFT驅動分類主要有a-Si TFT(非晶硅)、LTPS TFT(低溫多晶硅)，IGZO TFT也屬于這一范疇。所以說到底，夏普這次所提出的IGZO面板，仍然是一種TFT液晶屏幕，其實IGZO TFT技術也可以使用在OLED面板上，在這里就不多說了。
薄膜場效應晶體管
利用IGZO技術可以使顯示屏功耗接近OLED，但成本更低，厚度也只比OLED只高出25%，且分辨率可以達到全高清(full HD)乃至超高清(Ultra Definition，分辨率4k*2k)級別程度。
IGZO是一種含有銦、鎵和鋅的非晶氧化物，載流子遷移率是非晶硅的20~30倍，可以大大提高TFT對像素電極的充放電速率，提高像素的響應速度，實現更快的刷新率，同時更快的響應也大大提高了像素的行掃描速率，使得超高分辨率在TFT-LCD中成為可能。另外，由于晶體管數量減少和提高了每個像素的透光率，IGZO顯示器具有更高的能效水平，而且效率更高。
IGZO可以利用現有的非晶硅生產線生產，只需稍加改動，因此在成本方面比低溫多晶硅更有競爭力。這種具有成本競爭力的高端顯示器將在夏普的第8代工廠生產，已經投產。該工廠位于日本龜山市。
薄化行業的小伙伴，經常有聽到LTPS、IGZO、OLED等英文縮寫名詞。但究竟他們是什么意思?他們之間有什么區別呢?小編今天通過一些圖文介紹和一段視頻對這些知識點進行了簡要的總結，希望對大家能有所幫助。
低溫多晶硅(LowTemperature Poly-silicon;簡稱LTPS)是新一代薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)的制造流程，與傳統非晶硅顯示器最大差異在于LTPS 反應速度較快，且有高亮度、高分辨率與低耗電量等優點。
TFT-LCD分為多晶硅與非晶硅兩種技術，目前主流TFT-LCD以非晶硅(a-Si) 為主，相關技術較為成熟。LTPS技術就是應用在平面顯示器制造上的多晶硅成膜技術。
LTPS在封裝過程中，利用準分子雷射作為熱源，雷射光經過投射系統后，產生能量均勻分布的激光束，投射于非晶硅結構的玻璃基板上，當非晶硅結構玻璃基板吸收準分子雷射的能量后，會轉變成為多晶硅結構，整個處理過程都是在600℃以下完成，因此一般玻璃基板皆可適用。
而LTPS由于晶體管載子移動率高出非晶硅技術一百倍以上，顯示器具備高亮度與高分辨率特色，可呈現較佳的畫面質量。若使用在筆記本電腦上，LTPS面板的耗電量較少，可省下不少電力。
氧化銦鎵鋅(英語：indium gallium zinc oxide，縮寫：IGZO)是一種LCD薄膜晶體管顯示器技術，IGZO技術由東京工業大學教授細野秀雄與日本科學技術振興機構(JST)共同開發[1]。IGZO技術可提高面板分辨率同時又降低成本，但IGZO面板對光、水以及氧都相當敏感，耐用度上只能用做民間消費品，不能用于高可靠度的軍用或工業環境。IGZO與非晶硅相比能夠縮小晶體管尺寸，提高液晶面板畫素的開口率，較易實現分辨率高出一倍，電子遷移率快十倍。成為OLED技術最大對手。
有機發光二極管(英文：Organic Light-EmittingDiode，縮寫：OLED)又稱有機電激發光顯示(英文：Organic ElectroluminescenceDisplay，縮寫：OLED)、有機發光半導體，與薄膜晶體管液晶顯示器為不同類型的產品，前者具有自發光性、廣視角、高對比度、低耗電、高反應速率、全彩化及制程簡單等優點，有機發光二極管顯示器可分單色、多彩及全彩等種類，而其中以全彩制作技術最為困難，有機發光二極管顯示器依驅動方式的不同又可分為被動式(Passive Matrix，PMOLED)與主動式AMOLED。