2019年Intel超越三星，奪回了全球半導體市場的一哥地位，過去27年以來Intel在這個榜單上把持了25年之久。再下一步，Intel還要在半導體技術上追上來，其7nm工藝晶體管密度就接近臺積電3nm工藝了，5nm節點反超幾乎是板上釘釘了。

    在半導體工藝節點的命名上，臺積電、三星兩家從16／14nm節點就有點跑偏了，沒有嚴格按照ITRS協會的定義來走了，將節點命名變成了兒戲，Intel在這點上倒是很老實，所以吃虧不少，實際上他們的10nm節點晶體管密度就有1億／mm2，比三星、臺積電的7nm還要高一點。

    在10nm走上正軌之后，Intel宣布他們的半導體工藝發展將回到2年一個周期的路線上來，2021年就會量產7nm工藝，首發高性能的Xe架構GPU，2022年會擴展到更多的CPU等產品中。

    臺積電上周正式公布了3nm工藝的細節，該工藝晶體管密度達到了2．5億／mm2，預計在2021年進入風險試產階段，2022年下半年量產。

    那Intel 7nm及以下工藝的水平如何呢？現在還沒公布官方細節，不過Intel從22nm工藝到14nm是2．4x縮放，14nm到10nm是2．7x縮放，都超過了摩爾定律的2x工藝縮放水平。

    Intel CEO司睿博之前提到過7nm工藝會會到正常縮放，那至少是2x到2．4x縮放，意味著7nm工藝的晶體管密度將達到2億／mm2到2．4億／mm2之間。

    這樣看來，如果是2．4億／mm2的水平，那Intel的7nm工藝就能達到臺積電3nm工藝的水平，保守一點2億／mm2的話，那也非常接近了。

    別忘了，7nm之后Intel還會進入5nm節點，時間點會在2023年，按照Intel的水平，至少也是2x縮放，那晶體管密度至少會達到4億／mm2，遠遠超過臺積電的3nm工藝水平，臺積電的2nm工藝在2023年之前應該沒戲的。

    目前的計算還是理論性的，但是只要Intel的工藝路線重回正軌，先進工藝上追回來并不讓人意外，臺積電、三星并不能小覷半導體一哥的技術實力。