什么是氮化鎵?它有什么作用?氮化鎵一直是永不落伍的熱點話題，只是因為它與我們的生活息息相關，那是因為我們的日常更是離不開半導體技術，比如說：電器、手機、電腦以及各種電子設備等都需要半導體來實現，由此更能看出，半導體材料的未來前景更是一片光明，目前最新的半導體材料還是GaN，本文帶各位了解2020年的氮化鎵(GaN)又會有著怎樣的機遇?
簡述GaN概念：
氮化鎵，化學式GaN，最直白的解釋就是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下，產生紫光(405nm)激光。
GaN的分類以及應用：
GaN器件可大致分為功率器件和射頻器件兩類。在細分下去功率器件方面可以應用到無線充電件、電源開關、LiDAR、逆變器這幾個領域;同樣射頻器件可以應用到基站、衛星、雷達這三方面的領域中。
GaN又有何優缺點?
①禁帶寬度大(3.4eV)，熱導率高(1.3W/cm-K)，則工作溫度高，擊穿電壓高，抗輻射能力強;
②導帶底在Γ點，而且與導帶的其他能谷之間能量差大，則不易產生谷間散射，從而能得到很高的強場漂移速度(電子漂移速度不易飽和);
③GaN易與AlN、InN等構成混晶，能制成各種異質結構，已經得到了低溫下遷移率達到105cm2/Vs的2-DEG(因為2-DEG面密度較高，有效地屏蔽了光學聲子散射、電離雜質散射和壓電散射等因素);
④晶格對稱性比較低(為六方纖鋅礦結構或四方亞穩的閃鋅礦結構)，具有很強的壓電性(非中心對稱所致)和鐵電性(沿六方c軸自發極化)：在異質結界面附近產生很強的壓電極化(極化電場達2MV/cm)和自發極化(極化電場達3MV/cm)，感生出極高密度的界面電荷，強烈調制了異質結的能帶結構，加強了對2-DEG的二維空間限制，從而提高了2-DEG的面密度(在AlGaN/GaN異質結中可達到1013/cm2，這比AlGaAs/GaAs異質結中的高一個數量級)，這對器件工作很有意義。
總之，從整體來看，GaN的優點彌補了其缺點，特別是通過異質結的作用，其有效輸運性能并不亞于GaAs，而制作微波功率器件的效果(微波輸出功率密度上)還往往要遠優于現有的一切半導體材料。
未來GaN又該如何發展?
氮化鎵是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，在光電子、激光器、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。
氮化鎵材料的發展有何難題?
一是如何獲得高質量、大尺寸的GaN籽晶，因為直接采用氨熱方法培育一個兩英寸的籽晶需要幾年時間
二是氮化鎵產業鏈尚未完全形成。
總結：
隨著國家對第三代半導體材料的重視，近年來，我國半導體材料市場發展迅速。以氮化鎵為主的材料更是備受關注。盡管如此，但產業難題仍待解決，如我國材料的制造工藝和質量并未達到世界頂級，材料制造設備依賴于進口嚴重，氮化鎵材料和器件方面產業鏈尚未形成等，這些問題需逐步解決，方可讓國產半導體材料屹立于世界頂尖行列。以上就是氮化鎵的解析，希望能給大家幫助。