近期任正非帶隊訪問南京、上海的幾所大學，加上業內傳聞華為招聘光刻機工程師，及挖角半導體設備廠的人材等引起業內議論。

　　有人傳華為將借助上海在芯片制造領域的科技力量，自研自產芯片，實現芯片自主，打破美國的卡脖子式制裁。

　　從邏輯上華為此舉是被逼出來的，也是可以理解與支持。

　　縱觀國內半導體業的現狀，實際上的形勢是十分嚴峻。最壞的時刻可能還沒到來。在美國的無底線打壓下，如華為海思，它是國內最大的fabless，2019年銷售額約800億元，是中國唯一能進fabless全球前十的公司。但是到9月時，臺積電將斷供，導致它的大部分先進工藝制程芯片，已無地可以加工，連中芯國際，原本認為它至少可以幫海思少許忙，如今它也是只能望洋興嘆。加上中芯國際的EUV設備受阻，未來它的先進工藝制程可能在7納米止步。

　　這么優秀的海思能在中國土地上崛起已是十分不易。如今在美515新的打壓策略下它的自研芯片之路可能受阻，顯然直接影響海思的先進性與實現差異化。

　　全球化之路如何走下去

　　魏少軍博士曾講過半導體業是最徹底全球化的產業，它的產業鏈長，技術要求高，必須走全球化共同協作的道路。

　　國內傳的一個故事，西方有人言，“給中國整套圖紙，光刻機也未必能造出來”，實際上它的潛臺詞是在瓦圣納條約控制下，西方控制關鍵部件的出口，中國都欲自主國產化，那是不可能的。

　　因此對于中國半導體業發展，雖然應該堅持走全球化道路，但是現實的殘酷，現時的美國釆用逆全球化的策略，不再講自由的公平競爭，而是用它的所謂“國家安全”來掩蓋一切。

　　面對如此的嚴峻態勢，中國半導體業不能坐等全球化時代到來時再發展，那是肯定不可取的。所以最理性的策略是首先自強，只有增強自身的競爭力，才是最有意義。

　　迅速自強之路

　　中國半導體業的底子薄弱，要做的事太多，但是以下四個大類可能是最急需要集中優勢兵力去突破，它們分別是：

　　1），先進邏輯工藝制程，14納米及以下

　　2），DRAM及3D NAND量產

　　3），EDA工具

　　4），半導體設備及材料

　　以上四類都是需要迅速攻克的項目，但是必須分開輕重緩急，其中先進邏輯工藝制程與DRAM，3D NAND是排在前列，它們需要量產及市場份額，是馬上需要解決的事，而后兩項，EDA工具及半導體設備與材料是更難啃的“骨頭”，需要從長計議，但又必須馬上啟動。它們可能需要更長的周期。

　　中國半導體業發展無法跨越，以上四類是“攔路虎”，但又是“必修課”。希望能在全球化下實現突破，但是在目前階段中國半導體業必須首先介入，去探索，只有中國半導體業逐漸強大，全球化才會真正到來。

　　迅速自強之路如何走下去，主要有如下兩個方面：

　　有計劃性，充分體現社會主義體制下能夠集中優勢兵力打殲滅戰；

　　選擇領軍企業。

　　這樣特定的時期中國半導體業發展承擔的責任是偉大的，是史無前例。因此必須慎之又慎。既要充滿必勝的信心，又要踏實與謹慎。因此選擇領軍企業十分重要。

　　華為是其中之一，眾望所歸，它的創新能力強，有宏偉目標，堅持實事求是，滿足客戶需求，是個韭常優秀的企業，由于產業鏈長，任務太繁重。可能需要選擇多家企業來共同承擔。

　　建國產設備主導的芯片生產線

　　業內討論過此動議，結果不詳，在此再次建議馬上啟動興建國產設備為主導的芯片生產線，8英寸與12英寸各一。

　　在此提出兩條理由：1），極端時刻到來，作為應急措施；2），半導體設備與材料的測試與試錯基地，唯有通過在生產線的量產考驗，才能真正推動半導體設備與材料的國產化進程。

　　為什么要分別建兩條，相對而言8英寸的半導體設備生產線的基礎尚好，設備的國產化支持程度高，而12英寸設備的難度很大，盡管從現在觀察可能性不是很大，但它是個方向，必須先易后難逐步積累經驗。

　　在半導體設備方面特別推崇青島芯恩張汝京的二手設備翻新方法，它從國外聘請高手，并培養國內年輕的設備維修人材，這樣未來設備的維護完全掌握在國人手中，是個能創造半導體設備自主開發的有效方法之一。

　　半導體設備與材料的國產化進程至少需要十年以上的努力才能見效，因此興建國產設備為主導的芯片生產線是一個良好的契機，要充分予以重視并支持它。