據群眾新聞網報道，目前，總投資80億美元的三星高端存儲芯片二期第二階段項目正在穩步推進，預計2021年年中建成投產。
據三星（中國）半導體有限公司副總裁池賢基介紹，三星（中國）半導體有限公司一季度進出口額為278.67億元，相較去年同期增加45%，二期項目第一階段預計在今年第三季度實現滿產。
資料顯示，三星（中國）半導體有限公司成立于2012年，公司位于西安高新綜合保稅區。落地西安以后，三星電子先期投資105億美元建成三星（中國）半導體有限公司高端閃存芯片項目一期及封裝測試中心。項目一期于2014年5月竣工投產，截至目前運行順利。
2017年8月，三星電子與陜西省、西安市及高新區政府簽署了投資合作協議，建設三星（中國）半導體有限公司閃存芯片二期項目。
據悉，三星高端存儲芯片二期第一階段項目投資約70億美元，今年3月，二期項目第一階段項目產品正式下線上市。
2019年12月，三星高端存儲芯片二期第二階段項目正式啟動，總投資80億美元。
作為改革開放以來我國電子信息行業最大的外資項目，三星（中國）半導體有限公司生產的主要產品為3D V-Nand閃存芯片。
池賢基表示，三星項目的啟動，帶動100多個相關配套企業進駐西安高新區，西安高新區形成了規模過千億元的半導體產業集群，并將進一步躍升為世界具有競爭力的電子信息產業基地。
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