運行速度最高100MHz，將Arm TrustZone技術與瑞薩電子增強型安全加密引擎相結合，可擴展存儲并實現低功耗

2020 年 12 月 9 日，全球半導體解決方案供應商瑞薩電子集團（TSE：6723）今日宣布，推出全新32位RA4M3微控制器（MCU）產品群，擴展其RA4 MCU產品家族。RA4M3 MCU采用基于Armv8－M架構的Arm? Cortex?－M33內核，將運行速度提升至100MHz。RA4M3產品群擁有高性能、Arm TrustZone?技術、瑞薩安全加密引擎以及可擴展存儲，便于開發安全可靠的物聯網（IoT）邊緣設備，適用于低功耗應用，如安全、計量、工業和暖通空調等。

瑞薩電子物聯網及基礎設施事業本部高級副總裁Roger Wendelken表示：“自今年10月我們推出RA6M4 MCU產品群以來，我對于瑞薩RA產品家族的迅速擴展感到十分高興。RA6M4的目標應用要求高性能和高安全性，而RA4M3產品群很好地平衡了性能與功耗，同時具備同等水準的安全功能。此外，根據工業與物聯網應用不斷創新的需求，客戶可以靈活地擴展存儲空間?！?/p>

RA4M3產品群專為兼顧高性能、強大的安全性和更大存儲空間的低功耗IoT應用而設計。新款MCU將TrustZone技術與瑞薩增強型安全加密引擎相結合，使客戶能夠在各種IoT設計中實現安全芯片的功能。安全加密引擎包含多個對稱和非對稱加密加速器、高級密鑰管理、安全的產品生命周期管理、抵抗功耗分析攻擊和篡改檢測功能。

在閃存中運行CoreMark算法時，RA4M3 MCU的功耗低至119μA／MHz，在待機模式下功耗低至1．6mA，待機喚醒時間為30μs，這對于長時間在戶外運行的IoT應用至關重要。對于內存密集型應用，設計人員可將Quad－SPI和SD卡接口與MCU的片內存儲器相結合以增加存儲容量。后臺運行和閃存塊交換（Flash Bank SWAP）功能非常適合在后臺運行內存優化的固件更新程序。具有奇偶校驗／ECC功能的大容量片內RAM也使RA4M3 MCU成為注重安全的應用的理想選擇。RA4M3 MCU還具備多種集成功能以降低BOM成本，包括電容式觸摸感應、高達1MB的片內閃存，以及模擬、通信和連接存儲器的外圍設備。

（Renesas供圖）

RA4M3產品群關鍵特性

基于40nm工藝，100MHz運行，采用Arm Cortex－M33內核及TrustZone技術

片內集成1MB閃存、128KB RAM、8KB數據閃存和1KB待機SRAM

低功耗，在運行模式下電流為119μA／MHz，待機時電流為1．6mA，喚醒時間30μs

閃存后臺運行及閃存塊交換功能

電容式觸摸感應單元

多種接口，包括Quad－SPI和SDHI接口、SSI、全速USB2．0、SCI和SPI／I2C

LQFP封裝，涵蓋64引腳到144引腳（也將提供LGA和BGA封裝）

使用靈活配置軟件包（FSP）的RA4M3產品群使客戶可以復用其原有代碼，并與Arm生態系統和RA生態系統合作伙伴的軟件相結合，從而加速復雜連接功能和安全功能的開發。FSP包含FreeRTOS與中間件，為開發人員提供了設備連接到云端的優選功能，也可以用其他任何RTOS或中間件輕松替換和擴展這些開箱即用的功能。

FSP為使用RA4M3 MCU的開發項目提供了一系列高效的工具。e2 studio集成開發環境提供的開發平臺，可以支持項目創建管理、選擇與配置模塊、代碼開發、代碼生成及調試等所有關鍵開發步驟。FSP通過GUI工具來簡化開發流程并顯著加速開發進程。