在電磁波理論和技術的發展過程中，超材料和超表面在學術界受到了很多重視。而隨著半導體技術的不斷發展，在學術界熱門已久的超材料和超表面技術找到了和半導體技術結合的一些重要應用，從而可望能將研究轉化成實際產品，從這也將成為半導體行業的一個新機會，從而改變一些重要器件的設計范式。

　　什么是超表面技術

　　在傳統的理論中，小于波長的器件對于電磁波的傳播產生的影響有限。因此在傳統的電磁波和光學設計中，器件往往是和電磁波的波長接近（例如天線）或者大于波長（例如光學設計中的透鏡）。

　　而超材料（以及超表面）的理論和設計則直接超越了傳統的電磁波設計智慧。確實，單個小于電磁波波長尺度的器件對于電磁波傳播能做的很有限，但是如果把大量小于電磁波波長的器件按照一定規律排布起來，則可以以較小的尺寸實現傳統電磁波器件的同樣功能，甚至實現傳統電磁波設計無法實現的特性。所謂超材料，就是指使用大量亞波長尺寸元件按照一定規律排布實現特定電磁特性的設計方法，其中包括把這些亞波長器件按照特定規律在一維，二維或三維空間中排布；而超表面則是超材料中的一種特例，特指把這些亞波長尺寸器件在二維空間中排布實現特定的電磁特性。

　　超表面技術和半導體技術結合的動力則來源于應用和半導體技術的發展。首先，在超表面設計中，需要實現亞波長尺寸的器件，因此需要能實現精細尺寸的器件。例如，在光學應用中，通常感興趣的光波長在500nm左右，為了實現亞波長尺寸的器件通常需要工藝能完成100nm以下的精度，而目前來看半導體技術是能實現這類精度的最佳技術。此外，還有來自應用的推動，例如隨著無線技術的發展，感興趣的無線頻段的頻率越來越高，因此波長也越來越小，隨著太赫茲技術（>300GHz頻段）應用逐漸進入人們的視野，使用半導體技術來實現針對太赫茲頻段的超表面陣列也成為了一個超表面很有前景的方向。

　　半導體超表面光學技術

　　超表面光學技術主要使用超表面的設計方法來替代傳統的光學設計，或者來實現傳統光學設計無法實現的一些新功能。

　　在替代傳統光學設計方面，超表面光學技術的一個重要應用在于微型透鏡設計。在傳統的基于折射透鏡的光學設計中，可見光透鏡的尺寸難以做小，因此對于未來一些對于尺寸和重量都有要求的應用（如下一代智能手機和ARVR設備）新的尺寸更小重量更輕的透鏡正在得到越來越多的重視，而超表面技術則能很好地滿足這一需求。超表面透鏡通過在硅或者玻璃晶元上使用半導體光刻技術來實現大規模亞波長尺度器件陣列可以大大縮小透鏡的尺寸，并提升透鏡的各項參數（例如透光效率等）。例如，超表面研究領域的領軍人物，哈佛大學教授Federico Capasso就提出了一種使用成熟的DUV技術實現的大規模超表面透鏡，可以在平面玻璃晶圓上實現傳統需要凸透鏡才能實現的功能，從而大大減小光學設計所需要的尺寸，厚度和重量。

　　除了輕薄透鏡之外，超表面透鏡還能實現傳統光學設計難以實現的功能。例如，通過超表面設計控制入射光的偏振特性，可以很容易就實現偏振光成像。另外，超表面還可以很方便地實現高性能光頻率的選擇特性，因此通過超表面透鏡陣列可以實現微型光頻譜儀等。這些傳統透鏡無法實現的特性可能會在下一代機器視覺應用中有重要應用，例如通過偏振成像可以幫助輔助駕駛在雨雪天氣完成高質量路面視覺檢測，而頻譜儀則可以用來分析產品質量，化學成分等等。

　　超表面光學設計的另一個重要革新點在于可以實現半導體光學。在傳統的圖像傳感器模組設計中，通常圖像傳感器芯片和光學透鏡設計在完全不同的工藝和設計流程中實現，然后再完成組裝的過程。由于使用了完全不同的工藝，因此組裝過程成本較高。而使用超表面光學之后，圖像傳感器和透鏡設計都可以在半導體工藝實現，而兩者也可以方便得使用成熟的半導體封裝技術以很低的成本和很高的良率封裝到一起。因此，我們認為，超表面光學設計可能會給圖像傳感器模組的設計帶來革命性的改變。

　　半導體超表面太赫茲技術

　　除了光學設計之外，超表面在無線應用，尤其是毫米波和太赫茲波段的應用中也非常有前景。

　　隨著無線波段頻率的升高，電磁波在傳播過程中的衰減通常都會變大，而同時在電磁波發射和接收過程中的能量損失也會變大。因此，在無線應用頻率升高的同時，一個重要的技術變化是對于這些使用非常高頻率電磁波的應用都會需要對電磁波波束做更多處理，例如提高波束的空間方向性以確保電磁波的能量都集中在特定的方向（例如對準接收機的空間方位）。

　　毫米波和太赫茲技術對于波束的越來越復雜的處理也使得超表面有了可用武之地。通過特定的亞波長尺寸元件陣列設計，超表面可以實現復雜樣式的波束成形，包括電磁波的幅度和相位的精確分布控制。更重要的是，使用CMOS技術實現的超表面可以集成晶體管，從而可以使用晶體管來動態控制超表面器件陣列的開關并實時控制超表面的波束成形特性。

　　超表面用于無線技術方向的一個重要研究是普林斯頓大學Kaushik Sengupta研究組于上個月發表在《自然·電子學》雜志上的論文，該論文中使用65nm標準CMOS工藝實現了一個用于太赫茲頻段的超表面芯片，該芯片可以精確實現太赫茲頻段的波束控制，并且在超表面中集成了CMOS開關，從而可以動態控制超表面的特性。

　　半導體超表面帶來的范式轉換和中國的機會

　　半導體超表面技術在光學和無線通信領域都帶來了全新的范式轉換機會：電磁設計正在從傳統的經典宏觀器件設計走向由微型器件陣列實現的超表面。在這個過程中，超表面可以實現電磁設計的小型化，并能實現一些傳統設計無法完成的特性，包括電磁特性的動態控制等等。通過使用半導體超表面設計，電磁設計的自由度大大上升，同時如何能設計出高性能的超表面也成了一件更加有技術含量的工作。

　　對于中國來說，半導體超表面技術將是一個巨大的機會。一方面，半導體超表面技術可以使用傳統半導體工藝（如65nm）實現，因此中國在這個領域并沒有卡脖子的問題。另一方面，中國在超材料和超表面領域的研究已經有不錯的積累，而在光學技術和無線技術等半導體超表面的應用領域也有足夠完整的產業鏈，如果能在目前階段更加重視超表面以及半導體的結合，未來可望能成為該領域在全球的領跑者。

　編輯觀點：半導體超表面技術好似給中國在半導體領域提供了彎道超車的可能。在光學技術、無線技術、傳統半導體工藝方面中國還未被卡脖子，確實有機會使中國在未來成為該領域的全球領跑者。但是該項技術是否能替代先進工藝制程？是否能解決我國在先進工藝制程技術上被卡脖子的問題？