2021年開年，資本市場依然是國內半導體市場最重要的話題之一，上周，CPU廠商海光信息、IGBT廠商比亞迪半導體、FPGA廠商安路科技、EDA廠商概倫電子、芯片測試廠商偉測半導體等均披露了IPO輔導進展，而這周，又有一批集成電路企業的科創板上市進展被披露。

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　　普冉半導體成功闖關

　　1月26日，科創板上市委2021年第10次審議會議結果顯示，普冉半導體（上海）股份有限公司（下稱“普冉半導體”）（首發）符合發行條件、上市條件和信息披露要求。這意味著，存儲器芯片廠商普冉半導體成功闖關科創板，即將登陸資本市場的舞臺。

　　資料顯示，普冉半導體成立于2016年，主營業務是非易失性存儲器芯片的設計與銷售，主要產品包括NOR Flash和EEPROM兩大類非易失性存儲器芯片，這兩大類芯片可廣泛應用于手機、計算機、網絡通信、家電、工業控制、汽車電子、可穿戴設備和物聯網等領域。

　　據悉，在NOR Flash業務方面，普冉半導體已經和匯頂科技、恒玄科技、杰理科技、中科藍訊等主控原廠，深天馬、合力泰、華星光電等手機屏幕廠商建立了穩定的業務合作關系，產品應用于三星、OPPO、vivo、華為、小米、聯想、惠普等品牌廠商。

　　在EEPROM業務方面，普冉半導體已經和舜宇、歐菲光、丘鈦、信利、合力泰、三星電機、三贏興、盛泰等行業內領先的手機攝像頭模組廠商以及聞泰科技、華勤通訊、龍旗科技等ODM廠商形成了穩定的合作關系，產品廣泛應用于OPPO、vivo、華為、小米、美的等知名廠商的終端產品中。

　　本次普冉半導體科創板上市擬募資3.45億元，扣除發行費用后將主要用于閃存芯片升級研發及產業化項目、EEPROM芯片升級研發及產業化項目、總部基地及前沿技術研發項目三大項目的建設。

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　　東微半導體確定科創板

　　1月25日，江蘇證監局披露了蘇州東微半導體股份有限公司（下稱“東微半導體”）的輔導中期備案報告，報告顯示，東微半導體的輔導備案日期為2020年12月18日，公司自此進入首次公開發行股票并在科創板上市的輔導期，輔導機構為中金公司。

　　資料顯示，東微半導體成立于2008年，是一家國產功率半導體廠商，在作為半導體核心技術的器件領域有深厚的技術積累，專注半導體器件技術創新，擁有多項半導體器件核心專利。其產品包括高壓GreenMOS系列、中低壓SGTMOS系列以及IGBT，應用領域涵蓋快速充電器、充電樁應用、開關電源、直流電機驅動、光伏逆變器等。

　　2016年東微半導體自主研發的新能源汽車直流大功率充電樁用核心芯片成功量產，打破國外廠商壟斷。作為國內高性能功率半導體領域的重要廠商，東微半導體不僅獲得了華為的青睞，同時大基金和中芯國際亦通過旗下上海聚源聚芯間接投資了該公司。

　　2020年7月，東微半導體獲得華為旗下投資機構哈勃科技投資入股，企查查信息顯示，目前，哈勃科技持有東微半導體7%的股份，是該公司第六大股東。而上海聚源聚芯早在2017年便已入股東微半導體，目前是第四大股東，持股10.5682%。據悉，國家大基金是上海聚源聚芯的第一大股東，持股45.091%，而中芯國際又通過中芯晶圓（上海）間接持有上海聚源聚芯第二大股東中芯晶圓（寧波）股份。

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　　博藍特半導體、中車電氣已問詢

　　上交所信息顯示，浙江博藍特半導體科技股份有限公司（以下簡稱“博藍特半導體”）和株洲中車時代電氣股份有限公司（以下簡稱“中車時代”）的IPO信息分別與1月25日和1月26日更新為已問詢狀態。

　　資料顯示，博藍特半導體成立于2012年，深耕半導體材料領域多年，主要從事新型半導體材料、器件及相關設備的研發和應用，著重于圖形化藍寶石、碳化硅等半導體襯底、器件的研發、生產、銷售，以及半導體制程設備的升級改造和銷售，目前主要產品包括PSS、碳化硅襯底以及光刻機改造設備。

　　博藍特半導體此次擬募集資金5.05億元，扣除發行費用后，用于主營業務相關項目的投入，包括年產300萬片Mini/Micro-LED芯片專用圖形化藍寶石襯底項目、年產540萬片藍寶石襯底項目、以及第三代半導體研發中心建設項目。

　　博藍特半導體表示，公司成立以來，致力于半導體襯底材料研發、生產、銷售。第三代半導體研發中心建設項目，將為公司主營業務發展提供新產品研發的技術支撐，具體包括第三代半導體產品碳化硅、GaN襯底、外延制備、研發為代表的寬禁帶半導體材料，以及深紫外LED芯片；高亮度藍、綠光LED芯片設計及研發，通過提升公司研發水平，延伸研發產業鏈相關產品。

　　中車電氣2005年9月，并于2006年在香港聯交所上市，主要從事軌道交通裝備產品的研發、設計、制造、銷售并提供相關服務，同時積極布局功率半導體器件等領域。在功率半導體器件業務方面，中車電氣一直以來致力于功率半導體技術的自主研究，目前已成長為我國功率半導體領域集器件開發、生產與應用于一體的代表企業，主要產品覆蓋雙極器件、IGBT和SiC等。

　　據了解，中車電氣建有6英寸雙極器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的產業化基地，擁有芯片、模塊、組件及應用的全套自主技術。該公司生產的全系列高可靠性IGBT產品打破了軌道交通核心器件和特高壓輸電工程關鍵器件由國外企業壟斷的局面，目前正在解決我國新能源汽車核心器件自主化問題。

　　此外，中車電氣的“高性能 SiC SBD、MOSFET電力電子器件產品研制與應用驗證”項目已通過科技成果鑒定，實現了高性能SiC SBD五個代表品種和SiC MOSFET三個代表品種，部分產品已得到應用。

　　中車電氣時代此次擬募集資金77.67億元，擬將本次發行所募集資金扣除發行費用后投資于新型傳感器研發應用項目、新產業先進技術研發應用項目等項目。