Vishay推出的新款高能效和高精度智能功率模塊可支持新一代微處理器
2021-03-19
來源：Vishay
賓夕法尼亞、MALVERN — 2021年3月16日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出九款采用熱增強型5 mm x 6 mm PowerPAK? MLP56-39封裝，集成電流和溫度監測功能的新型70 A、80 A和100 A VRPower? 智能功率模塊。Vishay Siliconix SiC8xx系列智能功率模塊提高能效和電流報告精度，降低數據中心和其他高性能計算，以及5G移動基礎設施通信應用的能源成本。
日前發布的功率模塊含有功率MOSFET和先進的驅動IC。為提高能效，器件內部MOSFET采用先進的TrenchFET? Gen IV技術，這一技術確立行業性能基準，顯著降低開關和傳導損耗。SiC8xx智能功率模塊各種應用條件下峰值能效可達93 %以上。輕載時可啟用二極管仿真模式，提高全負載范圍的效率。
采用電感器DCR監控功耗的解決方案，電流報告精度為7 %，而SiC8xx 系列器件采用低邊MOSFET進行檢測，精度誤差小于3 %。從而有助于提高Intel、Advanced Micro Devices, Inc. 和 Nvidia Corporation等公司大電流處理器和片上系統（SoC）性能，改進熱管理。器件適用于同步降壓轉換器、CUP和GPU的多相VRD、存儲器以及DC/DC VR模塊。
SiC8xx功率模塊輸入電壓為4.5 V至21 V（如表中所示），開關頻率高達2 MHz。故障保護功能包括高邊MOSFET短路和過流報警、過熱保護和欠壓鎖定（UVLO）。 SiC8xx系列支持3.3 V和5 V 三態PWM邏輯電平，兼容各種PWM控制器。
智能功率模塊現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為16周。