2億像素CIS（CMOS圖像傳感器）、基于EUV技術的14納米DDR5內存……進博會三星展臺入口處的3D裸眼大屏上，代表晶圓代工、存儲芯片等全球前沿科技水平的產品影像輪流播放，吸引了大量科技愛好者的目光。在展區現場，三星展出的晶圓吸引眾多參觀者打卡留影，5nm SoC（系統級芯片）、128層NAND（計算機閃存設備）、第六代顯存、車用CIS等高端產品也成為人氣展品，彰顯出三星在高端裝備制造領域的強大技術實力。
第四屆進博會三星展臺
今年是三星第四次參加進博會，也是三星首次從消費品館轉移到技術裝備館參展。在本屆進博會首次設立的集成電路專區，三星作為全球領先的半導體企業，是該專區最大的核心參展商之一，通過對技術創新實力的全面展示，透射出對信息產業發展的重要支撐。
領先技術支撐前沿創新
第四次參展進博會，三星向產業鏈上游溯源，展示了面向消費電子、大數據、移動通信、人工智能、車載等熱點應用和新興產業的半導體技術。
在推出兩款5nm EUV手機SoC之后，三星將最先進制程拓展到可穿戴應用領域，擴展了智能終端的應用范圍。本屆進博會，三星展出的Exynos W920是全球首款基于5nm EUV工藝的可穿戴芯片組，搭載了兩個ARM Cortex-A55內核和ARM Mali-G68 GPU，兼顧了能效與任務處理需求。與上一代產品相比，其CPU性能提升20%，GPU圖形性能提升近10倍。此外，Exynos W920還采用了FO-PLP（扇出型面板級封裝）技術，是目前可穿戴設備領域中最小的封裝。
三星首款2億像素分辨率圖像傳感器
影像能力已成為旗艦手機進行差異化競爭的主要路徑。在推出業界首款超1億像素CIS之后，三星又率先踏入2億像素時代。本次展出的移動圖像傳感器ISOCELL HP1擁有2億像素，單位像素0.64微米。面向暗光等重要使用場景，ISOCELL HP1可將16個相鄰的像素合并成大像素吸收更多光線，拍出明亮清晰的照片。針對消費者對手機超高清影像創作的需求，ISOCELL HP1支持30fps 8K視頻拍攝，通過合并4個相鄰像素，將分辨率降低至50Mp或8192×6144，無需裁切或縮小全圖像分辨率。
隨著全球數據量以指數級增長、數據類型逐漸多元，數據處理需要更加安全、高效的存儲和讀取技術。本屆進博會上，三星展示了多款面向大數據業務的存儲產品。
三星首款基于14納米技術的DDR5內存
DRAM是最為常見的系統內存，存儲速度快、存儲容量大，在計算機中常作為主存儲器。三星展出的14納米DDR5內存，是業內首款基于14納米EUV技術的DRAM產品，容量可達512GB。與普通DDR4相比，功耗降低20%，頻率可達7200MHz，能滿足超級計算機、機器學習、人工智能等方面的需求，并通過提高性能和降低功耗，滿足IT行業對綠色發展的要求。
三星新一代企業級SSD硬盤PM9A3系列
NAND閃存方面，三星展出了新一代企業級SSD硬盤PM9A3系列，使用三星第六代V-NAND閃存技術，容量最高達7.68TB，速度可達6500MB/s，存儲一部5GB的高清電影僅需約0.7秒，對需要高速處理大容量數據存儲的用戶及企業來說，可大幅提升工作效率。
面向AI時代對超高速處理速度的需求，三星展示了針對AI效率提升的存儲產品。代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片，容量是上一代8GB“Aquabolt”HBM2的兩倍，速度提高1.5倍，AI訓練效率提高6倍，同時可顯著提高帶寬及電源效率，這將極大提升下一代計算機系統的性能。
在汽車電子方面，ISOCELL Auto 4AC是三星專為汽車客戶提供的首個集成式成像解決方案，可提供120分貝高動態范圍圖像并同時支持發光二極管閃爍抑制功能，適用于高清分辨率的車載環視影像系統或后視攝像頭，目前已大規模量產。
為信息技術產業提質增效
半導體技術迭代帶來的更高性能、更低功耗，是信息技術產業向前發展的動力源泉。三星電子的觸角能伸向消費電子、智慧家居、新型顯示、數據中心、移動通信、機器人等信息技術產業的方方面面，起到筑基作用的正是三星半導體。面向5G、AI等密集型任務帶來的性能挑戰，三星半導體通過邏輯代工、存儲、手機AP等多方面業務，持續賦能產業的創新發展。
半個世紀以來，摩爾定律始終是半導體技術進步的節拍器，其最直觀的表現就是制程節點的躍遷。三星的代工業務起步于2005年左右，基于高端定位、技術投資以及與客戶企業的合作開發，三星抓住了通信產品迅速發展的東風，實現了技術趕超。2017年，三星成立了獨立的代工部門。2018年，三星晶圓代工業務已穩居全球前列。
從HKMG到FinFet（鰭式場效應晶體管）再到3nm節點的全新架構GAA，三星一方面率先導入新架構，另一方面持續對原有架構進行優化，滿足低、中、高端市場各類應用的能耗改善需求。三星在2021晶圓代工論壇宣布，計劃2022年上半年量產首批3納米芯片，2納米芯片預計2025年批量生產。三星3nm GAA工藝與5nm工藝相比，芯片面積減少35%、性能提高30%、功耗降低50%。同時，三星發布了新的17nm工藝，是對主流FinFet架構的工藝強化。相比28nm工藝，17nm工藝實現了39%的性能提升和49%的功率效率提升。
計算與存儲密不可分，AI、車聯網等強實時性技術，尤其對存儲器的連接和處理速度提出了更高要求。三星的存儲器布局始于20世紀80年代，通過技術吸收創新、逆周期投資，以及研發與生產緊密結合的“并行開發體系”，在十年間實現了技術反超，并至今保持在存儲領域的絕對優勢。如今，在DRAM、NAND、Nor Flash三大主流存儲器產品中，三星在前兩者的市占率均為全球第一，成為存儲器技術升級與產品迭代的風向標。
在DRAM領域，三星率先量產第二代、第三代10nm級產品，并率先將TSV、EUV技術用于DRAM生產，為業界提供超高速、超省電的存儲器產品，滿足5G、AI等高吞吐率技術的發展需求及數據中心等IT設施對能源效率的需求。NAND方面，三星首創的V-NAND技術，不再縮小cell單元來實現容量提升，通過堆疊更多層數的垂直存儲，使SSD實現更高的存儲密度、寫入速度以及更低的功耗。三星計劃于今年下半年推出基于雙堆棧的176層第7代 V-NAND，滿足5G智能手機、5G PC、IDC的存儲需求。
三星新款 5nm 移動處理器 Exynos 1080
面向5G等下一代新興技術，三星推出了5G調制解調器、NPU、創新的LPDDR5等多種半導體技術。三星新款5G處理器Exynos1080、Exynos2100采用當前最先進的5nm EUV制程，并集成了NPU內核，以支持智能語音助理識別、智能攝影等AI增強功能。三星的LPDDR5作為 12 Gb移動 DRAM，將51.2 Gbps高傳輸速度與節能設計相結合，以低功耗、高速互聯滿足下一代通信產品需求。
為強化在中國產業鏈、創新鏈的參與深度，三星近年來還深化了與中國本土企業的合作。三星的1.08億像素CIS與小米聯合研發，Exynos980和Exynos1080與vivo聯合研發，最終使智能終端產品更加貼近國內客戶企業和用戶群體需求。
龍頭效應牽引本地產業集群
半導體是設計和制造過程都非常復雜的產品，對技術的超高要求及不斷擴大的應用需求，導致了該行業高度專業化的全球供應鏈結構。各國根據相對優勢，在整個鏈條中發揮出不同作用。在半導體產業領域，中國雖然擁有龐大的客戶市場和豐富的人力資源，但中國市場更需要龍頭半導體企業發揮出帶動作用和資源整合能力，從而打造獨特的發展引擎。
三星西安半導體工廠車間
2012年，三星在西安投建了全球最先進的存儲芯片項目，至今已累計投資近260億美元，成為了改革開放以來中國電子信息行業最大的外商投資項目。而伴隨著三星半導體工廠的落戶，幾百家相關配套企業進駐西安，對當地的半導體產業鏈建設產生了強力的帶動作用，也讓西安逐步形成了過千億元的半導體產業集群。
外資企業本土化與本土企業國際化同為全球化的兩個重要趨向。在中國努力構建“雙循環”新發展格局的大背景下，三星緊抓機遇，成為推動中國電子信息產業發展的重要力量，一方面持續加大在華半導體等尖端元器件領域的產業投資，另一方面，深度融入、參與中國產業鏈的建設和發展。
進博會上，三星展現的半導體產業鏈及代表性產品只是冰山一角，憑借持續不斷的迭代式創新，三星正開啟未來發展的新格局，中國無疑是重要市場。
