近日，滁州市政府門戶網站報道稱，滁州華瑞微電子科技有限公司半導體IDM芯片首期項目已經竣工投產，成功進入試產階段，目前，該項目已經購置了300套進口光刻機、離子注入機、等離子刻蝕機等設備，主要生產6英寸晶圓，預計可實現年產72萬片的產能。

據了解，華瑞微創建于2018年5月，是一家專注于功率器件產品研發設計的高新技術企業，目前，華瑞微已經研發成功且量產的產品包括高壓VDMOS、低壓Trench MOS、超結MOS和SGT MOS，同時正在開展第三代半導體功率器件的研發工作。

在產能方面，華瑞微得益于團隊在行業的深厚積累，兩年來發展迅速，2019年為市場貢獻了超過15萬片晶圓，2020年將超過20萬片晶圓。

兩年完成多輪融資

據了解，華瑞微自成立以來，始終關注全球半導體產業發展趨勢和國內客戶需求，依托深厚的產業資源，憑借創新技術和市場儲備，產品和營收雙雙取得驕人成績。因此，華瑞微的發展前景備受市場看好，在兩年時間里獲得多輪融資。

2020年底，華瑞微完成了2億元的A輪融資，本次融資由普華資本、安振基金和毅達資本合投。

其中，本輪投資方毅達資本由國內老牌國有創投機構－－江蘇高科技投資集團內部混合所有制改革組建，是國內行業研究能力最強、資產管理規模最大、投資專業化程度最高、最具影響力的創業投資機構之一。

在一年后，2021年12月，華瑞微又連續完成了B輪和B＋輪3億元融資。此次參與的機構有產業投資方芯朋微、活水資本、萬聯廣生、政府產業基金及勢能資本等，老股東毅達資本、浦高產投持續加持，勢能資本連續擔任獨家財務顧問。

如此短的時間連續獲得了三年時間，意味著華瑞微在功率半導體器件的實力已經獲得了資本認可。

功率半導體景氣度依保持較高水準

值得一提的是，華瑞微的主營產品功率半導體器件如高壓VDMOS、低壓Trench MOS、超結MOS和SGT MOS，SiC等在市場里依舊存在大量需求。

眾所周知，功率半導體是電能轉換與電路控制的核心，在消費電子、新能源汽車、5G基站等下游應用的旺盛需求下，功率半導體市場規模正在穩健增長中。

據 IHS Markit數據統計，2019 年全球功率器件市場規模約為 404 億美元，而 Omida 預計至 2024 年市場規模將增長至 524 億美元，年化增速為 5．3％。分地區看，中國是世界最大功率半導體消費國，2020 年市場需求規模達到 138 億美元，增速為 9．5％，占全球需求比例高達 35％。

消費電子

消費電子中所使用到的快充技術就需要加入同步整流的MOSFET器件進行降壓。目前快充技術已經覆蓋智能手機、平板電腦、筆記本電腦、顯示器、新能源汽車、電動工具、IoT設備七大市場。

在智能手機領域，華為、小米、三星、OPPO、vivo、一加、魅族、努比亞等多款手機品牌在推進大功率快充的同時，USB PD也成為了各手機品牌私有協議外的第二大通用快充標準，并為此發布多款基于USB－C接口的PD快充充電器、移動電源等配件，讓USB PD快充的通用性得到提升，加速USB PD和Type－C的普及。

在筆記本電腦領域，此前市場研究機構Omdia發布了全球筆記本電腦市場預測報告，預計2021年出貨量將達到2．584億臺。而在全球的頭部筆電廠商中，包括聯想、惠普、戴爾、蘋果、宏碁等品牌均有多個系列產品將USB PD快充作為標準充電標準，相當于一年便有上億臺支持USB PD和Type－C的筆電涌入市場，其配件市場前景十分可觀。

公開信息顯示，2022年快充整體滲透率將達到21％，快速充電器市場規模將達到27．43億美元。隨著快充滲透率的持續提高，超結MOS等功率器件需求用量將進一步提升。

5G基站

目前全球范圍內正火熱興起的5G基站建設同樣需要用到MOSFET功率器件。

2019年中央經濟工作會議提出要加快5G商用步伐；2020年3月中央政治局常委會會議突出強調，要加快5G網絡、數據中心等新型基礎設施建設進度；

到了今年的12月20日，全國工業和信息化工作會議在北京召開。會議介紹，今年以來，我國已建成開通5G基站超過130萬個，5G終端用戶達到4．97億戶，居于全球第一。此前，前瞻產業研究院預計了2019～2025年國內新建基站數量，具體數據如下表所示：

因為5G基站的功率要求較高，且建設密度密集，需要大量的電源供應需求及性能強勁的功率半導體器件，所以5G基站事業的發展，將進一步拉動功率器件產業的發展。

據了解，4G 基站所需功率為 6．877kW，而 5G 基站所需功率為 11．577kW，提升幅度達到 68％。對于多通道基站，功率要求甚至可能達到 20kW。更高的覆蓋密度、更大的功率需求對 MOSFET 等功率器件產生了更大的需求。

其中，華瑞微的主要產品超結級MOSFET功率器件顯著降低了高電壓下 MOSFET 單位面積的導通電阻，并且超級結 MOSFET 擁有極低的 FOM 值，可實現極低的開關能量損耗和驅動能量損耗，這就使超級結 MOSFET 可以很好地滿足 5G 基站建設需求。

新能源汽車及充電樁

近年來，國內新能源汽車產業持續火熱，在2020年，新能源汽車充電樁更是被列入國家七大“新基建”領域之一。2020 年 5 月兩會期間，《政府工作報告》中強調“建設充電樁，推廣新能源汽車，激發新消費需求、助力產業升級”。

隨著新能源汽車及充電樁市場進入爆發期，兩者合計拉動功率半導體市場空間超200億元。近幾年來，國內現有充電站數量已由 2015 年 1069 座增加到 2019 年的 35849 座，復合年增長率為 140．64％。

而充電樁所需要用到的功率器件主要以MOSFET 為主。 MOSFET 因其更低的導通損耗和開關損耗、高可靠性、高功率密度成為主流的充電樁功率器件應用產品。

而新能源汽車中同樣需要用到大量功率半導體器件。其中，高壓MOSFET等開關器件是車載充電器（OBC）中DC－DC轉換模塊的核心功率器件，低壓MOSFET則廣泛應用于汽車上的各類低壓用電器，在高端車型用量可達400個。

根據2020 年 11 月國務院印發的《新能源汽車產業發展規劃（2021－2035 年）》數據顯示，2025年新能源汽車新車銷售量達到汽車新車銷售總量的20％左右，年總銷量將達到500－600 萬輛。以2025年年總銷量600萬輛測算，未來5年新能源汽車新車銷售復合年均增長率為 34％左右。

新能源汽車產業的快速發展，代表著汽車行業對于半導體芯片的需求增加，根據Strategy Analytics 提供的數據分析，傳統燃料汽車中功率半導體芯片的占比僅為 21％，而新能源汽車中功率半導體芯片的占比高達 55％。

綜上所述，新能源汽車、5G 通信基站建設、消費電子等行業的迅猛發展，將帶來巨大的功率半導體需求。而華瑞微也將因此受益。

目前，功率半導體仍是未來幾年市場玩家的必要競爭點。而中國最為功率半導體的最大消費國，占據全球約35％的功率半導體市場，但自給率仍處于較低水平。目前國內在二極管等大部分中低端產品上已實現了國產化，但新型產品由于其技術及工藝的先進性，還需要依賴進口。

如今，華瑞微的功率半導體IDM項目成功投產，具體來看，華瑞微還購置了300臺進口光刻機等設備，這意味著華瑞微可以大量提升國內的功率半導體產能，這將為國內功率半導體器件的發展帶來新的突破，從而進一步提高國內的功率半導體自給率。