本文來自方正證券研究所2022年2月07日發布的報告《東芯股份：NAND、NOR、DRAM多品類布局引領國產閃存制程突破》，欲了解具體內容，請閱讀報告原文，陳杭S1220519110008  

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聚焦中小容量通用型存儲芯片，國內少數可以同時提供NAND、NOR、DRAM完整解決方案的公司。東芯股份打造以低功耗、高可靠性為特點的多品類存儲芯片產品，公司設計研發的24nmNAND、48nm NOR均為我國領先的閃存芯片工藝制程，已達到可量產水平，實現了國內閃存芯片的技術突破。  

NAND Flash：核心技術優勢明顯，產品可靠性標準向車規級邁進。公司聚焦平面型SLC NAND Flash的設計與研發，主要產品采用浮柵型工藝結構，存儲容量覆蓋1Gb至8Gb，可靈活選擇SPI或PPI類型接口，搭配3．3V／1．8V兩種電壓。公司的SLC NAND Flash產品被廣泛應用于如5G通訊模塊和集成度要求較高的終端系統運行模塊。公司NAND Flash產品核心技術優勢明顯，尤其是SPI NAND Flash，公司采用了業內領先的單顆集成技術，有效節約了芯片面積，降低了產品成本，提高了公司產品的市場競爭力。公司產品不僅在工業溫控標準下單顆芯片擦寫次數已經超過10萬次，同時可在－40℃到105℃的極端環境下保持數據有效性長達10年，產品可靠性逐步從工業級標準向車規級標準邁進。 

NOR Flash：下游新興應用領域需求持續擴大，公司適時推出針對性產品推動銷量增長。公司自主設計的 SPI NOR Flash 存儲容量覆蓋2Mb至256Mb，并支持多種數據傳輸模式，公司的產品主要被用于存儲代碼程序，產品制程已達到國內領先的48nm。公司NOR系列產品的銷量由2018年度的4688．05萬顆增長至2020年度的9438．63萬顆，增長主要源于國產替代形勢下，下游新興應用領域尤其是可穿戴設備的需求持續擴大，公司適時推出針對性的產品，應用于傳音控股、麥博韋爾等優質終端客戶。 

DRAM：產品轉向通用型、標準化，逐步實現下游應用領域向工業級的延伸拓展。公司DRAM產品經有多年技術沉淀，具有類型豐富、應用領域較寬的特點。公司研發的DDR3系列是可以傳輸雙倍數據流的DRAM產品，具有高帶寬、低延時等特點，在通訊設備、移動終端等領域應用廣泛；公司針對移動互聯網和物聯網的低功耗需求，自主研發的LPDDR系列產品具有低功耗、高傳輸速度等特點，適合在智能終端、可穿戴設備等產品中使用。公司結合市場需求變化，正逐步實現產品客制化向通用型、標準化方向的轉變及下游應用領域由消費級向工業級的延伸擴展。 

存儲芯片產品價格存在周期性波動，公司經營業績依賴下游市場供需情況。存儲芯片作為半導體產業的“風向標”，其在單價及數量上均呈現較強的周期性變化。周期性的主要原因為存儲芯片的產品通用性及市場集中度較高，為了維持存儲產品的市場份額，各廠商都會選擇在行業景氣度上行周期擴產增收、在景氣度下行周期降價清理庫存，進而導致產能與下游市場需求不匹配的情況，從而導致價格波動，影響公司經營業績。 

規模效應逐步顯現，產品結構優化，高附加值產品占比提升，公司盈利能力巨幅增長。公司預計2021年全年歸母凈利潤區間2．．45億元－2．75億元，同比增長1154％－1308％；扣非歸母凈利潤區間2．37億元－2．67億元，同比增長1250％－1421％，盈利能力增幅巨大。盈利能力的巨幅增長主要受益于：公司產品市場需求旺盛，隨著公司產品線的不斷豐富，產品結構持續優化，高附加值產品占比提升，對完成導入期的客戶銷售規模逐步擴大、規模效應逐步顯現，使得公司閃存芯片銷售規模持續擴大，公司經營業績同比上升，從而銷售毛利率較上年同期提升。 

盈利預測：我們預計公司2021－2023年營收12．0／16．0／21．0億元，歸母凈利潤2．5／3．2／4．0億元，首次覆蓋，給予“推薦”評級。

風險提示：1）產品價格波動風險；2）產品技術研發風險；3）下游行業景氣度不及預期風險。