2022年2月15日,中國---意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅動器在高壓電力變換和工業應用中節省空間,簡化電路設計。
IGBT驅動器STGAP2HD 和SiC MOSFET驅動器STGAP2SICD 利用意法半導體最新的電隔離技術,采用SO-36W 寬體封裝,能夠耐受6kV瞬變電壓。此外,±100V/ns dv/dt 瞬變耐量可防止在高電噪聲工況下發生雜散導通現象。這兩款驅動器都提供最高4A的柵極控制信號,雙輸出引腳為柵極驅動帶來更多靈活性,支持開通和關斷時間單獨調整。有源米勒鉗位功能可防止柵極在半橋拓撲快速換向過程中出現尖峰電壓。
電路保護功能包括過熱保護、安全操作看門狗,每個通道都有欠壓鎖定 (UVLO)機制,防止驅動器在危險的低效模式下啟動。按照 SiC MOSFET的技術要求,STGAP2SICD 提高了 UVLO的閾值電壓,以優化晶體管的能效。
每款器件都有一個在雙低邊不對稱半橋應用中同時開通兩個通道的iLOCK 引腳和防止在傳統的半橋電路中出現直通電流的互鎖保護機制。這兩款驅動器在高壓軌上的額定電壓都達到 1200V,輸入到輸出傳播時間為 75ns,PWM控制精度很高。
意法半導體的新雙通道電流隔離柵極驅動器具有專用的關斷引腳和制動引腳,以及待機省電引腳,目標應用包括電源、電機、變頻器、焊機和充電器。此外,輸入引腳兼容最低3.3V的TTL和 CMOS 邏輯信號,以簡化驅動器與主微控制器或DSP處理器的連接。
STGAP2HD 和 STGAP2SICD 現已投產。EVALSTGAP2HDM 和 EVALSTGAP2SICD演示板也已上市,用于快速評估驅動器在驅動半橋功率級時的驅動特性。
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