3月28日華為召開2021年經營財報發布會，華為的財報中多個數據的下降描述了華為的2021年。

三大業務板塊銷售收入中，只有企業業務同比增長達到1024億人民幣，運營商業務下降7％，消費者業務更是暴跌49．6％。

如果從不同地區的銷售收入表現來看，華為全球的業務都面臨下滑。中國地區收入下滑30．9％，歐洲中東非洲下滑27．3％，美洲地區下降26．3％。

確定失去先進制程，華為怎么辦？

發布會上，華為表示無法獲得先進制程已成定局，但要用其他方法去保持產品的先進性。

華為曾經的輝煌離不開先進制程的助力。2019年華為旗下的海思半導體是臺積電的第一大客戶。2020年5月美國商務部宣布將全面限制華為購買采用美國軟件和技術生產的半導體，即使非美國半導體公司，只要使用了美國的半導體產品想要與華為交易就必須經過美國政府的同意。

而當時華為利用最后的窗口期，緊急向臺積電追加7億美元訂單，這也讓華為的麒麟芯片維系了一段時間。2021年，華為發布僅支持4G的手機并且開始搭載驍龍芯片宣告華為的“存貨”告罄。

很長一段時間外界對華為的手機業務表示擔憂，沒有先進制程，華為即使有世界一流的設計能力，依舊是巧婦難為無米之炊。因此在這次發布會上，圍繞先進制程受限，華為兩次被問道“是否會選擇自建代工廠？”

第一次，華為回答：在當前技術封鎖情況下，投資半導體會變得很具有商業價值，我們樂于看到有越來越多的企業參與市場，更樂見他們成功。在當前先進工藝技術不可獲得下，我們會尋求系統突破，未來的芯片布局會采用多核加上軟件的結構方式，為芯片注入新的生命力。

第二次，華為回答：2019 年華為 5G 手機出貨 1．2 億臺，以一臺手機一顆基帶芯片計算，需要 1．2 億顆的基帶芯片。再來看基站，2019 年華為交付 100 萬臺基站，每一臺基站需要一顆芯片，共計 100 萬顆芯片。2020 年 To C的業務遇到巨大下滑，但 To B的業務持續性是有保障的。

華為一直在投入研發，研發方向朝著理論重構、軟件和系統架構重構前進，例如用面積換性能、堆疊換性能，這可以讓華為即使不采用先進工藝技術的情況下，產品也可以非常有競爭力，華為會一直沿著這方向努力。

兩次回答，華為隱晦地宣布不會通過自建晶圓廠去渡過難關。從華為的答案里我們可以看到，華為未來的策略。一是使用成熟制程，在封裝、架構等方面下功夫從而保證性能；二則是華為將會通過投資半導體產業鏈的方式去穩定芯片的供應鏈。

不靠先進制程靠散熱？

首先我們來看華為的第一個方向，“用堆疊換性能”。

就在發布會結束不久后的4月5日，華為技術有限公司公開了一項芯片相關專利。該項名為＂一種芯片堆疊封裝及終端設備＂的專利，涉及半導體技術領域，其能夠在保證供電需求的同時，解決因采用硅通孔技術而導致的成本高的問題。

華為的這一專利涉及半導體技術領域，其能夠在保證供電需求的同時，解決因采用硅通孔技術而導致的成本高的問題。該芯片堆疊封裝（01）包括：設置于第一走線結構（10）和第二走線結構（20）之間的第一芯片（101）和第二芯片（102）；所述第一芯片（101）的有源面（S1）面向所述第二芯片（102）的有源面（S2）；第一芯片（101）的有源面（S1）包括第一交疊區域（A1）和第一非交疊區域（C1），第二芯片（102）的有源面（S2）包括第二交疊區域（A2）和第二非交疊區域（C2）；第一交疊區域（A1）與第二交疊區域（A2）交疊，第一交疊區域（A1）和第二交疊區域（A2）連接；第一非交疊區域（C1）與第二走線結構（20）連接；第二非交疊區域（C2）與第一走線結構（10）連接。

這一設計通過設置第一芯片的有源面面向第二芯片的有源面，并且將第一芯片的有源面中的第一交疊區域和第二芯片的有源面中的第二交疊區域交疊并通過直接互連結構連接，從而縮短了第一芯片和第二芯片間的互連路徑，降低了信號延遲，提高了芯片間的通信速率。

對此，這一專利相關人士指出，該專利展示了華為在解決芯片散熱問題上的能力。

芯片的散熱對芯片性能影響很大。電子器件散熱中最常用的，也是最重要的一個參數就是熱阻（Thermal Resistance）。熱阻是描述物質熱傳導特性的一個重要指標。在集成電路中，熱阻是衡量封裝將管芯產生的熱量傳導至電路板或周圍環境的能力的一個標準和能力。

當溫度上升，內部封裝材料體積變化必不相同。由于芯片被強制焊在單板上，這些材料體積的變化，被限制在固有的空間內，于是內部會出現相互擠壓、拉扯。這些相互之間的作用力，在長時間的積累下，就可能造成材料產生機械裂紋，導致芯片失效。

溫度的升高，會強化物質的活性，進而加速化學反應的進程。腐蝕的本質是化學反應，因此，高溫情境下，芯片抗腐蝕性能下降。

芯片的腐蝕是與外界環境強相關的現象。當使用環境極好，周圍無可與芯片材料反應的物質時，芯片內部的組成物質也會發生分解。由于同屬于化學反應，溫度對其速率的增加，遵循類似的規律。內部的物質發生分解后，電氣性能顯然會發生巨大變化。

溫度升高，各類微粒的無規則運動均會強化。電子移動會導致芯片性能不穩。

芯片組成物電氣性能隨溫度的變化。芯片的實際運行的最優點只能位于某一個溫度點或較小的溫度范圍內，當芯片的溫度很高或很低時，由于各類物質的電氣性能相對設計溫度已經發生較大變化，芯片將無法實現預期的功能。因此，電氣性能的變化，也是溫度的關鍵影響之一。

芯片散熱不僅與設計、布局有關，還與芯片的封裝與各層之間的粘結質量相關。與常規的單芯片相比，堆疊封裝方式封裝了更多的裸芯片，其內部熱源相互影響，熱耦合更強，發熱密度顯著增大，這將使得疊層芯片內部的熱場比單片集成電路更復雜，因而可能會造成更為嚴重的熱可靠性問題。有研究表明芯片面積是影響芯片散熱的最顯著因素，同時疊層結構相對來說散熱較好。

不造芯片的華為與華為精密制造有限公司

2021年12月28日華為技術有限公司成立了子公司——華為精密制造有限公司，控股比例為100％，法定代表人為李建國，注冊資本為6億元，經營范圍包括光通信設備制造；光電子器件制造；電子元器件制造；半導體分立器件制造等。

華為精密制造有限公司，主要業務是華為無線、數字能源等產品的部分核心器件、模組、部件的精密制造，包括組裝與封測，并擁有一定的規模量產及小批量制造能力，但該公司主要為華為的自有產品服務，不會大批量生產芯片，更不會從事代工業務。

華為的這一選擇不難理解，建立一座晶圓廠成本極高。僅一臺光刻機成本就可能達到數十億人民幣，雖然2021年華為投入了1427億人民幣在研究與創新上，但是再增加數十億光刻機成本以及配套的土地、其他設備等仍會給華為帶來不小的壓力。尤其是在華為業績下滑的現狀下，大筆投資自建晶圓廠是一件性價比相對較低的事情。更何況在美國的制裁下，華為建立起完全自主的芯片制造能力幾乎是不可能的。

中國半導體讓華為活下去

不過正如華為在發布會上分享的，華為雖然不自建晶圓廠，但樂于看見國內半導體產業的百花齊放。同時華為也在身體力行的投資國內半導體產業，華為旗下的華為哈勃投資的企業中，覆蓋了第三代半導體、晶圓級光芯片、電源管理芯片、時鐘芯片、射頻濾波器等多個領域，而這些領域正是華為較多依賴美國產業鏈的領域。

可以發現，華為將芯片性能的未來更多的押注在了國產半導體上。

2021年華為的凈利潤為1137億人民幣，同比大增75．9％，這看起來鮮明數據背后卻是華為出售兩家核心子公司的辛酸。在華為的財報中，出售榮耀及超聚變業務貢獻了574．31億的凈收益，可以說華為在“賣血”換利潤。這不免讓外界擔憂，2022的華為如何保證業務的進一步增長？

華為在發布會上表示，2022年華為的目標仍是“活下來”，而華為也將業務的增長轉向可穿戴設備、智能家居業務等等，在這些領域華為可以依靠國產半導體的力量發展。

近日有消息指出長江存儲進入蘋果供應鏈，讓國產半導體大為振奮，這確實是對國產半導體的認可。標志著國產半導體的質量已經得到國際廠商的認可。但這只是國產半導體的第一步，要華為走出陰霾需要國產半導體有能力成為國內電子公司的中流砥柱。

只有國產半導體共同努力，才能救華為。