6月1日消息，據彭博社報道，美國IP 設計龍頭企業IBM陷入一宗排擠對手的訴訟，法庭日前判決稱，IBM公司必須向美國“BMC軟件公司”賠償16億美元（約合人民幣106．8億元），理由是兩家公司在服務共同客戶的過程中，IBM 不正當地用自己的軟件替換了 BMC 在 AT＆T 公司的大型機軟件。
美國地方法官格雷米勒表示，IBM 通過欺詐說服軟件公司 BMC 簽署了一份合同，允許 IBM “在不支付費用的情況下行使權利，獲得其他合同利益，并最終獲得 BMC 的核心客戶之一”。
據了解，IBM和BMC曾簽下一份精心協商的協議合作運營，協議內容禁止IBM鼓勵兩家公司的共同客戶轉用自家軟件產品線。
在2017年，BMC起訴IBM，稱后者違反協議，在2015年雙方續簽權力共享協議時挖角AT＆T的軟件業務。
BMC要求法院判決IBM支付違反協議的7．91億美元（約合人民幣52．8億元）違約金，并賠償丟掉AT＆T合同損失的1．04億美元（約合人民幣6．9億元）利潤。BMC還要求法院考慮，如果發現IBM故意干擾BMC的客戶關系，就將賠償總金額增加兩倍。
IBM則反駁說，AT＆T放棄了BMC的產品并轉投IBM是出于它自己的原因；IBM聲稱，根據與BMC的協議，這是公平的競爭。雖然IBM近年已逐漸轉向云計算和人工智能服務，但大型機仍然是其信息技術產品組合的重要一部分。
此外，IBM還表示，其“在此次合作的各個方面都本著善意行事”，并誓言將提起上訴。IBM在一份聲明中表示：“這一判決完全沒有事實和法律依據，IBM計劃在上訴中尋求完全逆轉這一判決?！薄皩?BMC軟件技術從其主機上移除的決定完全是由AT＆T做出的，這一點得到了法庭的認可，并在AT＆T代表的證詞中得到了證實?！?/p>
美國休斯頓地區法官Gray Miller周一駁回了IBM稱其“公平公正地獲得了AT＆T軟件業務”的說法。該法官根據他之前的判斷認定，IBM在AT＆T拋棄BMC的決定中所扮演的角色“帶有故意不當行為的色彩”。并判決IBM必須向美國“BMC軟件公司”賠償16億美元。
公開資料顯示，IBM是唯一橫跨大型機、PC、移動互聯網、云計算四個時代，并即將步入智能時代的企業，其業務包括芯片設計、云計算、人工智能和IT基礎設施等多個領域。
重心傾注芯片工藝賽道
作為IT界的行業翹楚，IBM最為令人注目的還屬其芯片制程設計能力。
IBM與英特爾一般，是芯片制造行業最早入局的那批企業之一。早在1950年，IBM就使用晶體管技術制造并賣出了1萬多臺計算機。60年代到80年代是IBM最風光的時期，隨著集成電路技術的成熟，IBM在1981年8月12日，推出了世界上第一臺個人電腦——IBM5150。
要知道，用芯片代工模式改變全球芯片產業鏈的foundry企業臺積電，是在1987年才成立的。因此，IBM等老牌IT企業，在造電腦時，很多情況下是自己把芯片設計并制造出來的，這種芯片生產模式叫做IDM，Integrated Device Manufacture，即一家企業將芯片設計、芯片制造、芯片封裝和測試等多個產業鏈環節自己大包大攬了。1988年，IBM搭建了全球第一條200mm晶圓生產線。隨后在2002年，IBM又建成了全球最先進的300mm生產線。
不過，由于IBM自身的芯片制造技術跟不上時代的發展，制造能力已經遠遠落后于后起之秀臺積電與三星，為了產品的性能，IBM只能將研發出來的IBM Power 10處理器交由三星代工生產，旗下的晶圓廠也因為失去用途而出售給格羅方德。
雖然IBM已經售出晶圓廠，宣告退出芯片制造賽道。但事實上，藍色巨人并沒有放棄先進芯片制程工藝芯片的研發。通過與AMD、三星以及GlobalFoundries等企業合作，IBM接連在多個工藝節點，率先推出測試芯片。
去年11月，IBM宣布其已經創造出世界上第一個2nm節點芯片，該芯片最小元件比DNA單鏈還小，并且是全球晶體管數量最多的芯片，相當于整個世界樹木的10倍，而且其性能相比當前的7nm芯片提高了足足45％，如果將能耗比視為首位，其功耗也做到了比7nm芯片減少了75％。
據悉，該芯片是在IBM研究院在其紐約州奧爾巴尼半導體研究機構設計和生產，根據IBM公布的芯片數據信息顯示，該2nm芯片可容納500億個2nm晶體管，這意味著在每平方毫米芯片上集成3．33億個晶體管。
與之相比，目前臺積電的5nm芯片制程約有1．71億個晶體管，而三星5nm制程每平方毫米約有1．27億個晶體管。這使得該芯片在計算速度方面翻了將近一倍。
IBM此次研發出來的芯片納米技術對半導體進行了更高級的擴展，這種架構是業界首創。IBM通過增加每個芯片上的晶體管數量可以讓芯片變得更小、更快、更可靠、更高效。2 nm芯片制程工藝設計的成功，意味著在IBM在宣布 5 納米設計研發成功之后，僅用了不到四年時間就再次實現技術突破。
在IBM這次研發的2nm芯片里，IBM用上了一個被稱為3D納米片堆疊的晶體管技術（nanosheet stacked transistor），它將NMOS晶體管堆疊在PMOS晶體管的頂部，而不是正常晶體管那樣并排放置，利用類似電子開關形成二進制數字1和0的變化。后者盡管有更快、更省電的作用，其最大的缺點是電子泄漏，而IBM的2nm芯片已經克服了這個問題。
與此同時，該芯片還使用了底部電介質隔離（bottom dielectric isolation）技術、內部空間干燥工藝（inner space dry process）技術、2nm EUV技術等，將有效改善原有晶體管技術存在的一些問題。
此外，在2021 IEEE國際電子器件會議（IEDM）上，“藍色巨人”IBM還聯合三星共同推出“垂直傳輸場效應晶體管”（VTFET） 芯片設計新工藝。
IBM與三星將晶體管以垂直方式堆疊，并讓電流也垂直流通，使晶體管數量密度再次提高，更大幅提高電源使用效率，并突破1nm制程的瓶頸。
相較傳統的水平放置晶體管的設計，這種新型的垂直傳輸場效應晶體管將能增加晶體管數量堆疊密度，在每個芯片上實現更高密度的這些組件，讓運算速度提升兩倍，同時借電流垂直流通，使功耗在相同性能發揮下降低85％。通過這種新設計，IBM和三星希望將摩爾定律擴展到納米片閾值之外并減少能源浪費。
IBM 研究院混合云和系統副總裁 Mukesh Khare 博士表示：“今天我們共同發布這項新技術是在致力于挑戰突破傳統思路，重新思考我們應該如何持續推動社會進步，并提供新的創新，以改善人類的生活、工作和減少對環境所帶來的負面影響?！?/p>
當今，主流的芯片架構采用的是橫向傳輸場效應晶體管（FET），例如鰭式場效應晶體管（FinFET），因硅體類似魚背鰭而得名。隨著摩爾定律的延續，集成電路上可以容納的晶體管數目在大約每經過18個月便會增加一倍，同時計算機的運行速度和存儲容量也翻一番，如今可以塞進單個芯片的晶體管數量也幾乎達到了極限。全新的設計方法能通過放寬晶體管門長度、間隔厚度和觸點尺寸的物理限制來解決縮放（scaling ）障礙，并在性能和能耗方面對這些功能進行優化，這或許或成為未來芯片設計的新方向之一。
