國際
SiC領域進展情況
企業再發布8英寸襯底。繼1月份ST宣布制造出首批8英寸SiC襯底后，5月份法國材料商Soitec也發布了首片8英寸SiC襯底。據不完全統計，國際上已有Wolfspeed、Rohm、ST、Onsemi、II-VI、Soitec等企業成功研發出了8英寸SiC襯底。隨著8英寸襯底的逐步量產，SiC功率器件成本大幅降低成為可能。
8英寸SiC外延片開發正在推進。日本昭和電工宣布其“用于下一代綠色能源半導體的SiC晶圓技術”項目入選日本新能源產業技術綜合開發機構（NEDO）“下一代數字基建”的研發計劃。該項目主要任務是開發8英寸SiC外延片，目標是缺陷密度下降至少一個數量級，進而降低下一代功率半導體的生產成本。此外，昭和電工3月份也宣布開始量產6英寸功率半導體SiC單晶襯底，實現了“襯底+外延”的整合。
車規級MOSFET持續推出。II-VI、PI、KEC等分別推出車規級SiC MOSEFT，電壓集中在1200V、1700V，特別是PI產品聲稱業界首款符合AEC-Q100標準的汽車級開關電源IC。此外，英飛凌優化了其650V SiC MOSFET，并將其CoolSiC產品系列擴展至2kV；Onsemi則推出業界首款TOLL封裝的650V SiC MOSFET，可顯著提高能效和功率密度。Qorvo公司在第三代半導體射頻器件方面具有全球領先地位，其通過并購UnitedSiC公司，擴大業務版圖，并在近期推出了第4代SiC FET，和采用UnitedSiC先進共源共柵技術的智能集成電機控制器。
MOSFET模塊產品增多。Wolfspeed、TDSC（東芝電子元件及存儲裝置株式會社）、英飛凌、三菱電機等紛紛推出新款SiC功率模塊，產品額定電壓多在1200V、1700V；功率模塊在封裝方面主要還是解決更小尺寸、更好擴展性和更高功率密度。此外，新產品也都在積極推進與標準IGBT的兼容。
應用方面，新能源汽車用800V SiC逆變器加速推出。BorgWarner（博格華納）、McLaren Applied（麥克拉倫應用技術）、Equipmake、Marelli（馬瑞利）紛紛推出800V SiC逆變器，以適應新能源汽車對充電性能和整車運行效率提升的需求。豐田、雷克薩斯、福特、大眾、奔馳等整車企業也加快SiC電驅應用。
GaN領域進展情況
襯底環節，豐田合成宣布成功制備出6英寸GaN單晶。豐田合成與大阪大學合作，采用鈉助溶劑液相法，在藍寶石襯底上生長出高質量籽晶，然后再經過HVPE法生長GaN單晶。此外，早在2021年6月，住友化學表示將投入100億日元（約5.86億人民幣），從2022年開始量產4英寸GaN單晶襯底并表示已經成功制作了6英寸的GaN襯底，并加快量產技術的建立。
外延環節，韓國IVworks和應用材料公司簽署聯合開發協議，宣布共同開發1200V GaN外延片以應用于電動汽車充電器。IVworksi表示此次合作將使用其自產的混合薄膜設備(MEB)生產6英寸和8英寸外延片，并通過混合MEB設備監測GaN薄膜層的厚度，以此來提高產量。
GaN電力電子耐壓水平提高到1200V。EPC、Rhom、Transphorm、Cambridge GaN Devices 、Teledyne e2v HiRel、Odyssey Semiconductor等企業均推出了GaN FET或HEMT產品。其中，EPC推出新品最多，電壓涉及350V、200V和100V，包括超小型13.9mm2面積的40V、1.1mΩ GaN FET，以及采用芯片級封裝，適用于航空航天及應用的耐輻射100V、3.9mΩ、345AGaN FETEPC7018，此外，EPC還推出了多款搭載GaN FET的轉換器、驅動器和電源產品。Teledyne e2v HiRel和Cambridge GaN Devices產品耐壓為650VM; Transphorm在其900V基礎上，進一步將其產品耐壓提高到1200V；Odyssey Semiconductor則是業界少數可以提供GaN垂直器件的企業，其最近推出的產品為耐壓700V，導通電阻為1mOhm/cm2的垂直器件，而且Odyssey 有望在2022年為少數客戶提供1200 V垂直GaN FET。
GaN射頻器件及應用方面，Integra宣布其100V GaN射頻技術已經開始面向美國和歐洲客戶進行生產出貨，單個晶體管的功率等級高達5kW。意法半導體和MACOM宣布成功生產射頻Si基GaN原型；6月，中國臺灣穩懋公司宣布推出全新的0.12μm GaN-on-SiC技術，該工藝適用于28V操作，并在29GHz頻段產生超過4W/mm的飽和輸出功率，線性增益為13.5dB，效率接近50%。
GaN光電子器件及應用方面，從劍橋大學分拆出去的Micro LED公司Porotech宣布成功開發出天然紅InGaN基Micro LED顯示器，顯示面積為0.55英寸（對角線），分辨率為960 x 540，此技術在降低成本的同時，可最大限度地將波長提升至640nm或更高，從而改善更好地產品性能。
超寬帶材料方面，氧化鎵的研究熱度不減。上半年關于氧化鎵的多個研究成果基本都來自于日本，主要有Novel、大陽日酸及東京農工大學聯合開發了6英寸葉片式 HVPE 設備，并首次成功地在6英寸測試晶圓（使用藍寶石襯底）上進行了β-Ga2O3成膜，用HVPE法制造的β-Ga2O3外延片主要用于SBD和FET。此外，Novel Crystal Technology公司此前還宣布成功開發出溝槽型安培級1200V耐壓氧化鎵SBD。這極大推動高耐壓氧化鎵SBD的商業化進程。4月，大陽日酸宣布，其首臺氧化鎵（Ga2O3）MOCVD設備在東京農工大學安裝落地，并通過驗證。最新設計的氧化鎵MOCVD設備（型號為FR2000-OX）擁有1x2英寸晶圓的加工能力，能夠幫助制備復雜的器件結構，并進一步推動相關材料的研發。
國內
SiC領域進展情況
襯底環節，國內研究機構和企業相繼宣布突破8英寸SiC襯底。山西爍科晶體和中科院物理所先后宣布突破8英寸SiC襯底這是國內在第三代半導體領域取得的又一個標志性進展，成果后續產業化將有助于增強我國在SiC單晶襯底的國際競爭力。此外，晶體厚度也在不斷提升，哈爾濱科友宣布其6英寸SiC導電型晶體厚度達到32mm。
外延方面，除瀚天天成、東莞東莞天域保持行業領先外，中電化合物宣布其外延產品通過車規級客戶審核。中電化合物目前可向客戶提供650V、1200V、1700V系列SiC外延片和GaN外延片產品，其產能達2萬片/年，未來3年可望達到8萬片，此外，公司產品獲得IATF16949質量管理體系認證。
器件方面，多個企業推出二極管和MOSFET產品。上半年，三安半導體、森國科、蓉矽半導體等企業宣布推出SiC二極管產品，電壓主要在650V和1200V，其中三安半導體650V 20ASiC二極管于2022年1月首批入選《汽車芯片推廣應用推薦目錄》。
MOSFET方面，華潤微、清純半導體、芯塔電子、國星光電發布1200V SiC MOSFET新產品。特別是清純半導體發布國內首款15V驅動的1200V SiC MOSFET器件，相比18V驅動產品，其設計和制造工藝要求更高。此外，華潤微平面型1200V SiC MOSFET產品進入風險量產階段。
模塊和應用方面，在不斷推出新品之外，國產SiC模塊開始量產裝機。其中比亞迪1200V 1040A SiC模塊，功率再創新高。該模塊采用了雙面燒結工藝，可靠性提升、工藝優勢明顯；國星光電SiC功率模塊規格覆蓋1200V電壓等級，20A-80A的電流范圍；臻驅科技SiC模塊產品應用于上汽通用五菱；芯聚能APD系列SiC模塊用于smart精靈#1主驅。此外，在特高壓輸變電方面，國家電網全國產6500V/400A的SiC MOSFET模塊應用于雄安新區柔性變電站。蔚來汽車則使用Onsemi的VE-Trac Direct SiC功率模塊，該模塊是集成式單側直接冷卻(SSDC)，采用六組配置，具有1.7mΩ的低導通電阻。集成針翅式基板可實現直接液體冷卻和易于組裝，從而實現最大功率輸出和更有效的散熱。
GaN領域進展情況
GaN襯底，蘇州納維、中鎵半導體是持續開展GaN襯底研發和產業化。其中，蘇州納維實現了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產（位錯密度降低到104cm-2）、完成了4英寸產品的工程化技術開發、突破了6英寸的關鍵技術；中鎵2英寸GaN自支撐襯底也實現了量產銷售。
外延方面，晶湛半導體發布Full Color GaN?全彩系列LED產品，并實現300mm外延。晶湛半導體發布12英寸GaN-on-Si HEMT外延片，在滿足大規模量產和應用所需的漏電要求前提下，成功覆蓋200V、650V、1200V等不同擊穿電壓應用場景需求，該技術突破充分融合Si基GaN與硅CMOS工藝優勢，有望進一步提高GaN功率芯片性能，大幅降低器件和系統成本。此外，廣東省科學院半導體研究所先進材料平臺也制備了位錯密度低至2.7×108cm-2且方塊電阻高達2.43×1011Ω/R的高質量GaN外延層模板。
GaN功率器件方面，英諾賽科、華潤微、鎵未來、芯冠科技、國星光電等均推出GaN功率器件，產品以650V為主。此外，三安光電在其投資者互動平臺表示Si基GaN產品完成約608家客戶工程送樣及系統驗證，24 家進入量產階段。
應用端，聯想、Vivo、Realme等消費類電子廠商快充新品均使用了GaN功率電子，但芯片仍主要來自于Navitas。
伴隨產業快速成長，國產裝備也不斷進步。其中，北方華創一季報顯示其SiC長晶設備2022年出貨預超500臺；恒普科技推出新一代優化版SiC電阻晶體生長爐；季華實驗室、深圳納設智能先后發布6英寸SiC高溫外延設備；大族半導體首次發布激光切片（QCB技術），并同期發布了兩款全新設備：SiC晶錠激光切片機（HSET-S-LS6200）、SiC超薄晶圓激光切片機（HSET-S-LS6210）。以切割2cm厚度的晶錠，分別產出最終厚度350μm，175μm和100μm的晶圓為例，QCB技術可在原來傳統線切割的基礎上提升分別為40%，120%和270%的產能。此外，晶盛機電推出全自動MPCVD法生長金剛石設備（型號XJL200A），成功生長出高品質寶石級的金剛石晶體。
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