在業界頻傳NAND閃存價格迅猛下滑之際，作為市占率近34%的全球最大閃存供應商三星電子，卻仍在逆勢增加投資，并官宣其閃存產品將漲價10%。目前，這一漲價幅度，已為中國部分廠商接受。 1月12日，華爾街見聞獲悉，三星電子在西安的一個三期NAND閃存項目，進入了蘋果智能手機NAND閃存供應鏈。此前，三星電子已是蘋果公司最大的DRAM芯片供應商。 但是，提價10%很可能并非三星電子的主要訴求。從各種跡象看，三星將于年內開啟其閃存大幅降價的大幕。從逆勢增資擴產，到大幅降價，個中原因，不問可知。 逆勢增資：三星心路人知

受低迷的存儲芯片市場影響，三星電子利潤受到打擊，但三星電子半導體投資擴產卻沒有停滯。

全球存儲器市場結構怎樣？

據英國市場追蹤機構Omdia統計數據顯示，截至2021年，三星在DRAM市場份額為42.7%，其次是SK海力士的28.6%和美光的22.8%；NAND閃存方面，截至2022年Q2，三星電子擁有33.9%的市場份額，位列全球第一；通過收購Intel NAND Flash閃存業務，SK海力士組建了新公司Solidigm，市場份額升至19.9％，緊隨三星電子之后排名第二。 值得一提的是，三星電子在NADA閃存市場獲得全球第一的市場地位，源自在2006-2009年一系列NADA閃存詭譎風云中三星的逆勢增資擴張。 這是一次極為成功的逆勢“加倉”之后的驚人逆襲。三星電子在行業低迷期擴大投資規模，最終擊敗當時市場份額領先于三星電子的對手，比如德國奇夢達、日本“國家隊”爾必達和東芝。 這次成功經驗，充分解釋了三星電子再次遇到行業低迷期，為何仍敢于逆勢增資擴產的信心迷局。

2022年，半導體行業進入下行周期，存儲市場占據半導體約30%的比例，故受到較大行業下行影響：包括三星電子、美光和SK海力士在內的多家存儲廠商均出現虧損。 因此，行業風格保守，一眾巨頭也開始收縮業務。比如美光計劃將2023財年投資額，從2022財年的120億美元，下調至70億-75億美元；同時，還將大幅減少2024財年的資本支出；SK海力士也在2022年10月宣布，2023年的設備投資預算幅度，將比2022年減少超過50%。

但是三星例外，其投資風格極為激進，這與美光和SK海力士因市場低迷而收縮業務規模的做法，顯得格外與眾不同。 公開消息顯示，三星電子已決定，在2023年提升其存儲器和晶圓廠10%的產能。這些產能也有部分來自中國的三星新投資項目。

1月12日，華爾街見聞從供應鏈了解到，三星西安三期項目12寸（300mm）晶圓廠將于2月中旬開工。這個項目原本定于2022年12月啟動，但受內外多種因素影響，故而有所延期。 三星電子西安三期項目總投資高達3000億元人民幣。目前，這個工廠的定位是三星電子NAND閃存半導體的生產基地，與前兩期項目的產能合并后，將占據三星電子NAND全球總產能的40%。前兩期項目已達產，每月生產12英寸晶圓量達25萬張，年營收高達1000億元人民幣。

與臺積電或英特爾均已做出的減產計劃相比，三星電子同樣屬于逆勢“加倉”。此舉說明三星電子野心極大，既想稱霸存儲器市場，也想在晶圓代工領域反超臺積電。 除了中國項目，三星電子將對在韓國京畿道平澤市第一工廠（P1）的NAND閃存設備做升級。

P1的NAND線預計將改造為V8（238層）NAND量產線，可加工約3萬張晶圓。此前，有消息稱，三星電子可能會在2023年下半年，投資已完成外裝工程的平澤4號廠房（P4）一期工程新的NAND生產線。

據中國臺灣市場研究公司Trend Force的統計數據，截至2022年底，三星電子NAND晶圓月產量約為64.5萬張。就半導體投資而言，三星電子決定在所有領域都保持2021年的水平。 另據英國市場研究公司Omdia的數據顯示，NAND市場價值約為665億美元。鑒于此等規模的市場前景，三星或許想通過增加NAND產能，以擠壓或吞并規模較小的行業企業。目前，在NAND領域，仍有6-7家企業在爭奪全球范圍內的市場份額。 手段：提價、擴產、降價

1月6日，這家韓國市值最高的公司對外表示，2022年10月-12月季度營業利潤可能同比下降 69%，低于市場預期的38%降幅，創下2008年同季度以來的最大降幅紀錄。 與2022年三季度相比，用于智能手機和其他設備的NAND閃存基準在2022年四季度期間，跌幅達到14%。 可以說，三星電子面臨行業低迷和公司業績下滑的雙重壓力，卻仍在逆勢增資擴產。這家公司表示，將繼續從中長期的角度為市場復蘇做準備。

由上文可知，三星對逆勢投資有過成功經驗。多年來，三星常常在行業不景氣時期做巨額投資，以在下一個繁榮時期擊敗競爭對手，從而引領全球內存市場。

俗話說，手中有糧，心中才能不慌。 三星敢于逆勢大舉增資，底氣來自其擁有的規模龐大的現金儲備。截至2022年9月底，三星持有約128.8萬億韓元（約合1010億美元）現金，約是其競爭對手SK海力士或美光的10倍。 韓國政府也很給力。韓國在2023年1月3日宣布，計劃將半導體和電池等戰略技術資本支出的稅收減免，從8%擴大到15%，接近翻倍。

除了想靠技術實力、產能規模壓制對手，復制2006-2009年的那次成功逆襲，還有個重要原因，即三星電子已成功進入蘋果NAND閃存供應鏈。此事得益于中國本土一家NAND閃存巨頭遇到的眾所周知的技術限制。 這家中國公司在遭遇技術約束后，三星電子成為了蘋果公司在中國的NAND存儲芯片替代供應商。華爾街見聞獲悉，三星電子位于西安的NAND閃存工廠將為蘋果供應NAND閃存。目前，這個工廠的三期工程將于2月動工。

值得一提的是，不久前，三星電子官宣其閃存產品將提價10%，而部分中國公司已接受這一報價。 但是，據公開報道顯示，三星電子可能會于2023年開啟包括NAND閃存在內的大幅降價，以進一步提高在全球存儲芯片市場的份額。

對NAND技術、產能和價格三者之間關系的理解，也能從另一個角度解釋三星電子為何逆勢增資的意圖。 在NAND領域，NAND制造商做的激烈技術角逐，集中在增加垂直層數方面。SK海力士和美光都已推出200多層的NAND技術，但三星認為，“重要的不是層數，而是產能以及專注于提供具有價格競爭力的更優解決方案”。 說是這么說，但三星并沒有放松NAND的技術迭代，其技術水平也極為高超。 目前，三星電子生產的第八代V-NAND高達230層；第9代V-NAND也已在研發過程中，預計2024年量產。2030年，三星將推出高達1000層的V-NAND產品。

鑒于DRAM的對于消費電子級的重要性，三星也在重兵布局這個方向。 為推進10nm范圍以外的微縮，三星電子正在開發圖案、材料和架構方面做持續突破。

2022年底，三星官方透露，其即將推出的DRAM解決方案包括32Gb DDR5 DRAM、8.5Gbps LPDDR5X DRAM和36Gbps GDDR7 DRAM。三星還談到了HBM-PIM、AXDIMM和CXL等定制DRAM解決方案。此外，三星計劃到2030年實現亞納米DRAM。

更多信息可以來這里獲取==>>電子技術應用-AET<<