英國劍橋 - 無晶圓廠環?？萍及雽w公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日推出采用新穎的芯片和封裝設計的、超低導通電阻(RDS(on)) ICeGaN? GaN 功率 IC ，將 GaN 的優勢提供給數據中心、逆變器、電機驅動器和其他工業電源等高功率應用。新型 ICeGaN? P2系列 IC RDS(on)低至25 mΩ，支持多kW功率應用，并提供超高效率。
ANDREA BRICCONI | CGD 首席商務官
“人工智能的爆炸性增長導致能源消耗的顯著增加，促使數據中心系統設計師優先考慮將 GaN 用于高功率、高效的功率解決方案。CGD這一新系列 GaN 功率 IC 支持我們的客戶和合作伙伴在數據中心實現超過100 kW/機架的功率密度，滿足高密度計算的最新 TDP（熱設計功率）趨勢的要求。在電機控制逆變器方面，開發人員正在使用 GaN 來減少熱量，獲得更小、更持久的系統功率。以上兩個市場正是CGD ICeGaN 功率 IC 現在的目標市場。簡化的柵極驅動器設計和降低的系統成本，再加上先進的高性能封裝，使 P2 系列 IC 成為這些應用的絕佳選擇?！?
ICeGaN 功率 IC 集成了米勒箝位以消除高速開關過程中的擊穿損耗，并實現了0V關斷從而最大限度地減少反向導通損耗，其性能優于分立 eMode GaN 和其他現有技術。新的封裝提供了低至0.28 K/W的改進的熱阻性能，與市場上任何其他產品比較具有相當或更加優異的性能。其雙面 DHDFN-9-1（雙散熱器 DFN）封裝的雙極引腳設計有助于優化 PCB 布局和簡單并聯以實現可擴展性，使客戶能夠輕松處理高達多kW的應用。經過設計新型封裝不僅提高了產量，其側邊可濕焊盤技術，更便于光學檢查。
用戶現在可申請 CGD 新型 P2 系列 ICeGaN 功率 IC 樣品。該系列包括四款 RDS(on) 產品為25 mΩ和55 mΩ，額定電流為60 A和27 A的產品。產品采用10 mm x 10 mm封裝 DHDFN-9-1和 BHDFN-9-1（底部散熱器DFN）封裝。與所有CGD ICeGaN產品一樣，P2系列可以使用任何標準 MOSFET 或 IGBT 驅動器進行驅動。
現有2款采用新型 P2 產品演示板可供展示：一款是 CGD 與法國公共研發機構 IFP Energies nouvelles 合作開發的單相變三相汽車逆變器演示板；另一款是3kW圖騰柱功率因數校正演示板。
新型 P2 系列 ICeGaN? 產品系列 GaN 功率 IC 和演示板將于2024年6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的 PCIM 展覽上首次公開展示。CGD 的展位號為7-643。歡迎用戶蒞臨參觀和了解這些產品。
結語
關于 Cambridge GaN Devices
Cambridge GaN Devices (CGD) 致力于 GaN 晶體管和 IC 的設計、開發與商業化，以實現能效和緊湊性的突破性飛躍。我們的使命是通過提供易于實現的高能效 GaN 解決方案，將創新融入日常生活。CGD 的 ICeGaN? 技術經證明適合大批量生產，并且 CGD 正在與制造合作伙伴和客戶攜手加快擴大規模。CGD 是一家無晶圓廠企業，孵化自劍橋大學。公司首席執行官兼創始人 Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍與世界知名的劍橋大學高壓微電子和傳感器研究組 (HVMS) 保持著緊密聯系。CGD 的 ICeGaN HEMT 技術背后有不斷擴充的強大知識產權組合做支撐，這也是公司努力創新的結晶。CGD 團隊在技術和商業方面的專業知識以及在功率電子器件市場上的大量突出表現，為其專有技術在市場上的認可程度奠定了堅實的基礎。欲了解更多信息，請訪問 https://camgandevices.com/zh/。