12 月 11 日消息，韓媒 ZDNet 當地時間 9 日援引行業報告表示，三星電子已于近日啟動下代 1c nm 制程 DRAM 內存量產所需設備的采購，從 Lam Research 泛林集團等主要半導體設備制造商購買的設備將于明年 2 月左右引進至量產線。
三星電子目前尚未官宣 1c nm（注：第 6 代 10nm 級制程）DRAM。報道指出三星電子的 1c nm 目前處于試產狀態，已得到首批 Good Die 良品晶粒，其首條 1c nm 量產線將設置于韓國京畿道平澤 P4 工廠。
▲ 三星電子平澤廠區
業內人士表示，三星電子 1c nm 量產投資的初期規模不會很大，這是因為尚需時日來實現這一新制程 DRAM 良率的穩定，待工藝成熟后三星才會進行額外的投資。
此前有消息稱三星電子已確認將在下代 HBM4 中應用 1c nm DRAM，可以說 1c nm 的表現很大程度上決定了三星能否在競爭激烈的 HBM 內存市場趕上甚至超越目前的領先者 SK 海力士。
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