當地時間12月13日，美國拜登政府宣布，美國商務部已經與博世簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄 (PMT)，將根據《芯片與科學法案》向博世提供高達 2.25 億美元的擬議直接補貼資金。這筆資金將支持博世投資 19 億美元改造其位于加州羅斯維爾的制造工廠，用于生產碳化硅 (SiC) 功率半導體。并將在加州創造多達 1,000 個建筑工作崗位和多達 700 個制造、工程和研發工作崗位。

博世是全球領先的一級汽車供應商，其產品組合中的專業半導體業務是其差異化競爭優勢之一。比如，博世還是汽車行業溝槽柵極 SiC 半導體的領先供應商。博世將在加州羅斯維爾生產的 SiC 器件對于提高電動汽車駕駛和充電效率至關重要。滿負荷生產后，該擬議項目預計將生產博世 SiC 半導體總產能的大部分，并可能占美國所有 SiC 器件制造產能的 40% 以上。

博世北美及博世美洲區總裁保羅·托馬斯表示：“羅斯維爾的投資使博世能夠在當地生產碳化硅半導體，支持美國消費者走上電氣化道路。在美國生產這項關鍵技術彰顯了我們在移動市場的領導地位。”

博世預計將從 2026 年開始在其羅斯維爾工廠生產首批 200 毫米晶圓芯片。該工廠將執行前端設備制造和后端測試、分類和切割工藝。

博世表示，將致力于為羅斯維爾工廠的員工和建筑工人提供價格合理、質量上乘的托兒服務。博世推出了一款新的導航工具，幫助員工和建筑工人找到高質量的托兒服務，包括短期、持續和備用的居家或中心托兒服務。為了完成該項目的建設，博世將根據與薩克拉門托-塞拉建筑和建筑行業工會簽訂的項目勞工協議 (PLA) 開展業務。

博世還計劃申請美國財政部的先進制造業投資抵免 (CHIPS ITC)，該抵免額占合格資本支出的 25%。除了高達 2.25 億美元的擬議直接資金外，芯片法案計劃辦公室還將根據 PMT 向博世提供約 3.5 億美元的擬議貸款——這是《芯片與科學法案》提供的 750 億美元貸款授權的一部分。