中國上海，2025年2月20日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出采用S-VSON4T^[1]封裝的光繼電器——“TLP3414S”與“TLP3431S”，具有比東芝現有產品更快的導通時間^[2]。TLP3414S與TLP3431S的斷態輸出端電壓和通態電流額定值分別為40 V/250 mA和20 V/450 mA。該產品于今日開始支持批量出貨。

　　新型光繼電器通過提高輸入側紅外LED的光輸出并優化光電探測器（光電二極管陣列）的設計，可實現高效的光耦合，將導通時間最大值縮短至150 μs。TLP3414S的導通時間比東芝現有產品TLP3414縮短約50 %，TLP3431S的導通時間比東芝現有產品TLP3431縮短約62 %。

　　此外，當輸出打開時，這兩款產品的導通電阻會影響信號衰減（TLP3414S：最大值3 Ω，TLP3431S：最大值1.2 Ω）；當輸出關閉時，輸出電容會影響高頻信號泄漏（兩款產品均為典型值6.5 pF）。新產品與東芝現有產品^[2]相當，確保了穩定的信號傳輸。

　　新產品適用于半導體測試設備中的引腳電子^[3]應用，可在開關信號的同時以高精度高速測量待測設備（DUT）。

　　新產品由于采用小型S-VSON4T封裝，與東芝現有產品的VSON4封裝^[4]相比表貼面積減少了約20 %，有助于實現半導體測試設備和其他設備的小型化。

　　東芝將繼續提供更多高性能產品，以滿足半導體測試設備對更高性能和更快速度的需求。

　　應用：

　　-半導體測試設備（高速存儲器測試設備、高速邏輯測試設備等）

　　-探測卡

　　-測量設備

　　特性：

　　-高速導通時間：t_ON＝150 μs（最大值）

　　-低導通電阻：

　　TLP3414S R_ON＝3 Ω（最大值）

　　TLP3431S R_ON＝1.2 Ω（最大值）

　　-小型S-VSON4T封裝：1.45 mm×2.0 mm（典型值），厚度＝1.3 mm（典型值）

　　主要規格：

　　注：

　　[1] S-VSON4T封裝：1.45 mm×2.0 mm（典型值）

　　[2] 東芝現有產品TLP3414（額定值40 V/250 mA）和TLP3431（額定值20 V/450 mA），采用VSON4封裝

　　[3] 引腳電子（PE）：用于向待測設備（DUT）提供電源和測試信號，并判斷DUT的輸出信號的一種接口電路

　　[4] VSON4封裝：1.45 mm×2.45 mm（典型值）

　　[5] TLP3414S的測試條件：R_L＝200 Ω、V_DD＝20 V、I_F＝5 mA，TLP3431S：R_L＝200 Ω、V_DD＝10 V、I_F＝5 mA

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