3月4日消息，據路透社援引兩名知情人士的話報道稱，美國兩大芯片巨頭英偉達（NVIDIA）和博通（Broadcom）正在基于英特爾最新的Intel 18A制程進行制造測試，這顯示出對這家陷入困境的公司先進生產技術的初步信心。

報道還指出，另一家處理器大廠AMD也在評估Intel 18A 制造工藝是否符合其需求，但目前尚不清楚該公司是否已將測試芯片送往工廠。

英偉達、博通和AMD均為全球前五大芯片設計公司，如果他們后續真的考慮采用Intel 18A制程來生產自己的芯片，那么他們的需求足以讓英特爾晶圓代工業務迎來真正的轉機。

對此傳聞，英特爾發言人表示：“我們不對具體客戶置評，但在整個生態系統中，Intel 18A 持續受到強烈關注并被廣泛參與?！?/p>

去年下半年，韓國媒體曾爆料稱英特爾Intel 18A制程良率僅10%，并表示博通可能已經取消了與英特爾的合作，該消息當時就引發了業內的極大關注。不過，隨后知名分析師Patrick Moorhead和英特爾前CEO帕特·基辛格都在X平臺上進行了辟謠。

基辛格還表示，對于現在的芯片來說，用百分比來表示良率是不恰當的。因為有很多的不同類型的芯片，一些大的計算芯片可能良率較低，但一些小芯片良率會比較高。所以，如果不先以定義芯片尺寸為前提，任何使用良率百分比來作為衡量特定制程工藝的水平，都是不了解半導體良率的。

今年2月下旬，英特爾通過官網正式上線了對于其最尖端的Intel 18A制程工藝的介紹，并稱其已經“準備就緒”。根據外界預計，Intel 18A將于2025 年年中進入量產，將由酷睿 Ultra 300 系列“Panther Lake”處理器首發，預計將于今年下半年上市。

根據英特爾官網的介紹資料顯示，Intel 18A采用了RibbonFET 環柵 (GAA) 晶體管技術，可實現電流的精確控制，同時還率先采用了業界首創的 PowerVia 背面供電技術，可將密度和單元利用率提高 5% 至 10%，并降低電阻供電下降，從而使 ISO 功率性能提高高達 4%，并且與正面功率設計相比，固有電阻 (IR) 下降大大降低。

與Intel 3 工藝節點相比，Intel 18A的每瓦性能提高 15%，芯片密度提高 30% 。英特爾稱之為北美制造的最早可用的2nm以下先進節點，可以為客戶提供有彈性的供應替代方案。

根據研究機構TechInsights的測算，得出的 Intel 18A 的性能值為2.53，臺積電N2的性能值為2.27，三星SF2的性能值為2.19。也就是說，Intel 18A 在 2nm 級工藝中具有最高性能，臺積電N2位居第二，三星SF2位居第三。