中文引用格式： 劉甲俊，李飛，陳榮昕，等. 一種帶短路保護的磁隔離IGBT驅動架構[J]. 電子技術應用，2025，51(3)：44-48.
英文引用格式： Liu Jiajun，Li Fei，Chen Rongxin，et al. A magnetic isolation IGBT driver architecture with short circuit protection[J]. Application of Electronic Technique，2025，51(3)：44-48.
引言
絕緣柵雙極性晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)因為具有輸入阻抗高、開關損耗小和飽和壓降低等特點被廣泛應用[1-3]。但是IGBT柵極寄生電容大，導通電壓高[4-5]，傳統微控制器無法直接驅動IGBT。并且IGBT主要工作在高壓和大電流的環境中，常發生短路故障使其退出飽和區，造成器件過流而發生損壞。另外IGBT驅動器應用在IGBT和控制器之間，為防止高壓側發生故障對人體和設備造成傷害，驅動器需要有較高的隔離耐壓。因此為了提高系統的穩定性和安全性，需要一種帶短路保護和高隔離耐壓的驅動架構，有足夠高的導通電壓驅動IGBT，當IGBT發生短路故障退出飽和區時，能夠迅速地關斷IGBT，并且能夠抑制關斷期間產生的柵極電壓和集電極電壓尖峰，同時要將短路故障信號從高壓側傳回到低壓側完成短路故障監測。
文獻[6-7]提出了一種帶短路保護電路的IGBT驅動架構，利用一個低阻值電阻串聯在IGBT的發射極實現短路檢測，該架構不能抑制關斷期間產生的柵極和集電極電壓尖峰，并且無隔離功能。文獻[8-9]提出一種帶短路保護的光耦隔離IGBT驅動架構，該驅動架構采用光耦隔離，完成對IGBT去飽和檢測的同時又能抑制尖峰電壓，但是該架構集成的軟關斷時間較長，并且光耦隨時間會發生老化，可靠性較差。文獻[10]提出一種帶短路保護的電容隔離IGBT驅動架構，具有去飽和檢測電路，并且采用電容隔離解決了光耦隔離發生老化的問題，但是該架構沒有柵極和集電極電壓尖峰保護電路，IGBT在關斷期間存在擊穿風險，并且電容隔離傳輸速度慢，對噪聲的抑制能力較差。
針對上述問題，本文設計一種帶短路保護的雙通道磁隔離IGBT驅動架構，該架構在典型條件下具有15 V的驅動電壓，并且具有去飽和檢測電路、米勒鉗位電路和軟關斷功能。并且設計兩個數字隔離信號通道，分別傳輸控制信號和去飽和故障信號，當檢測到IGBT發生短路故障后可以迅速關斷IGBT，并將故障信號通過故障反饋通道傳回到前級控制器，以便對故障做出響應。另外通過米勒鉗位電路和軟關斷抑制關斷期間產生的柵極和集電極電壓尖峰，確保IGBT安全關斷，并采用無磁芯變壓器技術將高壓側和低壓控制側進行電氣隔離，克服了光耦發生老化和電容傳輸速率低和對噪聲抑制能力差的缺點。
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作者信息：
劉甲俊，李飛，陳榮昕，鄧玉清，肖培磊
（中國電子科技集團公司第五十八研究所，江蘇 無錫 204135）
