4月28日消息，據韓國媒體 sedaily 報導，三星電子已確定將在三年內量產被稱為次世代內存的“垂直信道晶體管（VCT）DRAM”的藍圖。外界解讀，三星有意比競爭對手SK海力士更早一個世代成功量產，以挽回“超級差距”的地位。
VCT DRAM是指將內存單元中控制電流流動的晶體管垂直排列的產品。與傳統平面方式相比，可以排列更多晶體管，實現更高容量，因此被視為潛力巨大的“游戲規則改變者”。然而，這種制作方式比傳統工藝更繁復且嚴苛，不僅前段制程（晶圓制作）難度高，還需動用過去DRAM制程中未曾使用過的先進封裝技術，技術門坎相當高。
三星電子目前正量產10nm級的第五代DRAM，并以今年量產第六代產品為目標。隨著明年開發第七代產品的時程已確定，三星在第八代（1e）DRAM與全新制程技術VCT DRAM之間進行權衡后，最終選擇后者這個技術路線。
據悉，SK海力士則規劃第七代DRAM，再來依序是1奈米級第1代（0a）、垂直DRAM（VG）的導入時間表。由此來看，如果三星計劃順利推進，將領先一步開啟「V DRAM時代」。另外，傳三星電子內部已將負責第八代產品的前期研究團隊與第七代團隊合并。
業界預期，VCT DRAM有望在2~3年內看到實體產品。業界人士指出，由于三星近期在單一DRAM領域也開始落后，可以看出他們希望透過領先未來技術重拾市場領導者的自尊心。
對于這項消息，三星電子則回應稱“尚未確定具體的DRAM產品藍圖”。
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