在半導體存儲器市場上，中國大型企業的存在感正在增強。這是因為技術創新推動供應廠商以中國為中心增加，價格競爭力也在提高。由于政府的補貼政策，中國有些產品比其他國家便宜50%左右，這成為壓低世界大宗交易價格的一個因素。
半導體存儲器是在個人電腦(PC)和智能手機等電子設備內部儲存數據的存儲介質。其中包括用于短期存儲的DRAM和用于長期存儲的NAND型閃存等。世界領先企業有美國的美光科技、韓國的三星電子和SK海力士等。但是，在NAND領域，中國的長江存儲科技(YMTC)正在擴大市場份額，在DRAM領域，長鑫存儲技術(CXMT)也在增長。
長江存儲科技等中國產品的主要銷售市場是中國國內。中國正在實施鼓勵購買本國半導體存儲器的補貼政策。調查公司TechInsights等的數據顯示，中國產DRAM和NAND比其他國家的產品便宜23%，如果考慮到補貼，最多能便宜50%左右。
在向中國銷售其他國家產品時，不得不考慮中國產品的價格。因此，在作為半導體存儲器一大市場的中國降價將波及全球。從以NAND為主要零部件的存儲裝置固態硬盤(SSD)1～3月的大宗交易價格來看，作為指標的TLC（三電平單元）256GB為每個29.9美元左右，比上季度下降了8%。
從NAND來看，存儲單元縱向堆疊的層數是評價性能的指標之一。TechInsights的Jeongdong Choe表示，“長江存儲科技在采用混合鍵合（HB）技術的產品量產化方面比韓國企業更早取得了成功”。在市售產品中(截至3月)，長江存儲科技的產品“層數最多，達到267層”，Jeongdong Choe表示。
中國對本國產品的優惠政策也在影響DRAM價格。從2月的大宗交易價格來看，作為指標的DDR4 8GB為每個1.70美元左右。容量較小的4GB產品在1.30美元左右，均連續6個月下降，創出了2023年12月以來的最低水平。3月的價格也與上月持平。有分析認為，長鑫存儲技術崛起等因素正在壓低DDR4和上一代產品DDR3等的價格。
由于中國企業的低價攻勢，NAND和DRAM的價格呈現下跌趨勢，但目前也有觀點認為，價格將在今年內見底。理由之一是企業為特朗普政府關稅政策做的準備。為了應對半導體產品被征收高關稅的情況，作為買方的設備制造商和模塊制造商等正在增加庫存。
由于個人電腦和智能手機的銷售增長乏力，NAND和DRAM也受到需求減弱的影響，消費者的觀望情緒也在一定程度上導致了價格下跌。據悉，DRAM中約有50%用于個人電腦和數據中心的服務器設備，約35%用于智能手機。然而，近期市場出現變化，“有權威調研機構指出庫存可能會比預期更早減少，這成為契機，DDR4、DDR5以及高帶寬存儲器（HBM）等的需求正在增強”，一位電子元器件貿易公司的負責人表示。
從NAND來看，一些大型制造商正在減產，縮減供應的趨勢仍在持續。有觀點認為，如果服務器等的需求增強，半導體存儲器的價格將在年內轉向上漲。最早可能在4～6月的大宗交易價格上出現觸底的跡象。
