2025年5月27日，中國——意法半導體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅動器，為開發者帶來更高的設計靈活性和更多的功能，提高目標應用的能效和魯棒性。
STDRIVEG610 和 STDRIVEG611兩款新產品為電源轉換和電機控制設計人員提供兩種控制GaN功率器件的選擇，可以提高消費電子和工業應用的能效、功率密度和魯棒性。
STDRIVEG610主打那些要求啟動時間300ns級別的柵極驅動應用，啟動時間是LLC或ACF電源轉換拓撲的一個關鍵參數，保證在突發模式下準確控制功率管的關斷間隔。
STDRIVEG611 是針對電機控制應用中的硬開關進行了優化設計，增加高邊UVLO欠壓保護和過流保護智能關斷等安全功能。
這兩款器件對軟硬開關拓撲都適用，并內置預防交叉導通的互鎖功能。STDRIVEG610可提升電源適配器、充電器和功率因數校正 (PFC) 電路的性能，而STDRIVEG611可節省空間，提高能效和可靠性，適用于家用電器、電泵、壓縮機、工業伺服驅動電機以及工廠自動化驅動裝置。
為了簡化設計，兩款器件都集成了高邊自舉二極管，以及大電流能力且傳輸延遲小于10ns的6V高低邊線性穩壓器。每個驅動器都有獨立的吸電流和拉電流路徑，吸電流為 2.4A/1.2Ω，拉電流為 1.0A/3.7Ω，可以實現很好的驅動性能。
片上集成的 UVLO 保護功能用于保護高低邊的 600V GaN 功率開關管的安全，防止器件在低效或危險情況下運行。此外，兩款器件都有過熱保護功能，dV/dt耐量高達 ±200V/ns。輸入引腳電壓擴展到 3.3V 至 20V，從而簡化了控制器接口電路。兩款器件都有待機引腳，在非工作期間或突發模式下，可以節省能耗，并具有獨立的電源地引腳，可用于開爾文源驅動或連接分流電阻。
STDRIVEG610 和STDRIVEG611集成豐富的功能，有助于降低物料清單成本，采用4mm x 5mm QFN 的緊湊封裝，節省電路板空間。
兩款產品的配套評估板EVLSTDRIVEG610Q和EVLSTDRIVEG611現已上市，可幫助設計人員加快應用開發。兩款評估板均可直接使用，集成了 600V 高速半橋柵極驅動器和意法半導體的兩顆 SGT120R65AL 增強型 GaN HEMT功率開關管。
