【2025年5月26日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了一款能夠主動雙向阻斷電壓和電流的氮化鎵（GaN）開關——650 V CoolGaN? G5雙向開關（BDS）。該產品采用共漏極設計和雙柵極結構，是一款使用英飛凌強大柵極注入晶體管（GIT）技術和CoolGaN?技術的單片雙向開關，能夠有效替代轉換器中常用的傳統背靠背開關。
這款CoolGaN?雙向開關能夠為功率轉換系統帶來多項關鍵優勢。它通過將兩個開關集成到一個器件中，簡化了循環轉換器拓撲結構的設計，實現了單級功率轉換，無需多個轉換級。這一設計不僅提高了效率和可靠性，而且更加緊湊?；贐DS的微型逆變器還能提高功率密度，減少元件數量，從而簡化制造過程并降低成本。此外，該產品還支持先進的電網功能，如無功功率補償和雙向操作等。
因此，該解決方案在多個應用領域擁有巨大潛力，包括：
·微型逆變器： 這款CoolGaN?雙向開關使微型逆變器的設計變得更加簡單、高效，從而減小了尺寸，降低了成本，令微型逆變器更加適用于住宅和商業太陽能裝置。
·儲能系統（ESS）： 這款開關可在電池充放電等ESS應用中提高能量存儲和釋放的效率和可靠性。
·電動汽車（EV）充電：這款BDS開關可提高電動汽車充電系統的充電速度和效率，同時還可實現汽車到電網（V2G）功能，使汽車電池中存儲的能量能夠返回到電網中。
·電機控制：CoolGaN? BDS非常適用于工業電機驅動器的電流源逆變器（CSI）。與傳統電壓源逆變器（VSI）相比，CSI具有以下優點：
– 產生正弦輸出電壓，從而支持更長的電纜敷設路徑、降低損耗和提高容錯能力。
– 使用電感器取代直流鏈路電容器，增強高溫性能和短路保護能力。
– 部分負載下效率更高，電磁干擾更低，固有的升降壓能力可應對電壓變化，并且可擴展至并聯運行。
這些特性使CSI成為更加穩健、高效的工業電機應用控制方案。
·AI數據中心： 在AI服務器電源中，CoolGaN? 等雙向開關可支持維也納整流器和 H4 PFC等架構的更高開關頻率和功率密度。一個CoolGaN? BDS 可取代兩個傳統開關，從而減少元件數量、控制成本、縮小尺寸和降低總體功率損耗。
供貨情況
650 V CoolGaN? G5雙向開關（BDS）和110 mΩ 產品樣品現已開放訂購。
