【2025年6月18日, 德國慕尼黑訊】隨著純電動汽車（BEV）和插電式混合動力電動汽車（PHEV）銷量的快速增長，電動汽車市場的發展在不斷加速。預計到 2030 年，電動汽車的生產比例將實現兩位數增長，從2024年的20%增長至45%左右 ^[1]。為滿足對高壓汽車IGBT芯片日益增長的需求，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新一代產品，包括為400 V和800 V系統設計的 EDT3（第三代電力傳動系統）芯片，以及為 800 V 系統量身定制的RC-IGBT 芯片。這些產品能夠提高電力傳動系統的性能，尤其適用于汽車應用。

EDT3和RC-IGBT裸芯片專為提供高質量而可靠的性能而設計，助力客戶開發定制功率模塊。新一代EDT3較EDT2 有了顯著的進步，其在高負載下的總損耗減少了20%，同時保持了低負載下的效率。這一進步得益于大幅減少芯片損耗和提高最高結溫的優化措施，使得芯片在高負載性能和低負載效率之間實現了平衡。因此，使用EDT3芯片的電動汽車能夠實現更長的續航里程并降低能耗，從而提供更加可持續且經濟高效的行駛體驗。

英飛凌科技汽車高壓芯片和分立器件產品線副總裁Robert Hermann表示：“作為領先的IGBT技術供應商，英飛凌致力于提供性能與可靠性出眾的產品。EDT3解決方案基于我們對創新與低碳化的不懈追求，助力客戶在其諸多應用中實現理想的結果?！?/p>

EDT3芯片組提供750 V和1200 V兩種電壓等級，其輸出電流高，適合純電動汽車、插電式混合動力電動汽車、增程式電動汽車（REEV）等各種電動汽車中的主逆變器應用。產品縮小了芯片尺寸并優化了設計，便于制造更小的模塊，降低了整體系統成本。此外，其最大虛擬結溫為185°C，最大集電極-發射極額定電壓為750 V和1200 V，適合高性能應用。通過該產品，汽車制造商能設計出更加高效、可靠的動力傳動系統，幫助延長行駛里程并減少排放。

臻驅科技創始人兼總經理沈捷博士表示：“英飛凌作為臻驅科技的主要 IGBT 芯片供應商和合作伙伴，始終如一地為我們提供實現系統級優勢的創新解決方案。最新的EDT3芯片優化了損耗和損耗分布，支持更高的工作溫度，并提供多種金屬化選項。這些特性不僅減少了每安培所需的硅片面積，還加速了先進封裝技術的應用。"

1200 V RC-IGBT 通過在單芯片上集成IGBT 和二極管功能提升了性能，與分離的 IGBT 和二極管芯片組解決方案相比，實現了更高的電流密度。這一進步帶來了系統成本優勢，得益于更高的電流密度、可擴展的芯片尺寸以及降低的組裝工作量。

英飛凌最新的EDT3 IGBT芯片技術現已集成到 HybridPACK? Drive G2汽車功率模塊中，為整個模塊產品組合提供更強大的性能與功能。該模塊在750 V和1200 V功率等級下可提供最高250 kW 的功率范圍，提高了易用性。其下一代相電流傳感器集成選項、片上溫度傳感器等新功能有助于降低系統成本。

所有芯片產品均提供定制芯片布局，包括片上溫度和電流傳感器。此外，英飛凌還可根據要求提供適用于燒結、焊接和鍵合的金屬化選項。

供貨情況 

EDT3和RC-IGBT新品現已提供樣品。

[1] 英飛凌估算值